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公开(公告)号：CN104149416B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410418821.7
申请日：2014-08-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金属基高温绝缘层及其制备方法，属于薄膜材料技术领域。包括六层结构，从下往上依次是合金基片1、NiCrAlY合金过渡层2、α-Al2O3层3、晶态YSZ层4、非晶态YSZ层5、Al2O3层6，其中α-Al2O3层采用热氧化法得到，晶态YSZ层和非晶态YSZ层均采用溅射方法得到，Al2O3层6采用电子束蒸发法制备得到。本发明的绝缘层能保证至少在800℃下，薄膜传感器功能层与金属基底之间的良好电绝缘，且经过长时间高温环境下退火后，绝缘电阻不会减小，且有增大的趋势，可以满足薄膜传感器在高温、高应力等环境下的正常工作。
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公开(公告)号：CN105242094A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510557642.6
申请日：2015-11-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种FM/NM薄膜结构中逆自旋霍尔电压值的测量方法，属于自旋电子学研究以及相关自旋器件制造领域。本发明基于利用终端短路的悬空微带传输线夹具测试FM/NM薄膜结构样品的自旋泵浦-逆自旋霍尔效应电压的方法，采用将样品在微带线夹具中垂直翻转的方式，先后在膜面向上以及膜面向下的位形时测量出样品两端电压，根据样品位形中自旋注入的方向相反的差别，通过简单计算，便可精确获得测量电压中自旋整流分量以及逆自旋霍尔效应电压分量，为精确计算自旋霍尔角提供了参考。
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公开(公告)号：CN104805405A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510150589.8
申请日：2015-04-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种氮化铝压电薄膜及其制备方法，属于压电薄膜制备技术领域。该氮化铝压电薄膜，包括钛合金基片，所述钛合金基片上由下而上依次设置有氮化铝过渡层和氮化铝功能层，所述氮化铝过渡层中铝元素与氮元素的比例范围为1:1.3～1:1.5，氮化铝功能层中铝元素与氮元素的比例范围为1:0.9～1:1.1，氮化铝过渡层和氮化铝功能层的整体厚度范围为1.5～6μm，c轴取向，应力范围为50～500MPa。本发明采用同质过渡层技术，通过引入过渡层，提高了薄膜的附着性，克服了钛合金表面粗糙度大的不利影响，在与氮化铝晶格匹配度低的钛合金表面制备了高取向低缺陷的氮化铝薄膜。利用中频磁控溅射设备制备氮化铝薄膜，工艺简单易行，沉积速度快，成本低廉；适用于制备氮化铝压电薄膜。
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公开(公告)号：CN102786049B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210312411.5
申请日：2012-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法。包括一作为真空腔体的气炼石英管，位于真空腔体内中间位置的.SiC衬底、感应加热石墨舟和碳毡保温层，所述SiC衬底位于石墨舟样品槽内，所述石墨舟位于碳毡保温层中部，所述碳毡保温层紧贴真空腔体的管壁并形成中空结构；所述真空腔体的一端具有真空腔门用以开启和关闭真空腔体，在所述真空腔门的下方依次连接有挡板阀、分子泵和机械泵组成的抽真空气路用以按需对真空腔体进行抽真空操作；真空腔体的另一端具有透红线外玻璃材质的红外探测窗口。本发明的有益效果是：采用本发明的系统和方法，可以在较高气压状态下（0.1～1个大气压）制备出高质量的石墨烯。
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公开(公告)号：CN103924204A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410171456.4
申请日：2014-04-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种在钛合金基片表面制备C轴取向氮化铝薄膜的方法，属于薄膜材料制备技术领域。首先对钛合金基片表面进行抛光，以尽量降低其表面粗糙度；然后采用磁控反应溅射在350～450℃的基片温度范围内预溅射一层氮化铝，待预溅射氮化铝厚度超过钛合金基片的表面粗糙度后，让钛合金基片自然降温至120～150℃并持续溅射沉积氮化铝直至氧化铝薄膜达到需要的厚度。本发明在钛合金基片表面成功制备出C轴取向的氮化铝薄膜，该薄膜具有高度的C轴取向、较低的表面粗糙度和良好的压电效应，从而为氮化铝薄膜型声表面波器件直接做在钛合金材料表面提供了材料基础，并为氮化铝薄膜型声表面波传感器在航空、航天领域的高可靠性应用提供了一种可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102543483B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201210014031.3
申请日：2012-01-17
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种超级电容器的石墨烯材料的制备方法。包括如下步骤：步骤1：膨化石墨烯的制备：将1到2质量份的氧化石墨置于加热容器中，将加热容器密封，快速升温加热30-120s，制备0.5到1质量份的膨化石墨烯；步骤2：活化石墨烯的制备。本发明的有益效果是：由于采用本发明的方法制备的石墨烯材料在不改变石墨烯成分的基础上，改善了石墨烯微孔结构，使其更有利于电荷存储，因此提高了石墨烯超级电容器的比容量，使其在有机电解液中电容器的比容量达到200F/g，能量密度可达到40Wh/kg。进一步的本发明的方法工艺过程简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102901565A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210235653.9
申请日：2012-07-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J5/00
Abstract: 非制冷红外探测器及制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括衬底、热敏感单元，热敏感单元包括热敏感薄膜和电极，热敏感薄膜的厚度为50nm-5um，所述热敏感薄膜的材料为VOx1，或非晶硅，或钛酸锶钡(Bax2Sr1-x2)TiO3，或锆钛酸铅Pb(Zrx3Ti1-x3)O3，或掺镧锆钛酸铅(Pby1La1-y1)(Zrx4Ti1-x4)O3，或钽钪酸铅Pb(Tax5Sc1-x5)O3;其中，1
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公开(公告)号：CN102646821A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210138679.1
申请日：2012-05-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/38
Abstract: 本发明涉及一种锂离子电池负极材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）将1质量份的化学液相还原石墨烯粉末添加到体积比为3:1的浓硫酸和浓硝酸的混合溶液中，在50~100℃容器中回流搅拌1~10h后，静置10~20h；用去离子水清洗至溶液呈中性，经超声1~4h得到携带羧基官能团的石墨烯粉末；（2）将0.5~2质量份的MgCl2溶解于水中，并加入步骤（1）所得的携带羧基官能团的石墨烯粉末，超声波分散，并蒸干溶剂得到含有MgCl2的携带羧基官能团的石墨烯粉末即为材料A。本发明的有益效果是：该复合材料能充分发挥石墨烯与碳纳米管各自的优势，利用这种石墨烯与碳纳米管形成的3D碳结构，有效的缩短了锂离子传输路径。
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