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公开(公告)号：CN104790033A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510158938.0
申请日：2015-04-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法，包括如下步骤：1)选取ZnO单晶作为生长衬底；选取极性面是Zn极性面作为生长衬底；2)对衬底进行预处理；3)进行ZnO薄膜的低温生长；衬底表面温度400℃–500℃，采用二甲基锌和叔丁醇分别作锌源和氧源，高纯氮气作载气和稀释气，DMZn和t-BuOH的流速分别为10-40SCCM和100-400SCCM，生长过程中，反应腔压力为15–30kPa；生长时间决定膜的厚度，一般生长时间为15–60min；4)对生长的ZnO薄膜进行适当的原位热处理。
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公开(公告)号：CN104617200A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410624667.9
申请日：2014-11-07
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 一种微纳米GaN衬底的方法，通过光助法即紫外光照射的条件下腐蚀溶剂腐蚀GaN衬底，形成具有非极性/半极性面的微纳米结构的GaN模板；微纳米结构为六棱锥或者六棱柱；腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合溶液，即NaOH或KOH、摩尔浓度范围为0.5-1.5M与K2S2O8的混和物、摩尔浓度范围为0.05-0.15M，在室温或50℃以下的温度，反应时间为0.5-10小时；得到微纳米GaN六棱锥衬底。
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公开(公告)号：CN102465333B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201010549729.6
申请日：2010-11-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种立式氢化物气相外延生长系统，包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区内，反应腔体为立式结构，多片外延生长衬底设置在石墨支托上方或倒置在石墨支托下方，尾气出口位于反应腔体下部，其中反应腔体为轴向套管结构，由腔体管和气体导管套接组成，气体导管位于腔体管的入口部份，气体导管的入口部分内部为多路分隔气路结构，多路分隔气路轴向均匀分布，用于将反应气体送至生长区的外延生长衬底处，气体导管的外导管壁延伸超过石墨支托的位置。本发明可以有效的防止预反应和反应尾气造成的沉积、堵塞，提高HVPE系统的持续生长时间，获得目前无法自然不存在、常规方法无法生长的GaN体单晶材料。
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公开(公告)号：CN103383980A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310256681.3
申请日：2013-06-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法，在氮化镓衬底上生长介质薄膜，利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱（孔）结构，通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构，并利用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀得到直径不同的氮化镓有序纳米柱（孔）阵列。在氮化镓衬底上生长包括SiO2、SiNx的一层介质薄膜，将PMMA和紫外固化胶依次旋涂在衬底样品表面;利用紫外软压印技术在紫外固化胶上形成大面积、低缺陷的有序纳米孔（柱）阵列结构，接着利用反应离子刻蚀技术刻蚀残余胶和PMMA，随后蒸镀金属薄膜剥离得到金属纳米柱（孔）阵列结构。反应离子刻蚀方法刻蚀介质薄膜层结构，得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构。
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公开(公告)号：CN102465335A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010549563.8
申请日：2010-11-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置，包括射频加热器和石墨套筒，石墨套筒设置在射频加热器的感应加热线圈中，石墨套筒的内壁和外壁包覆有导热非易燃绝缘层，并置于惰性气体环境中。本发明采用射频加热石墨套筒的方式，可以快速升降温，具有节能，使用寿命长，无需维修等优点。由于感应线圈可以做大直径，因而可以加热大尺寸的石墨套筒来实现大面积反应腔体的快速加热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102420277A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110360361.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO2或SiNx介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚物涂刷至介质薄膜表面，清洗PMMA后获得PS纳米柱图形，采用等离子体刻蚀将PS纳米柱图形转移至介质薄膜层上；将纳米柱图形制备如下参数：面密度达到0.8～1.0×1011cm-2；2)采用反应离子刻蚀将纳米柱点阵图形转移至SiNx或SiO2介质薄膜层，去掉聚苯乙烯获得可供MOCVD二次生长GaN纳米点结构的模板；3)GaN基量子点结构生长，GaN量子点结构发射强烈的蓝紫光，用于制作高效率发光二极管(LED)和激光器(LD)光电子器件中有源层结构。
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公开(公告)号：CN1900745B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200610088286.9
申请日：2006-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/08 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L51/00 , H01S5/125 , H01S5/187
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构：从基底到上部的结构为，5-50nm厚的低温LT-GaN、50-2000nm厚的高温HT-GaN和或加入一层厚度为5-100nm的高温HT-AlN；最后为10-50周期的15-80nm高温AlN/15-100nm高温AlxGal-xN，其中Al组分x≥0.3。对反射波长小于360nm的紫外射线的DBR结构；该结构包括：5-50nm厚的低温LT-GaN/50-2000nm厚的高温HT-GaN/和或包括加入一层厚度为5-100nm的高温HT-AlN/最后为10-50周期的15-80nm高温AlN/15-100nm高温AlxGal-xN结构。
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公开(公告)号：CN101431017B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810235279.6
申请日：2008-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 改善蓝宝石衬底上GaN厚膜完整性的方法，采用HVPE工艺，包括下述步骤：1)采用的衬底是蓝宝石或Si；2)将上述衬底经过清洗、吹干后，放入HVPE生长系统中，先生长低温GaN缓冲层，缓冲层生长温度550-750℃，生长时间30-300s；3)将生长温度升高至850-950℃，在该温度下进行GaN生长，时间30-300s；4)维持步骤3生长条件开始升温生长，直到生长温度提升至1050-1100℃，继续进行GaN的HVPE生长，直到得到所需厚度的GaN薄膜；5)生长完成后缓慢降温至室温，降温速率不高于10℃/分钟。
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公开(公告)号：CN100591801C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200710133452.7
申请日：2007-09-30
IPC: C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 本发明将导入原料气的二至四支喷管密封固定在真空沉积腔上方导入沉积腔，反应气体或与载气由气源导入喷管，喷管的喷口出口处附近设置一金属热丝，在喷管外壁设有由可产生等离子体的电源驱动的电感线圈，沉积腔内设生长薄膜的衬底平台，沉积腔的下部或下侧部设有抽真空出口管。本发明制备薄膜材料装置具有成膜质量高、沉积速率快、生长温度低，气体利用率高等优点。
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公开(公告)号：CN100533665C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710191199.0
申请日：2007-12-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/20
Abstract: InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200-1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9%)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
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