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公开(公告)号：CN103280963B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310149510.0
申请日：2013-04-26
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02B70/126
Abstract: 本发明提供了一种降低功率管导通功耗的PFC控制电路，基于Boost升压电路的拓扑结构，包括电压环电路、功率管漏源电压VDS谷底导通控制电路和逻辑控制与驱动电路，电压环电路用于稳定输出和产生功率管的关断信号，功率管漏源电压VDS谷底导通控制电路用于检测功率管漏源VDS并与谷底电压进行比较，产生功率管的导通控制信号，逻辑控制与驱动电路用于驱动控制功率管的开通和关断。通过检测VDS的电压，确保在不同的输入电压情况下，功率管都能在其漏源电压VDS处于谷底电压或者零电压时开启，从而降低了功率管导通时的损耗。
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公开(公告)号：CN103367453B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310301709.0
申请日：2013-07-18
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型阱区及P型阱区，在N型阱区内设有N型缓冲区，在N型阱区上设有场氧化层，在N型缓冲区内设有N型漏区，在P型阱区内设有P型接触区和N型源区，在场氧化层下方设有由P型阱区单元构成的P型阱区阵列，所述P型阱区阵列位于N型缓冲区与P型阱区之间，P型阱区单元的宽度从N型缓冲区到P型阱区逐渐增大，本发明大大的增强了电平移位电路中超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管抗高压寄生效应影响的能力，可以极大的提高智能功率模块的性能。本发明还公开了超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制备方法。
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公开(公告)号：CN105070753A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510429008.4
申请日：2015-07-20
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/0611 , H01L29/0684 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/66666
Abstract: 一种纵向双向耐压功率半导体晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：N型漏极，其上设有N型外延层，N型外延层上设有第一P型体区，第一P型体区上设有N型缓冲层，N型缓冲层上设有重掺杂N型源极，在重掺杂N型源极表面连接有源极金属层，在N型外延层，第一P型体区，N型缓冲层及重掺杂N型源极内设有阶梯状沟槽，阶梯状沟槽第二部分位于阶梯状沟槽第一部分上方，在阶梯状沟槽第一部分的内表面设有栅氧化层，在栅氧化层内填充多晶硅并形成多晶硅栅极，在阶梯状沟槽第二部分内填充有第一氧化层，在N型缓冲层内设有第二P型体区。本发明结构制备方法保留传统沟槽金属氧化物半导体型场效应晶体管制备方法，容易实现，成本较低。
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公开(公告)号：CN103560668B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310560994.8
申请日：2013-11-12
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/157
Abstract: 一种单电感双输出变换器中实现次级开关100%占空比输出的方法，主环采用峰值电流环模式，次环采用电压环模式，次环中包括误差放大器、比较器及驱动和死区控制电路，变换器两路输出电压的差模信号输入到次环误差放大器的反相输入端，次环误差放大器的同相输入端连接参考电压值VREF2，次环误差放大器的输出电压VC连接次环比较器的反相输入端，次环比较器的同相输入端连接斜坡电压Vramp，通过次环误差放大器的输出电压值与斜坡电压Vramp经过次环比较器比较，输出次级占空比信号，经过驱动和死区控制电路来控制次级开关的导通和关断，由此控制电感电流在变换器两路输出上的分配，其特征在于：在次环比较器的同相输入端原有斜坡电压信号Vramp上叠加直流电压VREF0，实现次级开关100%占空比输出。
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公开(公告)号：CN104917412A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510420397.4
申请日：2015-07-17
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H02M1/42 , H02M3/335 , Y02B70/126
