公开(公告)号：CN103342466A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310262140.1

申请日：2013-06-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  宋俊 ,  刘涛涌 ,  袁昌来

IPC: C03C10/02

Abstract: 本发明涉及一种铌酸锶钡基微晶玻璃电介质材料及其制备方法，其制备方法为：以SrCO3、BaCO3、Nb2O5、H3BO3为起始原料，按照aSrO·bBaO·cNb2O5·dB2O3摩尔比配料，经球磨混料8h后烘干，在1300℃熔化保温30min，再经快速冷却、退火得到无气孔的均匀玻璃，在一定温度下进行可控晶化得到微晶玻璃电介质材料。由该方法得到的微晶玻璃电介质的相对介电常数在21-143范围内可调，直流击穿场强最高达1300kV/cm，储能密度最高可达5.71J/cm3。

公开(公告)号：CN103274684A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310235066.4

申请日：2013-06-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  陈国华 ,  杨云 ,  周秀娟 ,  周昌荣

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可中低温烧结高介电微波介质陶瓷及其制备方法，该陶瓷材料主要成分为(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3与铋基化合物Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂中的任何一种复合形成的复合陶瓷材料。实现方法为先合成(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3粉体和Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂，把(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3与Bi4B2O9、Bi2W2O9、Bi2MoO6助烧剂中的任何一种混合球磨，然后把含有助烧剂的混合粉体压制成圆柱状坯体，在900~1050℃保温4小时进行预烧，即可得到含有助烧剂的(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Sm0.5)1-xTiO3可中低温烧结高介电微波介质陶瓷。该陶瓷材料介电常数较高、谐振温度系数较小、损耗适中，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr>95，谐振温度系数绝对值 1500GHz，最佳烧结温度低于1050℃并可实现900℃的最佳烧结。整个微波介质陶瓷制备工艺相对简单、稳定，易于实现。

公开(公告)号：CN103172370A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310081345.X

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  成钧 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102249659B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201110162432.9

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  岑侦勇 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高居里温度铁酸铋基无铅压电陶瓷及其制备方法，它的组成通式为：（1-x-y）(Bi1-zMz)t(FeuM′1-u)O3–xBaTiO3–yBiMnO3，式中M为大离子半径的三价金属元素，M′为小离子半径的三价金属元素，x、y、u、t、z表示陶瓷体系中摩尔含量，其中0

公开(公告)号：CN102674828A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210150687.8

申请日：2012-05-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  侯美珍 ,  包燕

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低介电损耗温度稳定型微波介电陶瓷材料及其制备方法，将纯度大于99%的Li2CO3、TiO2、ZnO和Nb2O5的原始粉末按照化学式Li2Ti1-x(Zn1/3Nb2/3)xO3，其中0≤x≤0.5配料；湿式球磨混合12～24h，溶剂为无水乙醇，烘干后在800～900℃空气气氛中预烧2h，然后在预烧粉末中添加5%聚乙烯醇水溶液，混合、烘干，过100目筛造粒后，在100MPa下压成圆柱状样品，于600℃排胶2～3h，最后在1150～1300℃空气气氛中烧结3h而成。本发明微波介电陶瓷介电常数εr=16.8～20.5，品质因数Q×f=17571～75257GHz和小的谐振频率温度系数τf，可广泛用于谐振器、滤波器、介质天线等微波器件。

公开(公告)号：CN102260044A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110112607.5

申请日：2011-04-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  张文俊 ,  刘心宇

IPC: C03C10/02

Abstract: 本发明涉及一种储能铌酸盐微晶玻璃电介质材料及其制备方法，其制备方法是以BaCO3、SrCO3、Na2CO3、Nb2O5、SiO2、B2O3、TiO2、BaF2为起始原料，按照aNa2O.bSrO.cBaO.dNb2O5.eSiO2.fB2O3.gXY2(X＝Ti，Ba；Y＝O，F)的比例配料，经球磨混料6h后烘干，在1530-1550℃高温熔化2-3h，再经快速冷却、退火得到高致密度的均匀玻璃，在一定温度下进行可控晶化得到微晶玻璃电介质材料。由该方法得到的微晶玻璃电介质的相对介电常数在30-100范围内可调，直流击穿场强最高达1500kV/cm。

