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公开(公告)号：CN119093141A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411193327.5
申请日：2024-08-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种飞秒激光脉冲时间整形系统，包括：激光器和沿激光器的激光方向依次设置的偏振组件、偏振分束镜、1/4波片和第一半透半反镜；偏振组件，用于将激光器产生的初始飞秒激光脉冲转变为线偏振光；偏振分束镜，用于对入射至偏振分束镜的线偏振光高透、对与入射线偏振光振动方向垂直的线偏振光高反；偏振分束镜、1/4波片和第一半透半反镜构成时间整形装置，用于对飞秒激光进行时间整形；初始飞秒激光脉冲经过偏振组件的偏振调制和时间整形装置的时间整形处理，最终输出双脉冲序列。本发明的时间整形系统搭建简易且具有高损伤阈值，可解决时间整形系统的高功率加工以及光路限制，对飞秒激光应用领域具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118174116A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410311614.5
申请日：2024-03-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种波导光泵浦柔性薄膜固体激光器，其在固体薄膜激光介质的一侧依次设有第一导光层、全反层、第一低折射率薄膜和第一聚合物薄膜，另一侧依次设有第二导光层、部分反射层、第二低折射率薄膜和第二聚合物薄膜；第一低折射率薄膜、第一导光层、第二导光层、第二低折射率薄膜构成波导泵浦结构；全反层、第一导光层、固体薄膜激光介质、第二导光层和部分反射层构成薄膜固体激光谐振腔；泵浦光源发出泵浦光注入波导泵浦结构，基于两侧导光层与低折射率薄膜间的折射率差将泵浦光限制在波导泵浦结构中折返传输，被激光介质中的增益离子吸收从而产生振荡光；振荡光在薄膜固体激光谐振腔中往复振荡，并经由部分反射层输出相干阵激光。
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公开(公告)号：CN117293635A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311251576.0
申请日：2023-09-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种有源耦合腔相干阵激光器，包括：泵浦源、泵浦耦合系统、全反射层、第一相位调制层、连续激活介质、第二相位调制层和部分反射层，全反射层、第一相位调制层、连续激活介质、第二相位调制层和部分反射层构成有源耦合腔；泵浦源经泵浦耦合系统激发连续激活介质产生振荡光，振荡光在有源耦合腔往复振荡过程中依次被第一相位调制层、第二相位调制层进行相位调制，使得振荡光在连续激活介质中形成耦合相干阵振荡光，而后通过部分反射层输出相干阵激光。本发明只需一个激光模块即可迅速形成输出光完全紧密排布与孔径装填的相干阵激光，获得在远场衍射极限的单一主瓣的高功率激光输出，且系统简单紧凑，有利于功率扩展。
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公开(公告)号：CN116979348A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311098119.2
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种空心光束相干阵固体激光器，涉及激光器技术领域，其中，微结构薄片和微结构输出层采用键合方式连接；微结构薄片上形成有空心光场调制结构阵列，泵浦源用于出射泵浦光，泵浦源和光学耦合系统相对微结构薄片配合设置，使得泵浦光能够经光学耦合系统耦合至微结构薄片中，并由空心光场调制结构阵列形成空心光束阵列；空心光束阵列由微结构薄片进入微结构输出层，并在微结构输出层中形成相干耦合与注入锁相，输出空心光束相干阵激光。通过本发明的技术方案，能够得到高功率空心光束相干阵激光输出，且易于实现空心光束调控，适用范围广，可扩展性强，且结构简单、成本低、效率高。
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公开(公告)号：CN114300938B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202111655825.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种光子级联GaAs‑OI基片上微腔半导体激光器及制备方法，GaAs‑OI复合晶圆包括沿上下方向依次设置的掺镧系稀土离子单晶Si衬底、介质层和单晶GaAs薄膜层；GaAs‑OI复合晶圆的单晶GaAs薄膜层上生长有VCSEL激光器外延结构；GaAs‑OI复合晶圆的Si衬底下表面设有第一反射层，VCSEL激光器外延结构的上表面设有第二反射层。