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公开(公告)号：CN119207246A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411732891.X
申请日：2024-11-29
Applicant: 北京数字光芯集成电路设计有限公司 , 湖南大学
Abstract: 本发明涉及微显示技术领域，公开了一种微显示芯片中帧缓存电路的坏点规避方法，对帧缓存电路的每一个地址进行写入及读取操作，以确定帧缓存电路中的无法正确实施写入读取操作的坏点地址；确定所述坏点地址所对应的LED阵列的像素点的行列位置；针对每一个坏点地址进行像素数据补偿运算；基于每一个坏点地址所进行的像素数据补偿运算的结果驱动每一个坏点地址所对应的LED阵列像素点。本发明使在所述帧缓存电路即使出现大量电路缺陷的情况下，依然可以正确的进行画面显示，避免了由于帧缓存电路的异常造成的显示错误。
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公开(公告)号：CN113871515B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111145683.6
申请日：2021-09-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种波导集成的发光二极管，本发明首次以N型硫化镉纳米带和P型单层硒化钨构建PN结，通过在PN结两端施加一个正向偏压，成功实现了基于硫化镉和硒化钨PN结的发光二极管，并利用硫化镉与硒化钨的波导耦合结构，进一步实现了一种波导集成的发光二极管。本发明对现代集成芯片中硅上光源集成及光源与波导结构耦合难题的解决，具有重要的参考价值和工业应用价值。
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公开(公告)号：CN117936664A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410120251.7
申请日：2024-01-29
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种基于化学动态键印章转印Micro‑LED的方法，所述Micro‑LED转印方法由含有动态硼氧键的聚硼硅氧烷(PBS)聚合物印章、基于弱化结构的Micro‑LED阵列芯片和基于喷胶增粘处理的目标异质衬底实现。本发明利用聚硼硅氧烷(PBS)聚合物印章在低压应力刺激下表现出粘流态以及高剥离应力下表现出固态的性质，实现对Micro‑LED超高的抓力切换比，从而实现Micro‑LED高效率拾取与放置。所述转印方式简单且快速，具有高效率转移晶圆级小尺寸Micro‑LED芯片的特点。在Micro‑LED显示、柔性光电子与光电信息通讯等领域具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117878209A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410042204.5
申请日：2024-01-11
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明具体公开了一种窄发射角MicroLED器件及其制备方法，包括依次设置的基底层、缓冲层、发光结构层和光学薄膜折射层，缓冲层用于提高基底与发光结构层之间的兼容性，发光结构层在通电工作时可实现MicroLED器件发光，光学薄膜折射层包括阵列分布在发光结构层上的三棱柱微阵列以及堆叠在三棱柱微阵列上的多层光学薄膜层，且由发光结构层向外延伸方向的多层光学薄膜层的折射率依次增加。本发明基于三棱柱微阵列实现了有限范围内大角度光线的初步过滤，同时利用折射率渐变的多层光学薄膜层实现了光线聚拢，其能够将发光结构层发出的光线以垂直方式透射出去，有效增大了芯片的出光效率，具有窄发射角和低色串扰的优点。
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公开(公告)号：CN114725151B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210295462.5
申请日：2022-03-24
Applicant: 湖南大学
Inventor： 潘安练
Abstract: 本公开涉及一种像素单元、显示装置及其制备方法。像素单元包括有源背板；发光单元，位于有源背板上，包括第一LED芯片、第二LED芯片、第三LED芯片和色转换材料层；第一LED芯片位于第二LED芯片一侧；第三LED芯片位于第二LED芯片上，第三LED芯片在第二LED芯片上表面的正投影位于第二LED芯片的上表面内；第一LED芯片和第二LED芯片均为蓝光LED芯片且第三LED芯片为绿光LED芯片，或第一LED芯片和第二LED芯片均为绿光LED芯片且第三LED芯片为蓝光LED芯片；色转换材料层覆盖第一LED芯片，以将第一LED芯片发出的光转换为红光。上述像素单元不仅减小了像素单元的尺寸，还确保在具有较小尺寸的情况下仍具有较高的红光外量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116337217A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310312143.5
