公开(公告)号：CN1983586A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610137422.9

申请日：2006-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  大沼英人 ,  桑原秀明

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1244 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/528 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3276 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种包括具有高驱动性能和可靠性的电路的半导体装置及其制造方法。本发明的一个目的是在不增加步骤数的情况下防止断裂或不良接触，从而形成具有高驱动性能和可靠性的集成电路。本发明将各自设有衍射光栅图案或由具有光强减小功能的半透明膜形成的辅助图案的光掩模或光罩应用于在引线的重叠部分中形成引线的光刻步骤。并且形成用作两层结构的下引线的导电膜，然后，形成抗蚀剂图案以形成下引线的第一层和窄于第一层的第二层来减缓陡直阶梯。

公开(公告)号：CN1893117A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610095663.1

申请日：2006-06-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  物江滋春

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件以及其制造方法，其中以自对准方式形成具有不同宽度的LDD区域，并且根据每个电路精密地控制该LDD区域的宽度。通过使用提供有由衍射光栅图案或半透明膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模，可以自由设定栅极的厚度薄的区域的宽度，并可以根据每个电路将该栅极作为掩模以自对准方式形成的两个LDD区域的宽度有差异地设定。此外，在一个TFT中的具有不同宽度的两个LDD区域都与栅极重叠。

公开(公告)号：CN1866540A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610084061.6

申请日：2006-05-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  永井雅晴 ,  纳光明 ,  坂仓真之 ,  小森茂树 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78645

Abstract: 本发明的一个目的在于，在有限的面积中形成多个元件，以便减少由用于集成的元件占用的面积，使得可在诸如液晶显示设备和含有EL元件的发光设备的半导体设备中推动更高的分辨率(增加像素数量)、以小型化来减少每一显示像素的节距以及驱动像素部分的驱动电路的集成。对光刻过程应用配备有由衍射光栅图案或半透明薄膜构成并具有降低光强度的功能的辅助图案的光掩膜或标线，用于形成栅电极以便形成复杂栅电极。此外，可通过仅仅改变掩膜而无需增加处理的次数在同一衬底上形成具有上述多栅结构的顶栅TFT和具有单栅结构的顶栅TFT。

公开(公告)号：CN1797739A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510128580.3

申请日：2005-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本悟 ,  藤井照幸 ,  大沼英人 ,  石塚章广

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/13629 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明的目标是提供包含具有优选形状的布线的半导体器件。在制造方法中，包含步骤：形成连接到元件的第一导电层并在该导电层上形成第二导电层；在该第二导电层上形成抗蚀剂掩模；使用该掩模进行干法蚀刻处理该第二导电层；并使用剩下的掩模进行湿法蚀刻来处理该第一导电层，其中在该干法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率高于第一导电层的蚀刻速率，且其中在该湿法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率等于或高于第一导电层的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN1516211A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310114800.8

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  根本幸惠

IPC: H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/3044

Abstract: 本发明的目的是提供根据能够提高生产率的工艺利用廉价的大尺寸基板来形成场致发射显示装置的场致发射器件的技术。根据本发明的场致发射器件包括阴极电极和凸起的电子发射部分，该阴极电极形成在基板的绝缘表面上，该凸起的电子发射部分形成在阴极电极的表面处，并且该阴极电极和电子发射部分包括相同的半导体薄膜。该电子发射部分具有圆锥形状或晶须形状。

公开(公告)号：CN1129955C

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN98107732.3

申请日：1998-02-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  大沼英人

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765

Abstract: 采用其中利用镍使非晶硅膜结晶化的结晶性硅膜，获得特性稳定的TFT。利用掩膜109在111、112区域加速注入磷离子。通过施加加热处理，使113区域存在的镍向111、112区域吸杂。之后，对掩膜109侧腐蚀，获得115的图形。利用此图形115除去111、112的区域，再对113的区域制图。这样获得除去镍元素的116区域。再以此116区域作为有源层制备TFT。

公开(公告)号：CN1450594A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03110587.4

申请日：2003-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 仲泽美佐子 ,  一条充弘 ,  浜谷敏次 ,  大沼英人 ,  牧田直树

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18％或更高。

公开(公告)号：CN1085887C

公开(公告)日：2002-05-29

申请号：CN96110920.3

申请日：1994-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  大沼英人 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/06

Abstract: 将图形转移到经退火而结晶的硅膜上之后，经强射线短时间辐照使硅膜退火。具体地讲，在退火结晶工艺中，将促进结晶化的元素如镍掺入其内。用强射线辐照也使退火未结晶的区结晶，形成致密的硅膜。在掺入促进结晶化的金属元素之后，在含卤化物的气氛中对退火而结晶的硅膜进行强射线辐照，完成光的短时间辐照。在卤化气氛中经强射线辐照或加热使硅膜表面氧化，在硅膜上形成氧化膜，然后腐蚀掉氧化膜，结果去掉硅膜中的镍。

公开(公告)号：CN1223465A

公开(公告)日：1999-07-21

申请号：CN98108911.9

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  张宏勇 ,  菅原彰 ,  铃木敦则 ,  上原由起子 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 一种在绝缘衬底上形成的TFT,具有源、漏和沟道区,至少在沟道区上形成栅绝缘膜,并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区,以降低截止电流。形成这种结构的方法包括:阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜;用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜,使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后,进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。