本发明利用半导体VCSEL激光器激射第一波长激光泵浦掺杂在GaAs‑OI复合晶圆结构单晶Si衬底层的镧系稀土离子，产生第二波长的激光；通过绝缘体上半导体结构易于进一步提高片上微腔激光器器件的集成度并抑制器件短沟道效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114300938A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111655825.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种光子级联GaAs‑OI基片上微腔半导体激光器及制备方法，GaAs‑OI复合晶圆包括沿上下方向依次设置的掺镧系稀土离子单晶Si衬底、介质层和单晶GaAs薄膜层；GaAs‑OI复合晶圆的单晶GaAs薄膜层上生长有VCSEL激光器外延结构；GaAs‑OI复合晶圆的Si衬底下表面设有第一反射层，VCSEL激光器外延结构的上表面设有第二反射层。本发明利用半导体VCSEL激光器激射第一波长激光泵浦掺杂在GaAs‑OI复合晶圆结构单晶Si衬底层的镧系稀土离子，产生第二波长的激光；通过绝缘体上半导体结构易于进一步提高片上微腔激光器器件的集成度并抑制器件短沟道效应。
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公开(公告)号：CN118136746A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410290860.7
申请日：2024-03-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种基于共振吸收层的GaN器件激光转移方法，属于半导体光电技术领域；该方法包括：在衬底晶圆上生长共振吸收层；所述共振吸收层为掺杂In调控带隙的InGaN层，形成三元InxGa1‑xN；在共振吸收层上生长GaN薄膜，形成外延晶圆；在外延晶圆上制作GaN器件，形成磨切晶圆；倒置磨切晶圆，并将目标衬底置于磨切晶圆正下方，飞秒激光辐照共振吸收层时产生共振吸收，从而释放冲击波实现GaN器件的转移；键合GaN器件与目标衬底。本发明能降低转移过程中对器件的损伤，简化转移步骤从而提高转移良率和效率。
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公开(公告)号：CN115189212A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210806592.0
申请日：2022-07-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种相干阵光纤激光器结构，包括沿光路方向依次设置的多个泵浦光源、光纤合束器、高反光栅、有源光纤、低反光栅、无源介质层、增透膜、模式选择层和反射层；高反光栅、有源光纤和低反光栅构成第一谐振腔，第一谐振腔、无源介质层、增透膜、模式选择层和反射层构成第二谐振腔。本发明的有源光纤吸收泵浦光并产生激光入射到无源介质层，通过无源介质层和模式选择层对输出激光进行模式选择和外腔反馈，得到高效注入锁定和同相模式输出，从而提高注入反馈和模式锁定能力，实现同相模式相干阵列光纤激光输出。
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公开(公告)号：CN101538059A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910082202.4
申请日：2009-04-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01F11/18
Abstract: 一种超结构文石碳酸钙晶体的制备方法属于无机材料技术领域。现有制备文石碳酸钙的方法存在制备工艺复杂，反应条件不易控制等问题。本发明通过向亲水性聚合物水溶液中依次加入水溶性钙盐和尿素搅拌溶解后，将所得混合溶液转移至密封容器中，并置于恒温烘箱中，于60℃～110℃恒温4～24h，恒温结束后将混合溶液进行固液分离，洗涤，得到超结构文石碳酸钙晶体。本发明具有制备工艺简单，条件易于控制等优点。
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公开(公告)号：CN117317812A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311251421.7
申请日：2023-09-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/42 , G02B26/08 , G02B26/10 , H01S5/0225 , H01S5/02253 , H01S5/02255
Abstract: 本发明公开了一种集扫描聚焦于一体的VCSEL激光芯片，包括：基板，VCSEL激光阵列具有M×N个发光单元且焊接在基板表面；M×N个MEMS微转镜位于VCSEL激光阵列的上方，且与发光单元一一对应；M×N个反射镜正对MEMS微转镜的出光面，且与MEMS微转镜一一对应；Talbot外腔镜位于MEMS微转镜和反射镜的上方，光栅贴合在Talbot外腔镜的上表面，实现第一维波长扫描；相控制聚焦镜组由M×N个聚焦透镜组成且位于光栅的上方，聚焦透镜与反射镜光轴一一对应，实现第二维相位扫描。本发明的VCSEL激光芯片可同时实现激光阵列合束聚焦扫描，增大了扫描精度和扫描范围，可满足不同场景应用的需求。
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