FBAR谐振器组合结构、FBAR滤波器提升带宽结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN115664375B

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202211392290.X

    申请日:2022-11-08

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌 陈功田

    Abstract: 本发明公开了一种FBAR谐振器组合结构、FBAR滤波器提升带宽结构及其制造方法,其包括第一谐振单元及第二谐振单元,所述第一谐振单元与第二谐振单元连接,所述第一谐振单元并联连接有第一电感,所述第一电感串联连接有第一电容;和/或所述第二谐振单元串联连接有第二电感,所述第二电感并联连接有第二电容。本发明通过在第一谐振单元上并联连接第一电感,配合第一电感串联连接第一电容,和/或在第二谐振单元上串联第一电感,配合第二电感并联连接第二电容,可成倍的增加了第一谐振单元及第二谐振单元组合的FBAR滤波器的有效带宽,而且,还能与第一谐振单元及第二谐振单元组合形成的FBAR滤波器的性能一致。

    陶瓷压力传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN117191231B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202310574526.X

    申请日:2023-05-22

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌 蓝镇立

    Abstract: 本申请公开一种陶瓷压力传感器及其制造方法,属于电气元件技术领域。所述陶瓷压力传感器包括:陶瓷底座和膜片;所述陶瓷底座的正面设置有空腔,所述陶瓷底座的背面设置有通气腔,所述空腔和所述通气腔通过通气孔连通;所述通气腔的腔体表面覆盖有第一金属化层;所述膜片的其中一面设置有应变电路,所述陶瓷底座的正面与所述膜片设置有应变电路的一面粘合连接。通过本申请提供的陶瓷压力传感器,通用性较高,且能够被封装为多种压力类型的压力传感器,应用场景更加广泛。

    PbS薄膜的敏化方法、红外光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112310242B

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202010515219.0

    申请日:2020-06-08

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌 孙景 潘安练

    Abstract: 本发明涉及一种新的用于PbS薄膜的敏化方法,该方法是对PbS薄膜进行紫外臭氧处理实现PbS薄膜的敏化。本发明还涉及一种基于PbS薄膜的红外光电探测器及制备方法,所述探测器包括导电玻璃或硅片衬底层、p型半导体层、n型半导体层、缓冲层和电极层;所述p型半导体层为经过紫外臭氧敏化处理的PbS薄膜;所述n型半导体层为富勒烯C60或其衍生物。本发明采用UVO敏化处理,敏化温度低,耗能少、操作简单、敏化效果显著。此外,本发明为一种具有二极管结构的可室温工作的高灵敏红外光电探测器,其比探测率明显优于传统光敏电阻式探测器。

    一种氮化铝薄膜及其制备方法和薄膜体声波滤波器

    公开(公告)号:CN114094976B

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202210076682.9

    申请日:2022-01-24

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌 陈功田 孙景

    Abstract: 本发明提供了一种氮化铝薄膜,所述氮化铝薄膜中掺杂有锗和钪;所述氮化铝薄膜的机电耦合系数为7.8%‑8.7%;所述氮化铝薄膜的晶面取向为(002);所述氮化铝薄膜的制备方法包括如下步骤:S1于惰性气体下向Si表面溅射沉积Mo过渡层得到基底;S2在包括氮气和氩气的混合气体环境下,采用铝靶、钪靶和锗靶同时向所述基底表面溅射沉积氮化铝。本发明还提供了一种薄膜体声波滤波器。本发明提供的掺杂钪和锗的氮化铝薄膜,其在较低的钪掺杂量的情况下仍具有较高机电耦合系数。本发明提供的氮化铝薄膜的机电耦合系数高达8.7%。

    一种紫外光的光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109950398B

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN201910059648.9

    申请日:2019-01-22

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 杨斌 张浩 张子寒

    Abstract: 本发明涉及光电探测器领域,特别是涉及一种可探测紫外光的光电探测器及其制备方法。所述光电探测器的结构为:导电基材/PEDOT:PSS层/PVK层/量子点:PMMA层/PCBM层/C60层/BCP层/Al层。其先通过设计结构,然后逐层叠加的方式制得无需带通滤波器的紫外光电探测器;这种探测器在反向偏压为‑7V时,对320‑380nm波段紫外光的探测度达1011Jones,线性动态范围为60dB,探测器响应速度为1163μs。

    全无机卤素钙钛矿单晶X射线探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111816719A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN202010797170.2

    申请日:2020-08-10

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种全无机卤素钙钛矿单晶X射线探测器,其包括钙钛矿单晶以及位于钙钛矿单晶两侧相对设置的电极,所述钙钛矿单晶的分子式为Cs(1-x)RbxPb(Br(1-y)Iy)3,其中0≤x≤0.1,0≤y≤0.3。相比较现有技术,本发明的全无机卤素钙钛矿单晶的制备过程更简单、成本也更低。相比较于多晶钙钛矿薄膜,本发明使用的钙钛矿单晶具有载流子迁移率更高、载流子寿命更长、稳定性更好等优势,因而使X射线探测器性能更优。

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