公开(公告)号：CN108074913A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710999443.X

申请日：2017-10-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 绵贯真一 ,  中柴康隆

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。在半导体装置中，包括与传输线(第一光波导和第二光波导)不同的材料的第一虚设图案形成在靠近传输线的第一区域中，并且包括与传输线相同的材料并且不充当传输线的第二虚设图案形成在与传输线分开的第二区域中。

公开(公告)号：CN105280612A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510302984.3

申请日：2015-06-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 佐藤启之 ,  中柴康隆

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L23/528 ,  H01L28/20 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，其中在重叠漏区和源区的区域中抑制电场的聚集。漏区形成在第一区中，源区形成在第二区中。场氧化膜在平面图中围绕第一区。金属互连位于场氧化膜上。金属互连由在25℃下具有40μΩ·cm或以上且200μΩ·cm或以下的电阻率的金属形成。而且，金属互连在沿第一区的边缘的方向上被螺旋地重复提供。而且，金属互连在最内周处与漏区电连接，且在最外周处与源区或接地电势电连接。

公开(公告)号：CN102790031B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210251313.5

申请日：2009-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L28/10 ,  G01R31/2886 ,  G01R31/3025 ,  G01R31/303 ,  H01L23/48 ,  H01L23/645 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：基板；键合焊盘，提供在所述基板上方；第一信号传送/接收部，提供在所述基板上方并且在所述键合焊盘下方；内部电路，提供在所述基板上；其中所述内部电路连接到所述第一信号传送/接收部。

公开(公告)号：CN104915708A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510232362.8

申请日：2010-10-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  大窪宏明 ,  冈田光司 ,  中田茂治 ,  香川修一

IPC: G06K19/077 ,  G11C16/22

CPC classification number: G06K19/073 ,  G11C7/24 ,  H03K19/017509

Abstract: 本发明涉及接口IC和包括接口IC的存储卡。本发明的示例性方面是存储卡，包括：存储器，该存储器存储数据；驱动器，该驱动器调制被存储在存储器中的数据；发射机，该发射机将通过驱动器调制的数据发射到被设置在外部主单元中的接收机；以及IC芯片，该IC芯片具有被形成在其中的驱动器和发射机。

公开(公告)号：CN104111132A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410155975.1

申请日：2014-04-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秋山丰 ,  中柴康隆

IPC: G01L1/20

CPC classification number: G01L9/005 ,  G01L9/0055 ,  H01L29/84 ,  H01L41/113

Abstract: 本发明的目的在于抑制当环境温度改变时可以引起的由压力传感器检测到的数值的误差。半导体衬底具有第一导电类型。半导体层形成在半导体衬底的第一表面之上。每个电阻部件都具有第二导电类型，并且形成在半导体层中。电阻部件相互间隔开。隔离区域是形成在半导体层中的第一导电类型的区域，并且将电阻部件相互电隔离开。凹陷部分形成在半导体衬底的第二表面中，并且当平面地观察时凹陷部分与电阻部件重叠。半导体层是外延层。

公开(公告)号：CN104078506A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410113786.8

申请日：2014-03-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 下村彰宏 ,  秋山豊 ,  下村纱矢 ,  中柴康隆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8083

Abstract: 本发明涉及半导体器件。在漂移层中形成第二导电类型的掩埋层和第二导电类型的下层。在第二导电类型的掩埋层的侧部和漂移层之间的边界中形成边界绝缘膜。第二导电类型的下层与第二导电类型的掩埋层的下端和边界绝缘膜的下端相接触。第二导电类型的掩埋层与源电极电连接。在第二导电类型的掩埋层的表面层中形成第二导电类型的高浓度层。

公开(公告)号：CN103681601A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310410095.X

申请日：2013-09-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 桥本隆介 ,  内田慎一 ,  中柴康隆 ,  根本敬继

IPC: H01L23/522 ,  G01R15/18

Abstract: 为了抑制电感器引起的噪声向外界泄漏并且也被配置为使得磁场强度改变到达电感器。电感器在平面图中包围内部电路并且也电耦合到内部电路。上屏蔽部分覆盖电感器的上侧，并且下屏蔽部分覆盖电感器的下侧。通过使用多层布线层来形成上屏蔽部分。上屏蔽部分具有多个第一开口。第一开口在平面图中与电感器重叠。

公开(公告)号：CN103066062A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210530196.6

申请日：2008-01-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/66 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：布线（10）和虚拟导体图形（20）。所述布线（10）为具有5GHZ或更高频率的电流流经的布线。在布线（10）附近，形成了虚拟导体图形（20）。每一虚拟导体图形（20）的平面形状等同于具有大于180°的内角的形状。

公开(公告)号：CN101499472B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910003767.9

申请日：2009-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/482 ,  H01L21/82 ,  G01R31/28 ,  G06K7/10

CPC classification number: H01L28/10 ,  G01R31/2886 ,  G01R31/3025 ,  G01R31/303 ,  H01L23/48 ,  H01L23/645 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、其制造方法、使用该半导体器件的信号传送/接收方法以及测试器装置。本发明提供一种半导体器件(100)，包括：基板(102)；键合焊盘(110)，提供在基板(102)上方；以及电感器(112)，提供在基板(102)上方并在键合焊盘(110)下方，用于通过电磁感应，以非接触方式向/从外部执行信号传送/接收。

公开(公告)号：CN101640198B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200910164692.2

申请日：2009-07-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 富留宫正之 ,  大窪宏明 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/0928

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。N阱的每一个与隐埋P阱接触的区域的宽度不大于2μm。地电压和电源电压被分别施加给P阱和N阱。去耦电容器被形成在N阱与隐埋P阱之间。