Abstract: 一种单级功率因数校正的移相全桥拓扑电路，包括输入储能电容、输入整流电路、全桥臂电路、隔直电容、变压器和输出整流滤波电路，其特征在于：增设输入电感L和包括续流开关管和续流二极管构成的续流电路，续流电路和输入电感L并联，并联后的一端连接输入整流电路的输出端，另一端连接全桥臂电路，并且复用全桥臂电路中超前桥臂的下开关管作为boost电路中的开关管实现整流，与输入电感L共同实现单级功率因数校正。本发明将具有功率因数校正功能和移相全桥拓扑结构的两级电路用一级电路实现，大大提高了带有PFC功能全桥电路的功率密度，而且其结构简单，成本低，可靠性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103236834B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310080254.4
申请日：2013-03-13
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明公开了一种浮栅驱动芯片中抑制高侧浮动电源低电平负过冲的电路，浮栅驱动芯片中设有高侧通道、低侧通道，高、低侧通道中均分别设有逻辑电路和驱动电路，其特征在于，将常规的高侧通道中的驱动电路加以改进，并且在改进后的高侧通道中的驱动电路与高侧浮动电源低电平VS之间增设电流检测与控制电路，改进后的高侧通道中的驱动电路的一个输入端连接逻辑电路的输出端，电流检测与控制电路的输出端与改进后的高侧通道中的驱动电路的另一输入端连接，改进后的高侧通道中的驱动电路的输出端连接浮栅驱动芯片的高侧输出引脚。
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公开(公告)号：CN103105571B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310025968.5
申请日：2013-01-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法，包括以下步骤：步骤10）获取绝缘栅双极型晶体管的测试导通特性和测试输出特性；步骤20）建立仿真程序内部集成模型的仿真电路；步骤30）建立实际集电极电压与修正集电极电压的对应关系；步骤40）得到实际集电极电压与修正集电极电压的修正系数；步骤50）仿真建立一次修正的实际导通特性；步骤60）建立实际栅极电压与修正栅极电压的对应关系；步骤70）得到实际栅极电压与修正栅极电压的修正系数；步骤80）仿真建立二次修正的实际输出特性。该方法可以解决注重集成电路仿真程序PSPICE内部集成的绝缘栅双极型晶体管模型的电流特性精确度不高的问题。
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公开(公告)号：CN104578341A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410835281.2
申请日：2014-12-29
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H02J7/022 , H02J2007/10
Abstract: 一种基于移相全桥电路死区时间可调的车载充电机，包括依次连接的三相整流电路、输入滤波电路、移相全桥电路及STM32单片机，增设输出电压电流检测电路、死区动态调整电路和四个结构相同的栅驱动推挽放大电路，STM32单片机根据输出电压电流检测电路的采样值，由定时器产生四路PWM驱动信号连接至死区动态调整电路的四个输入端，死区动态调整电路输出四路带有死区时间的PWM信号分别连接至四个栅驱动推挽放大电路的输入端，四个栅驱动推挽放大电路的输出端分别控制移相全桥电路中四个开关管Q1、Q2、Q3、Q4的栅极，实现了移相全桥电路死区时间的动态调节和较大的功率输出，极大的提高了充电机的工作效率。
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公开(公告)号：CN103529897B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310535118.X
申请日：2013-11-01
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种高电源抑制比的纯MOS结构电压基准源，包括启动电路、IPTAT产生电路、VPTAT产生电路、VGS产生电路和PSRR增强反馈电路；启动电路连接至IPTAT产生电路，IPTAT产生电路的输出分别连接VPTAT产生电路和VGS产生电路，VPTAT产生电路的输出与VGS产生电路的输出叠加形成Vref基准电压输出，该输出基准电压通过PSRR增强反馈电路反馈给IPTAT产生电路，形成闭合的反馈环路。
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公开(公告)号：CN102956636B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201210343012.5
申请日：2012-09-14
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L27/0623 , H01L27/1203 , H01L29/0638 , H01L29/404
Abstract: 一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型外延层，在N型外延层内部设有N型缓冲阱区、P型体区和N型中心缓冲阱区，在N型缓冲阱区内设有P型漏区，在P型体区中设有N型源区和P型体接触区，在N型中心缓冲阱区内设有N型基区和P型发射区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，晶体管表面一定范围内还设有钝化层和金属层，其特征在于，晶体管为对称型结构，P型漏区上的漏极金属分别与对应的N型基区上的基极金属通过金属层连通，并从P型发射区输出，这种结构可以在不增加晶体管面积的基础上有效提高电流密度。
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