公开(公告)号：CN118507426A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410414514.5

申请日：2024-04-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  郭睿 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/76 ,  H01L23/52 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的场区直接连接方法、堆叠晶体管及器件。其中，场区直接连接方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管；对第一晶体管进行倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管；在双扩散隔离区域内刻蚀第一晶体管和第二晶体管，以形成第一凹槽，双扩散隔离区域用于隔离相邻的两个堆叠晶体管；在第一凹槽内填充金属材料，以形成互连通孔结构，互连通孔结构用于连接第一晶体管的第一金属互连层与第二晶体管的第二金属互连层。

公开(公告)号：CN118486686A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410468077.5

申请日：2024-04-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/07 ,  H01L29/423 ,  H01L23/538

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：形成沿第一方向堆叠的第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；第一晶体管中的第一栅极结构在第二方向上的长度值为第一值；基于第二有源结构，形成第二晶体管；第二晶体管中的第二栅极结构在第二方向上的长度值为第二值；第一值与第二值不同，第一栅极结构的正投影和第二栅极结构的正投影形成一个重合区域和至少一个非重合区域；第一栅极结构和第二栅极结构之间设置有隔离层结构；在堆叠晶体管的第一区域内形成贯穿隔离层结构的栅极直连通孔；第一区域落入任意一个非重合区域内，且与重合区域相邻；在栅极直连通孔内形成栅极直连结构。

公开(公告)号：CN118352341A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410298110.4

申请日：2024-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  郭睿 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请提供一种跨层互连结构的制备方法、跨层互连结构及半导体器件。方法包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成一个或多个互连单元；其中，每一个互连单元通过依次执行以下步骤进行制备：在半导体衬底上依次沉积形成浅沟槽隔离结构和第一介质层；刻蚀第一介质层以形成第一凹槽，并在第一凹槽内沉积金属材料，形成第一金属结构；在第一金属结构上形成第一金属互连层；倒片并去除半导体衬底，以暴露浅沟槽隔离结构；在浅沟槽隔离结构上形成第二介质层；刻蚀第二介质层、浅沟槽隔离结构和第一介质层直至暴露第一金属结构，形成第二凹槽，并在第二凹槽内沉积金属材料，形成第二金属结构；在第二金属结构上形成第二金属互连层。

公开(公告)号：CN118352299A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410298364.6

申请日：2024-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/764 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管；其中，第一源漏结构的高度大于第一有源结构的高度，或，第二源漏结构的高度大于第二有源结构的高度；位于第一晶体管的第一栅极区域中的第一有源结构和位于第二晶体管的第二栅极区域中的第二有源结构之间具有中间隔离结构，中间隔离结构内部具有空气间隙，中间隔离结构用于隔离位于第一栅极区域中的第一有源结构和位于第二栅极区域中的第二有源结构。通过本申请，可以有效降低第一栅极结构和第二栅极结构之间的耦合效应。

公开(公告)号：CN118335691A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410434569.2

申请日：2024-04-11

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如 ,  卜伟海 ,  康劲

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法、版图。该制备方法包括：提供衬底；刻蚀衬底，形成间隔排布的多个有源结构；其中，每个有源结构包括依次堆叠的第一有源部、绝缘部和第二有源部；对多个有源结构中至少一个目标有源结构进行鳍切处理，直至去除目标有源结构的第一有源部和/或目标有源结构的第二有源部；基于保留的有源结构的第一有源部，形成第一晶体管；基于保留的有源结构的第二有源部，形成第二晶体管。

公开(公告)号：CN118315336A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410353312.4

申请日：2024-03-26

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卜伟海 ,  张丽杰 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成沿第一方向排布的第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；其中，第一晶体管包括：第一源漏结构、第一源漏金属和第一栅极结构；第一源漏金属与第一源漏结构连通；对第一晶体管进行倒片，并去除半导体衬底；基于第二有源结构，依次形成第二源漏结构、覆盖第二有源结构的第二层间介质层，以及与第二有源结构沿第二方向交替间隔排布的第二栅极结构；光刻第二层间介质层和第二栅极结构，直至分别形成源漏互连凹槽和栅极互连凹槽；在源漏互连凹槽内形成源漏互连结构以及在栅极互连凹槽内形成栅极互连结构，以形成第二晶体管。

公开(公告)号：CN118116932A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410178650.9

申请日：2024-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  黎明 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：沿第一方向依次堆叠的第一堆叠结构和第二堆叠结构，第一堆叠结构包括沿第二方向间隔排布的一对第一晶体管，第二堆叠结构包括沿第二方向间隔排布的一对第二晶体管，第二方向和第一方向垂直；第一介电壁和第一电源轨，位于一对第一晶体管之间；第二介电壁和第二电源轨，位于一对第二晶体管之间；其中，第一介电壁、第一电源轨、第二电源轨和第二介电壁沿第一方向依次堆叠；第一电介质层，位于第一电源轨和第一晶体管以及第一电源轨和第二电源轨之间；第二电介质层，位于第二电源轨和第二晶体管以及第一电介质层和第二电源轨之间。

公开(公告)号：CN117995780A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410146093.2

申请日：2024-02-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L23/528

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该制备方法包括提供衬底，衬底包括依次堆叠的第一衬底层、绝缘层和第二衬底层；基于第一衬底层，形成逻辑电路，逻辑电路位于绝缘层靠近第一衬底层的一侧；基于第二衬底层，形成硅光电路，硅光电路位于绝缘层靠近第二衬底层的一侧；形成至少贯穿衬底的连接结构，连接结构分别连接逻辑电路和硅光电路。

公开(公告)号：CN117995753A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410130550.9

申请日：2024-01-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  彭莞越 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。上述方法包括：在衬底上依次堆叠设置第一有源结构、隔离有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；在第一晶体管朝向第二有源结构的第一表面上沉积第一绝缘材料，以形成第一半导体材料层；在第二有源结构和第一半导体材料层上沉积第二绝缘材料，以形成第二半导体材料层；去除第二半导体材料层中覆盖第一半导体材料层的一部分，以暴露第一半导体材料层；去除第一半导体材料层，以暴露隔离有源结构；对隔离有源结构进行氧化处理，以形成隔离介质结构；去除第二半导体材料层中覆盖第二有源结构的一部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管。

公开(公告)号：CN117936462A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410177681.2

申请日：2024-02-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：提供一衬底；在顶部衬底的第一区域中沉积第一半导体材料，以形成相对设置的心轴结构；在心轴结构的内侧沉积第二半导体材料，以形成相对设置的侧墙结构；以心轴结构和侧墙结构为掩模，刻蚀衬底，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积介质材料，以形成介质叉板结构；去除心轴结构，并以侧墙结构和介质叉板结构为掩模，依次刻蚀顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底，以形成正面有源结构、第一中间牺牲层和背面有源结构；基于正面有源结构和背面有源结构，形成正面晶体管和背面晶体管。通过本申请，可以提高晶体管的集成密度。