公开(公告)号：CN102005273A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010297410.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘心宇 ,  马家峰 ,  周昌荣 ,  陈国华

IPC: H01C7/04 ,  H01C17/065

Abstract: 本发明公开了一种高性能无铅负温度系数热敏厚膜及其制备方法，主要复合成分有两种组合方式：无机相Ⅰ组合方式为：(1-t)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+tBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3，0.4≤t≤0.95(t为摩尔比率)；无机相Ⅱ组合方式为：(1-m-l)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+mBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3+l/2Ag2O，0.3≤m≤0.65，0.05≤l≤0.3，m、l为摩尔比率，将上述复合成分与有机载体按质量比75∶25混合均匀，形成厚膜电阻浆料。将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在750～850℃下烧结，保温40～80分钟即可得到无铅负温度系数热敏厚膜。本发明制备工艺简单，成膜温度低，膜厚度在10～100μm内，热敏常数值介于2500～5500K之间，室温电阻率处于150Ω·cm～10MΩ·cm范围内，耐老化时间超过800小时。

公开(公告)号：CN101913868A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010247474.8

申请日：2010-08-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  邓满姣 ,  刘心宇 ,  陈国华 ,  徐华蕊 ,  刘超英

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C30B29/30

Abstract: 本发明的目的是提供一种铌酸钾钠织构陶瓷与铌酸钾钠单晶的制备方法，它以K0.5Na0.5NbO3为主体材料，LiBiO3或BiNiO3作为掺杂原料组成；以无水乙醇为介质湿磨，烘干后合成瓷料；瓷料经二次球磨，烘干后加粘结剂造粒，在110MPa的压力下压制成素坯试样，将素坯试样水平放置于高温电炉中烧结，烧结后，随炉冷却至室温，即制得KNN基陶瓷，控制烧结温度和烧结时间，还可获得尺寸达到2mm以上的单晶。采用传统的陶瓷制备工艺，在常规条件制备出具有良好择优取向的KNN陶瓷，如果控制烧结温度和时间还可以获得尺寸达到2mm以上的单晶。

公开(公告)号：CN100363299C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200610022007.9

申请日：2006-09-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  刘心宇

IPC: C04B35/195 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明将公开一种新型低烧玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，该复合材料的成分包括氮化铝和堇青石基玻璃，两者的重量比例为35～57∶65～43；所述堇青石基玻璃包括下述以重量百分比计的成分：SiO250～53%，Al2O320～26%，MgO 15～23%，B2O31.5～5%，P2O50～2.5%，1～6.5%RxOy；其中所述RxOy中的R为Bi、Ce和Zn中的之一；x＝1～2；y＝1～3。本发明用于先进电子封装的氮化铝/堇青石基玻璃陶瓷复合材料的相对密度达97.2%以上，热导率最高可达7.5W/m.K，热膨胀系数为3.2～3.8×10-6K-1，抗折强度不低于168MPa，断裂韧性不低于2.38MPa.m1/2，介电常数比现有报道的材料低，有利于提高信号的传输速度，且其还具有较高的室温热导率，热膨胀系数与硅匹配，力学性能也大大提高。

公开(公告)号：CN1935739A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610022007.9

申请日：2006-09-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  刘心宇

IPC: C04B35/195 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明将公开一种新型低烧玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，该复合材料的成份包括氮化铝和堇青石基玻璃，两者的重量比例为35～57∶65～43；所述堇青石基玻璃包括下述以重量百分比计的成份：SiO250～53％，Al2O320～26％，MgO 15～23％，B2O31.5～5％，P2O50～2.5％，1～6.5％RxOy；其中所述RxOy中的R为Bi、Ce和Zn中的之一；x＝1～2；y＝1～3。本发明用于先进电子封装的氮化铝/堇青石基玻璃陶瓷复合材料的相对密度达97.2％以上，热导率最高可达7.5W/m.K，热膨胀系数为3.2～3.8×10－6K－1，抗折强度不低于168MPa，断裂韧性不低于2.38MPa.m1/2，介电常数比现有报道的材料低，有利于提高信号的传输速度，且其还具有较高的室温热导率，热膨胀系数与硅匹配，力学性能也大大提高。