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公开(公告)号：CN103105571B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310025968.5
申请日：2013-01-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法，包括以下步骤：步骤10）获取绝缘栅双极型晶体管的测试导通特性和测试输出特性；步骤20）建立仿真程序内部集成模型的仿真电路；步骤30）建立实际集电极电压与修正集电极电压的对应关系；步骤40）得到实际集电极电压与修正集电极电压的修正系数；步骤50）仿真建立一次修正的实际导通特性；步骤60）建立实际栅极电压与修正栅极电压的对应关系；步骤70）得到实际栅极电压与修正栅极电压的修正系数；步骤80）仿真建立二次修正的实际输出特性。该方法可以解决注重集成电路仿真程序PSPICE内部集成的绝缘栅双极型晶体管模型的电流特性精确度不高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102890736B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210361841.6
申请日：2012-09-25
Applicant: 东南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种集成电路用三端电阻阻值的测量方法，包括以下步骤：步骤10)建立集成电路用三端电阻的宏模型；步骤20）构建集成电路用三端电阻的测试结构；步骤30）建立二极管测试数据文件和三端电阻测试数据文件；步骤40）建立集成电路用三端电阻的交流特性的模型；步骤50）建立集成电路用三端电阻的直流特性的模型；步骤60）建立三端电阻模型文件；步骤70）测量集成电路中三端电阻的电阻特性。该测量方法简单有效，可以解决现有集成电路工程上基于三端电阻物理模型R3cmc的仿真方法过于复杂且对尺寸拟合度差的问题。
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公开(公告)号：CN102956696A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210343232.8
申请日：2012-09-14
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/06
Abstract: 一种大电流P型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有P型外延层，在P型外延层内部设有P型缓冲阱区、N型体区和P型中心缓冲阱区，在P型缓冲阱区内设有N型漏区，在N型体区中设有P型源区和N型体接触区，在P型中心缓冲阱区内设有P型基区和N型发射区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，晶体管表面一定范围内还设有钝化层和金属层，其特征在于，晶体管为对称型结构，N型漏区上的漏极金属分别与对应的P型基区上的基极金属通过金属层连通，并从N型发射区输出，这种结构可以在不增加晶体管面积的基础上有效提高电流密度。
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公开(公告)号：CN102890736A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210361841.6
申请日：2012-09-25
Applicant: 东南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种集成电路用三端电阻阻值的测量方法，包括以下步骤：步骤10)建立集成电路用三端电阻的宏模型；步骤20）构建集成电路用三端电阻的测试结构；步骤30）建立二极管测试数据文件和三端电阻测试数据文件；步骤40）建立集成电路用三端电阻的交流特性的模型；步骤50）建立集成电路用三端电阻的直流特性的模型；步骤60）建立三端电阻模型文件；步骤70）测量集成电路中三端电阻的电阻特性。该测量方法简单有效，可以解决现有集成电路工程上基于三端电阻物理模型R3cmc的仿真方法过于复杂且对尺寸拟合度差的问题。
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公开(公告)号：CN102956696B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210343232.8
申请日：2012-09-14
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/06
Abstract: 一种大电流P型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有P型外延层，在P型外延层内部设有P型缓冲阱区、N型体区和P型中心缓冲阱区，在P型缓冲阱区内设有N型漏区，在N型体区中设有P型源区和N型体接触区，在P型中心缓冲阱区内设有P型基区和N型发射区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，晶体管表面一定范围内还设有钝化层和金属层，其特征在于，晶体管为对称型结构，N型漏区上的漏极金属分别与对应的P型基区上的基极金属通过金属层连通，并从N型发射区输出，这种结构可以在不增加晶体管面积的基础上有效提高电流密度。
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公开(公告)号：CN103105571A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310025968.5
申请日：2013-01-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法，包括以下步骤：步骤10）获取绝缘栅双极型晶体管的测试导通特性和测试输出特性；步骤20）建立仿真程序内部集成模型的仿真电路；步骤30）建立实际集电极电压与修正集电极电压的对应关系；步骤40）得到实际集电极电压与修正集电极电压的修正系数；步骤50）仿真建立一次修正的实际导通特性；步骤60）建立实际栅极电压与修正栅极电压的对应关系；步骤70）得到实际栅极电压与修正栅极电压的修正系数；步骤80）仿真建立二次修正的实际输出特性。该方法可以解决注重集成电路仿真程序PSPICE内部集成的绝缘栅双极型晶体管模型的电流特性精确度不高的问题。
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