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公开(公告)号：CN117293659A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311251556.3
申请日：2023-09-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种连续介质相干阵边发射半导体激光器及制备方法，包括：导电衬底、形成于导电衬底上表面的外延层以及位于外延层两侧的后端光学介质波导区和前端光学介质波导区；外延层的上表面设置有一维阵列脊波导区；后端光学介质波导区上刻蚀得到后端相位光栅层，前端光学介质波导区上刻蚀得到前端相位光栅层；一维阵列脊波导区的上表面设置P面电极，导电衬底的下表面设置N面电极，后端相位光栅层的端面设置高反膜，前端相位光栅层的端面设置增透膜。本发明的激光器无需外部光学元件对超模的选择便可实现同相模激射，并且光场在远场慢轴方向具有超窄发散角，大大提高了阵列半导体激光器与光纤的耦合效率。
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公开(公告)号：CN117293635A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311251576.0
申请日：2023-09-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种有源耦合腔相干阵激光器，包括：泵浦源、泵浦耦合系统、全反射层、第一相位调制层、连续激活介质、第二相位调制层和部分反射层，全反射层、第一相位调制层、连续激活介质、第二相位调制层和部分反射层构成有源耦合腔；泵浦源经泵浦耦合系统激发连续激活介质产生振荡光，振荡光在有源耦合腔往复振荡过程中依次被第一相位调制层、第二相位调制层进行相位调制，使得振荡光在连续激活介质中形成耦合相干阵振荡光，而后通过部分反射层输出相干阵激光。本发明只需一个激光模块即可迅速形成输出光完全紧密排布与孔径装填的相干阵激光，获得在远场衍射极限的单一主瓣的高功率激光输出，且系统简单紧凑，有利于功率扩展。
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公开(公告)号：CN116979348A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311098119.2
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种空心光束相干阵固体激光器，涉及激光器技术领域，其中，微结构薄片和微结构输出层采用键合方式连接；微结构薄片上形成有空心光场调制结构阵列，泵浦源用于出射泵浦光，泵浦源和光学耦合系统相对微结构薄片配合设置，使得泵浦光能够经光学耦合系统耦合至微结构薄片中，并由空心光场调制结构阵列形成空心光束阵列；空心光束阵列由微结构薄片进入微结构输出层，并在微结构输出层中形成相干耦合与注入锁相，输出空心光束相干阵激光。通过本发明的技术方案，能够得到高功率空心光束相干阵激光输出，且易于实现空心光束调控，适用范围广，可扩展性强，且结构简单、成本低、效率高。
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公开(公告)号：CN116594114A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310572409.X
申请日：2023-05-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B6/255
Abstract: 本发明公开了一种激光加热光纤熔融的拉锥方法，包括以下步骤：下位机实时监测加热区域的温度，并把监测到的所述温度生成相应的温度值，反馈给上位机；所述上位机根据所述下位机反馈的温度值的变化，调整拉锥平台拉锥速度。本发明还公开了一种实现激光加热光纤熔融的拉锥方法的拉锥系统，主要包括下位机和下位机，所述下位机用于实时监测加热区域的温度，并把监测到的所述温度生成相应的温度值，反馈给上位机，所述上位机用于根据所述下位机反馈的温度值的变化，调整拉锥平台拉锥速度。本发明具有提高了光纤分光比达到要求的比率和方便维修人员及时维修等优点。
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公开(公告)号：CN115716245A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211481164.1
申请日：2022-11-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种直喷式薄膜铌酸锂脊波导侧壁的抛光方法，用于解决薄膜铌酸锂脊波导侧壁倾角不陡直，抛光难，散射损耗大，磨料无法回收的问题。该系统包括旋转台、喷嘴、送料管、增压泵、磨料槽和磨料液。将磨料液采用直喷式的方法喷射到芯片脊波导的侧壁，旋转台可以灵活调整喷射角度以达到对侧壁陡直度的修正，磨料粉及抛光液直接喷射更容易进入到微纳缝隙结构中完成抛光提高侧壁光滑程度，减少了脊波导侧壁的散射损耗，磨料顺着旋转台回流到磨料槽中，并利用循环系统进行回收，可做到循环利用，解决了目前磨料只能一次使用造成的浪费。该方法也可以应用到具有同样微纳结构的其他脊波导或者加载条波导上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115329562A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210938412.4
