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公开(公告)号：CN103553338B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310473495.5
申请日：2013-10-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03C10/02
Abstract: 本发明涉及一种高储能的硼酸盐微晶玻璃介质材料及其制备方法，其制备方法是以SrCO3、BaCO3、Nb2O5、H3BO3为主要起始原料，掺杂不同含量SrF2和Gd2O3，按照设定的组成配料，配合料经湿法球磨混匀、烘干，然后在1350℃熔化保温30-60min熔化成均匀的玻璃液，再经快速成型、退火得到高致密度、无气孔的均匀基础玻璃，然后基础玻璃在一定温度下晶化热处理得到微晶玻璃电介质材料。由该方法制备微晶玻璃材料的介电常数30-136可调，直流击穿强度879-1210kV/cm可调，储能密度最高达6.94J/cm3，可用于各种高储能密度及超高压电容器的制造。
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公开(公告)号：CN103342466B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310262140.1
申请日：2013-06-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03C10/02
Abstract: 本发明涉及一种铌酸锶钡基微晶玻璃电介质材料及其制备方法，其制备方法为：以SrCO3、BaCO3、Nb2O5、H3BO3为起始原料，按照aSrO·bBaO·cNb2O5·dB2O3摩尔比配料，经球磨混料8h后烘干，在1300℃熔化保温30min，再经快速冷却、退火得到无气孔的均匀玻璃，在一定温度下进行可控晶化得到微晶玻璃电介质材料。由该方法得到的微晶玻璃电介质的相对介电常数在21-143范围内可调，直流击穿场强最高达1300kV/cm，储能密度最高可达5.71J/cm3。
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公开(公告)号：CN103553338A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310473495.5
申请日：2013-10-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03C10/02
Abstract: 本发明涉及一种高储能的硼酸盐微晶玻璃介质材料及其制备方法，其制备方法是以SrCO3、BaCO3、Nb2O5、H3BO3为主要起始原料，掺杂不同含量SrF2和Gd2O3，按照设定的组成配料，配合料经湿法球磨混匀、烘干，然后在1350℃熔化保温30-60min熔化成均匀的玻璃液，再经快速成型、退火得到高致密度、无气孔的均匀基础玻璃，然后基础玻璃在一定温度下晶化热处理得到微晶玻璃电介质材料。由该方法制备微晶玻璃材料的介电常数30-136可调，直流击穿强度879-1210kV/cm可调，储能密度最高达6.94J/cm3，可用于各种高储能密度及超高压电容器的制造。
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公开(公告)号：CN103342466A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310262140.1
申请日：2013-06-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03C10/02
Abstract: 本发明涉及一种铌酸锶钡基微晶玻璃电介质材料及其制备方法，其制备方法为：以SrCO3、BaCO3、Nb2O5、H3BO3为起始原料，按照aSrO·bBaO·cNb2O5·dB2O3摩尔比配料，经球磨混料8h后烘干，在1300℃熔化保温30min，再经快速冷却、退火得到无气孔的均匀玻璃，在一定温度下进行可控晶化得到微晶玻璃电介质材料。由该方法得到的微晶玻璃电介质的相对介电常数在21-143范围内可调，直流击穿场强最高达1300kV/cm，储能密度最高可达5.71J/cm3。
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