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公开(公告)号：CN101819982B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010175802.8
申请日：2006-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L21/82 , H01L21/329 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。该多层交叉点电阻存储器包括：形成在半导体衬底上的导线；在该导线上由多晶硅形成的第一垂直二极管；形成在该第一垂直二极管上的第一下电极；第一堆叠线形图案，形成在该第一下电极上从而以直角交叉该导线，且包括其中第一电阻器和第一上电极顺序堆叠的结构；在该第一堆叠线形图案上由多晶硅形成的第二垂直二极管；该第二垂直二极管上的第二下电极；以及第二堆叠线形图案，形成在该第二下电极上从而以直角交叉该第一堆叠线形图案，且包括其中第二电阻器和第二上电极顺序堆叠的结构。
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公开(公告)号：CN101064258B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200610126325.X
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02516 , H01L21/02532
Abstract: 本发明提供了高取向性硅薄膜和三维半导体器件的形成方法以及三维半导体器件。形成高取向性硅薄膜的方法包含：在衬底上形成沿预定方向取向的高取向性AlN薄膜，通过氧化该高取向性AlN薄膜而在AlN薄膜表面上形成高取向性Al2O3层，以及在该高取向性Al2O3层上生长硅薄膜。
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公开(公告)号：CN101751989A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910246683.8
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。
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公开(公告)号：CN101714403A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910204907.9
申请日：2009-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/06 , G06F12/0238 , G06F2212/7201 , G11C13/0069
Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器的操作方法，在所述方法中，在编程操作的过程中，可仅将非易失性存储器从第一状态改变为第二状态，而可不从第二状态改变为第一状态。
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公开(公告)号：CN101681933A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880020930.6
申请日：2008-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了氧化物半导体和包含所述氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。一种氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。一种薄膜晶体管(TFT)包括含有氧化物半导体的沟道，氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101473444A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780022377.5
申请日：2007-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 半导体器件可以包括由以下化学式(1)表示的作为有源层的复合物，化学式1为x(Ga2O3)·y(In2O3)·z(ZnO)，其中约0.75≤x/z≤约3.15且约0.55≤y/z≤约1.70。通过调整与氧化锌(Zn)混合的氧化镓(Ga)和氧化铟(In)的含量并改善光学灵敏度，可以提高显示器的开关性能和驱动晶体管的驱动性能。
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公开(公告)号：CN101378076A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810131345.5
申请日：2008-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/115 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/115 , H01L21/84 , H01L27/11521 , H01L27/1203
Abstract: 本发明公开了一种反向非易失性存储装置、堆叠模块及该装置的制造方法。具体地讲，示例实施例提供了一种可通过堆叠来集成的非易失性存储装置、堆叠模块以及该非易失性存储装置的制造方法。在根据示例实施例的非易失性存储装置中，可在基底上形成至少一个底部栅电极。在该至少一个底部栅电极上可形成至少一个电荷存储层，在该至少一个电荷存储层上可形成至少一个半导体沟道层。
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公开(公告)号：CN100435373C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200410034355.9
申请日：2004-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括置于一晶体管与一数据存储部分之间的一加热部分、以及与该数据存储部分相连接的一金属互连层。数据存储部分包括一硫属化物材料层，该材料层经历因加热部分的加热导致的相变，以将数据存储到其中。该加热材料层被设置在硫属化物材料层的下方，且利用等离子氧化工艺对该加热材料层的顶面执行氧化，以提高电阻值。因而，利用很小的电流就能向硫属化物材料层输送其所必需的热量，从而可进一步降低该半导体存储器件所消耗的电流。
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公开(公告)号：CN101202314A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710307771.5
申请日：2007-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/12 , H01L29/43 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/22 , H01L29/26 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种ZnO型二极管及其形成方法。该ZnO型二极管可包括彼此分开的第一电极和第二电极、以及位于该第一电极和第二电极之间的由MXIn1－XZnO(所述M为第Ⅲ族金属)形成的有源层。该第一电极的功函数可低于该有源层的功函数。该第二电极的功函数可高于该有源层的功函数。
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公开(公告)号：CN101192648A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196017.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/165 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明的示例实施例涉及一种电阻随机存取存储器(RRAM)以及制造该RRAM的方法。根据示例实施例的RRAM可以包括：下电极，可以形成在下结构(例如，基底)上；电阻层，可以形成在下电极上，其中，电阻层可以包含过渡金属掺杂物；上电极，可以形成在电阻层上。因此，过渡金属掺杂物可以在电阻层中形成用作电流通路的丝。
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