申请日：2022-08-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于MATLAB的VCSEL阵列外腔锁相过程的动力学建模仿真方法，包括：设定VCSEL阵列的工作条件及结构参数；建立外腔反馈作用下VCSEL阵列单元动力学特性的数学模型；调用MATLAB内嵌ODE函数求解数学模型的动力学微分方程组，得到各变量随时间的发展过程。本发明能够得到不同工作条件和结构参数下阵列单元输出特性的变化规律，为实现VCSEL阵列的锁相提供了一定的理论依据。
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公开(公告)号：CN115128634A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210812844.0
申请日：2022-07-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01S17/894
Abstract: 本发明公开了一种多眼3D激光雷达成像探测方法及装置，包括：向目标发射激光，控制接收系统接收目标反射后的发射光，形成不同景深图像；根据不同景深图像生成点云数据，并基于卷积神经网络对点云数据进行特征提取，生成高分辨率三维图像；基于LDA主题模型对高分辨率三维图像进行目标检测，生成目标的高分辨率三维图像。本发明采用多CMOS的三维成像技术，多眼同时进行数据检测，减少了数据收集时间，提高了接收阶段的时效性，为高速目标清晰成像提供了基础。
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公开(公告)号：CN114300938B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202111655825.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种光子级联GaAs‑OI基片上微腔半导体激光器及制备方法，GaAs‑OI复合晶圆包括沿上下方向依次设置的掺镧系稀土离子单晶Si衬底、介质层和单晶GaAs薄膜层；GaAs‑OI复合晶圆的单晶GaAs薄膜层上生长有VCSEL激光器外延结构；GaAs‑OI复合晶圆的Si衬底下表面设有第一反射层，VCSEL激光器外延结构的上表面设有第二反射层。本发明利用半导体VCSEL激光器激射第一波长激光泵浦掺杂在GaAs‑OI复合晶圆结构单晶Si衬底层的镧系稀土离子，产生第二波长的激光；通过绝缘体上半导体结构易于进一步提高片上微腔激光器器件的集成度并抑制器件短沟道效应。
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公开(公告)号：CN112864795B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110114647.7
申请日：2021-01-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/0234 , H01S5/026 , H01S5/42 , H01S5/00
Abstract: 本发明公开了VCSEL相干阵列与MZI阵列片上集成的光芯片结构及制备方法，包括VCSEL相干阵列、MZI阵列和垂直耦合端口；MZI阵列包括集成在LNOI衬底上的光波导结构和电极结构，LNOI衬底由下到上依次包括支撑衬底层、掩埋绝缘体层、器件层和缓冲层，器件层制备有光波导结构，缓冲层制备有电极结构；LNOI衬底上开设深至支撑衬底层上表面的凹槽，垂直耦合端口置于凹槽内；垂直耦合端口包括依次连接的第一贴合段、倾斜段和第二贴合段，第一贴合段与光波导结构相连，第二贴合段下侧与支撑衬底层相接，倾斜段设有光栅耦合器；凹槽两侧的缓冲层上压焊集成有VCSEL相干阵列。本发明光芯片提高了系统的信息处理速率。
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公开(公告)号：CN115000808A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210580763.2
申请日：2022-05-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于增益导引的VCSEL相干阵列芯片，包括：VCSEL阵列单元和光子晶体；VCSEL阵列单元的有源层内部设有光子晶体，光子晶体的分布满足VCSEL阵列单元的发射光波长正好位于光子晶体的光子禁带之中；VCSEL阵列单元的通道位置处不设置光子晶体，以产生拓扑结构上的缺陷，造成此处折射率的差异。本发明利用光子晶体缺陷态，使激光发射单元的出射光沿着光子晶体的缺陷注入到相邻的激光发射单元的有源层内部，使其内部的粒子发生受激辐射，产生与原VCSEL单元相位相同的激光，由此实现整个阵列的相干。
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