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公开(公告)号：CN102963859A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210451765.8
申请日：2012-11-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构，包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层；所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。该测试结构使用双材料梁作为敏感原件，测试单元优选按照阵列方式排列，以提高整个在线测试结果的可靠性。利用该结构制备MEMS器件的方法可与常用的牺牲层工艺兼容，可同时完成，实现工艺的在线监控。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率，并大大缩短工艺时间。
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公开(公告)号：CN102768283A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210256955.4
申请日：2012-07-23
Applicant: 北京大学人民医院
IPC: G01N33/68
Abstract: 本发明公开了一种检测或辅助检测髓系白血病细胞分化阶段的试剂盒。本发明提供了一种检测或辅助检测髓系白血病细胞分化阶段的试剂盒，包括用于检测VSTM1蛋白表达的装置和用于检测VSTM1蛋白表达试剂；所述VSTM1蛋白的氨基酸序列为序列表中的序列1。本发明的实验证明，本发明发现了VSTM1蛋白的表达与髓系细胞的分化有关，因此得到了一种检测急性髓系白血病髓系细胞分化阶段的试剂盒，利用该试剂盒检测VSTM1蛋白表达的表达量，从而判断出急性髓系白血病髓系细胞的不同分化阶段，更详细和及早的反应急性髓系白血病的分化过程，将在白血病的诊治中发挥重要作用。
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公开(公告)号：CN101922008B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010232641.1
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法，属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀，所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽，位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面，和位于腐蚀凹槽侧面的监控面，所述腐蚀面和监控面的晶向相同，所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液，腐蚀液浸没所述腐蚀面，所述监控面，以及所述监控面和所述表面相交的监控线，在腐蚀过程中或腐蚀过程后，通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。
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公开(公告)号：CN101540292B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910081512.4
申请日：2009-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66 , G01L1/06 , H01L29/772
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管侧墙的应力测试方法，属于场效应晶体管制备技术领域。该方法包括：在衬底上制备台阶，形成栅结构；在栅结构上制备氮化硅或氧化硅，各向异性刻蚀形成侧墙结构；定义释放区域，释放侧墙，形成纳米梁结构；利用纳米梁结构的材料杨氏模量、材料波松比和厚度，通过测得纳米梁的弯曲曲率半径、弯曲前的长度和弯曲后的长度，分别得到释放前纳米梁中轴应力和纳米梁释放前沿厚度方向的应力梯度，从而得到侧墙的应力。本发明解决了应变硅器件研究中侧墙结构应力无法测到的问题，有利于提高集成电路设计能力。
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公开(公告)号：CN101922008A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010232641.1
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法，属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀，所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽，位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面，和位于腐蚀凹槽侧面的监控面，所述腐蚀面和监控面的晶向相同，所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液，腐蚀液浸没所述腐蚀面，所述监控面，以及所述监控面和所述表面相交的监控线，在腐蚀过程中或腐蚀过程后，通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。
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公开(公告)号：CN101540292A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910081512.4
申请日：2009-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66 , G01L1/06 , H01L29/772
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管侧墙应力的测试方法，属于场效应晶体管制备技术领域。该方法包括：在衬底上制备台阶，形成栅结构；在栅结构上制备氮化硅或氧化硅，各向异性刻蚀形成侧墙结构；定义释放区域，释放侧墙，形成纳米梁结构；利用纳米梁结构的材料杨氏模量、材料波松比和厚度，通过测得纳米梁的弯曲曲率半径、弯曲前的长度和弯曲后的长度，分别得到释放前纳米梁中轴应力和纳米梁释放前沿厚度方向的应力梯度，从而得到侧墙的应力。本发明解决了应变硅器件研究中侧墙结构应力无法测到的问题，有利于提高集成电路设计能力。
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公开(公告)号：CN100447542C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200610083449.4
申请日：2006-05-31
Applicant: 北京大学
IPC: G01L1/04
Abstract: 本发明提供一种MEMS力学微探针及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域。该探针包括：探针体和衬底，探针体和衬底通过固定锚点固定连接，探针体包括：T型探针头、着力质量块、弹性梁及标尺结构，T型探针头与着力质量块通过弹性梁连接，形成探针可动结构，探针可动结构再通过一组弹性梁结构与固定锚点相连接，悬浮于衬底之上，标尺结构分为定尺、动尺I和动尺II三个部分，动尺I与T型探针头部相连，动尺II与着力质量块相连，定尺固定在衬底上。本发明利用弹性梁受力形变与所受外力成正比的原理，读出被测样品所受力的大小，具有读数简单、工艺易于实现的特点。
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公开(公告)号：CN100447467C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200510086322.3
申请日：2005-08-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种由微鳞片结构组成的微型阀，属于微流体控制输运领域。该微型阀包括微流道及连接于流道侧壁上的微型鳞片阵列结构，微鳞片彼此平行排布，并与流道侧壁成一定的倾角，顺着鳞片排布方向的流动为正向流动，反之为逆向流动。由于正向流动时鳞片对流体产生的阻力小，而逆向时鳞片对流体产生较大的阻力，因此正向与逆向产生流量差，结构实现了单向阀的功能。本发明利用MEMS微加工工艺或化学合成技术制备，可广泛应用于微流体芯片系统内的流体控制。
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公开(公告)号：CN1891617A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510012079.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种在感应耦合等离子体(ICP)刻蚀中保护刻蚀结构的方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法在感应耦合等离子体ICP干法刻蚀硅结构时，不将硅片刻蚀穿通，在硅结构上PECVD淀积氧化硅，各项同性刻蚀硅结构上表面的氧化硅，再ICP刻蚀剩余未穿通部分的硅，释放硅结构，使硅结构的侧壁形成保护层。本发明保证了刻蚀结构的完整性，使MEMS或NEMS器件具有实际提高工艺结果质量的作用。
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