申请日：2023-03-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种轨道角动量片上探测器及制备方法、探测装置与光子芯片。其中，轨道角动量片上探测器包括透明基底部件以及纳米线，所述透明基底部件的第一表面具有膜层，所述膜层上贯穿有多条弧形的纳米狭缝，多条弧形的所述纳米狭缝组成等离激元超表面结构，多条弧形的所述纳米狭缝间隔设置；所述纳米线的数量为多个，多个所述纳米线间隔设置在所述膜层上，所述纳米线为钙钛矿纳米线。本发明的轨道角动量片上探测器通过轨道角动量等离子体场的亚波长聚焦，选择性激发纳米线中单个横向激光模式，实现了零模式串扰的轨道角动量片上探测，对于全光逻辑门、超快光学开关、纳米光子探测器以及片上光学和量子信息处理具有极其重要的意义。
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公开(公告)号：CN116314518A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310247521.6
申请日：2023-03-14
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种发光器件的弱化结构及其制备方法，其中发光器件弱化结构的制备方法包括：先提供设置有发光器件的衬底，然后于发光器件上形成保护层，再基于保护层对非器件区域的衬底进行一次刻蚀并去除保护层，如此实现了对于衬底的第一次减薄。继而，于一次刻蚀后的衬底和发光器件上形成掩膜层，然后基于图形化的掩膜层对非器件区域的衬底进行二次刻蚀，再对器件区域且外露的衬底进行各向异性刻蚀，形成结构柱并去除掩膜层，实现了对衬底的第二次减薄，结构柱与一次刻蚀后器件区域的衬底即结构臂构成T形弱化结构，可采用普通转移头对T形弱化结构上的发光器件进行选择性拾取，提高了发光器件巨量转移的效率，降低了发光器件巨量转移的成本。
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公开(公告)号：CN112310242B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202010515219.0
申请日：2020-06-08
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种新的用于PbS薄膜的敏化方法，该方法是对PbS薄膜进行紫外臭氧处理实现PbS薄膜的敏化。本发明还涉及一种基于PbS薄膜的红外光电探测器及制备方法，所述探测器包括导电玻璃或硅片衬底层、p型半导体层、n型半导体层、缓冲层和电极层；所述p型半导体层为经过紫外臭氧敏化处理的PbS薄膜；所述n型半导体层为富勒烯C60或其衍生物。本发明采用UVO敏化处理，敏化温度低，耗能少、操作简单、敏化效果显著。此外，本发明为一种具有二极管结构的可室温工作的高灵敏红外光电探测器，其比探测率明显优于传统光敏电阻式探测器。
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公开(公告)号：CN116093217A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310247217.1
申请日：2023-03-14
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种微米发光器件及其制备方法，包括：分别提供驱动基板和发光器件层；于所述驱动基板的第一表面依次形成第一键合层、第二键合层；于所述发光器件层的第一表面依次形成第三键合层、第四键合层；分别对所述第二键合层和所述第四键合层进行图形化处理，以在所述第二键合层上形成第一图案层，在所述第四键合层上形成第二图案层；将所述第一图案层和所述第二图案层进行预键合形成第一预键合结构；对所述第一预键合结构进行退火及加压处理。采用本方法给全彩Micro‑LED的垂直堆叠提供了方案，可以解决垂直堆叠过程中传统键合材料无法直接实现同种颜色像素在水平面上的n极互连、阵列化刻蚀难度大、键合材料寿命短的问题。
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公开(公告)号：CN114725150A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210247918.0
申请日：2022-03-14
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED器件及微显示屏，所述器件包括：基板驱动背板，所述基板驱动背板中包括驱动电路和多个阳极电极；第一键合层，位于所述基板驱动背板靠近所述阳极电极的一侧上；发光组件，通过所述第一键合层与所述基板驱动背板键合，所述发光组件包括多个层叠设置的发光结构，相邻两层所述发光结构中下一层所述发光结构相对于上一层所述发光结构在第一方向上伸出而形成阶梯结构，各所述发光结构的N型半导体层至少部分外露且彼此电连接，多层所述发光结构的欧姆接触层分别与多个所述阳极电极一一对应电连接。采用本申请提供的器件可以实现垂直方向上的Micro‑LED器件的堆叠，减小器件尺寸。
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