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公开(公告)号：CN113563882A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110913543.2
申请日：2021-08-10
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种闪烁发光材料及其制备方法。所述闪烁发光材料的化学通式为(Mg1‑xZnx)4(Ta1‑yNby)2O9，其中，x＝0～1，y＝0～1。制备方法为：按化学通式称取原料，将所有原料混合均匀；然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧，再自然冷却到室温，研磨即可。本发明中的闪烁发光材料采用高温固相法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。在X射线激发下，得到的样品光产额在18035～70150ph/MeV，最高可达CsI(Tl)的1.3倍、Mg4Ta2O9(MTO)和CdWO4的4.4倍。
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公开(公告)号：CN113563881A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110912968.1
申请日：2021-08-10
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂钽酸镁闪烁发光材料及其制备方法。所述稀土掺杂钽酸镁闪烁发光材料的化学通式为Mg4Ta2O9:RE，其中RE为稀土元素。制备方法为：按化学通式称取原料，将所有原料混合均匀；然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧，再自然冷却到室温，研磨即可。本发明中的闪烁发光材料采用高温固相法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。所制得的闪烁发光材料在X射线激发下，得到的不同稀土掺杂的Mg4Ta2O9:RE样品，光产额在13848～43917ph/MeV，最高可达CsI(Tl)的81％、Mg4Ta2O9和CdWO4的2.4倍。
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公开(公告)号：CN113213934A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110489855.5
申请日：2021-05-06
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C04B35/505 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B28/06 , C04B18/02 , E01F9/529 , E01F9/582 , C09K11/80
Abstract: 本发明公开了一种装配式发光振荡标线的制备方法：将可发光陶瓷片置于模具内；将混凝土浇筑入模具后硬化；脱模即得装配式发光振荡标线。所述可发光陶瓷片的化学式为(CexY1‑x)3(Al1‑yCr0.001Gay)5O12，其中，X：0‑1at.％，Y：0‑99.999％。本发明为制备具有自发光功能的振荡标线，设计了一种具有高强度和高透过率的可发光陶瓷：通过机械球磨法获得YAGG陶瓷浆料，Isobam作为分散剂和凝胶剂；该过程设备简单，工艺过程可控，极大地提高了浆料的均匀性，分散性，制备出的高质量浆料有利于得到结构均匀性好，发光性能好得YAGG透明陶瓷。
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公开(公告)号：CN112877069A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110180776.6
申请日：2021-02-08
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料及其制备方法。所述近红外长余辉发光材料的化学通式为Zn3GaxAl2‑xGeaTibSn2‑a‑bO10:yCr3+。制备方法：根据方程式中各物质的摩尔比进行称取原料，加入助熔剂，在玛瑙研钵中研磨使其混合均匀得到前驱体；将前驱体装入氧化铝坩埚，在空气或中性气氛下进行预烧结；将预烧结得到的样品研磨混匀后，在空气或中性气氛中，煅烧，得到Cr3+镓铝酸盐近红外长余辉发光材料。本发明所述的近红外长余辉荧光粉具有原料成本低廉、操作简单可行，对设备要求低等优点。本发明所述的长余辉发光材料具有发射范围位于近红外区，且具有余辉时间长等优良性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111394781B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010262173.6
申请日：2020-04-06
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明申请属于晶体制备技术领域，具体公开了一种利用硼酸盐助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，包括以下步骤：(1)助熔剂Li5U(BO3)3通过化学计量比的Li2CO3、H3BO3和UO2粉末进行混合研磨3h；(2)将步骤(1)中的混合粉末装入铂金坩埚中，通过三段温度烧结；(3)将助熔剂Li5U(BO3)3与UO2按摩尔比83mol％:17mol％配料，充分混合研磨后，装入铂金坩埚中，通Ar/5％H2，放置管式电阻炉中，升温至1235℃，利用Li5U(BO3)3助熔剂将UO2溶解，体系达到熔融态，通过缓慢冷却来达到过饱和度驱动晶体生长，得到UO2晶体。本方案主要用于制备二氧化铀晶体，解决了现有熔体法难以生长超高熔点二氧化铀晶体的问题。
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公开(公告)号：CN107634137B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201710749730.5
申请日：2017-08-28
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明提供了一种聚合物基复合热电材料的制备方法，包括一个配料的步骤，将聚合物加到溶剂中，所述的聚合物为导电聚合物或者非导电聚合物中的任意一种或者两种的组合，搅拌待其充分溶解后，再加入无机材料，继续搅拌，直至无机颗粒均匀分散在溶液里；所述的聚合物与无机材料的质量比为0.01‑1；所述的聚合物与溶剂的质量体积比为0.001‑0.5g/mL；一个装样打印的步骤；一个干燥的步骤。本发明的方法具有工艺简单、容易操作、适合大批量生产等优点。所打印的聚合物基复合材料在热电发电和制冷器件领域具有广阔的应用前景和市场价值。
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公开(公告)号：CN112080798A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202011030636.2
申请日：2020-09-27
Applicant: 上海应用技术大学 , 江苏科创车联网产业研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种近零热猝灭氟化物荧光单晶材料及其制备方法。所述单晶材料的化学式为KY3‑xCexF10，其中，0.01≤x≤0.03。制备方法为：KF、YF3、CeF3原料混合后放入Pt坩埚烧结，制得多晶粉料；将粉料采用坩埚下降法进行晶体生长，经接种、放肩、等径生长，生长出无裂纹、无明显生长条纹的透明晶体；将透明晶体退火，自然冷却至室温。本发明的发光材料与在300nm的紫外光激发下，发射中心波长为360nm的宽带蓝紫光，其发光效率较高，在25℃～300℃温度范围内荧光热猝灭率几乎为零，制备工艺简单，其作为紫外活性介质可适用于制备成大功率或高温下使用的蓝紫光LED器件。
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公开(公告)号：CN111519250A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010561558.2
申请日：2020-06-18
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种碘铋铜晶体的制备方法，包括碘铋铜多晶料的制备和碘铋铜晶体的生长；将原料按照化学计量比进行称量，然后装入石英坩埚内，并对石英坩埚进行抽真空密封，然后将石英坩埚置于摇摆炉内分段加热得到碘铋铜多晶料；之后将装有多晶料的石英坩埚置于晶体炉内进行晶体生长，最终得到碘铋铜晶体。本发明采用摇摆炉和晶体炉两步法成功生长出碘铋铜晶体，得到的碘铋铜晶体的尺寸为17×80mm，克服了现有碘铋铜晶体生长的技术瓶颈，解决了碘铋铜晶体无法成功生长的技术难题，为碘铋铜晶体的生长提供了新思路。
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公开(公告)号：CN111004629A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911375423.0
申请日：2019-12-27
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法，其特征在于，将PbBr2和十八烯混合，得到溶液Ⅰ；再加入油胺和油酸，得到溶液Ⅱ；加热，并将铯前驱体溶液加入到溶液Ⅱ中，用冰水浴降温，再经离心、沉淀后，将量子点分散于有机溶剂中，得到CsPbBr3量子点溶液；将吡咯和苯醌加入到CsPbBr3量子点溶液中，再加入氯仿，得到反应体系；采用氙灯为光源，进行光照，最后离心、真空干燥即可。本发明通过在CsPbBr3量子点表面包覆聚吡咯保护层，大大提高了CsPbBr3量子点在水中的稳定性。由于聚吡咯具有优异的电荷传输特性，还能提高材料的导电性能，可应用于高性能器件的光电材料。
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