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公开(公告)号：CN102142279B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110021219.6
申请日：2011-01-14
IPC: G11C16/06
Abstract: 本发明提供了一种即使在验证时数据读出的分辨能力也不会降低，且即使电源电压降低也能够进行稳定的读出动作的半导体存储装置。本发明的读出电路(13)具有：将存储器单元(MC)的单元电流(Icell)变换为电压数据(Vdata)的电流电压变换电路(20)、以及将电压数据(Vdata)与基准电压(Vref)进行比较的读出放大器(30)。电流电压变换电路(20)构成为包括经由位线(BLj)与存储器单元(MC)连接的可变负载电阻。可变负载电阻构成为包括：作为负载电阻的P沟道型MOS晶体管(T11、T14、T17)、以及构成开关电路的P沟道型MOS晶体管(T13、T16、T19)。
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公开(公告)号：CN102044494B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201010518064.2
申请日：2010-10-20
Inventor： 饭田伊豆雄
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L28/20
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，将MOS晶体管及电阻元件等具备于一个半导体衬底上，目的在于减少掩模片数及制造步骤数目。本发明的半导体器件的制造方法，是于NMOS形成区域10A通过第一离子注入步骤，在P型井11A中形成沟道阻挡层14A。然后，通过第二离子注入步骤，在P型井11A中形成穿透防止层13A。另一方面，于第一高电阻元件形成区域10C、第二高电阻元件形成区域10D使用所述第一及第二离子注入，于N型井11C中形成电阻层15C，并于N型井11D中形成电阻层15D。
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公开(公告)号：CN101183079B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200710148345.1
申请日：2007-08-31
Inventor： 小川隆司
CPC classification number: G09G3/006 , G09G3/3225 , G09G3/3233
Abstract: 本发明的电致发光显示装置的缺陷检查方法，使用于控制向EL元件供给的驱动电流的元件驱动晶体管(Tr2)在其线性区域动作，基于使EL元件为发光程度时的发光亮度或阴极电流，检测由EL元件的短路引起的灭点缺陷。使元件驱动晶体管(Tr2)在其饱和区域动作，根据使EL元件为发光程度时的阴极电流，可检测由元件驱动晶体管(Tr2)的特性偏差引起的暗点缺陷，在根据发光亮度检测异常显示像素时，求出异常显示像素中在灭点检查时未被判定为灭点缺陷的像素，将该像素检测为由元件驱动晶体管(Tr2)的特性偏差引起的暗点缺陷。由此，能对EL显示装置的显示缺陷根据其原因高精度地检测。
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公开(公告)号：CN102110602B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010593405.2
申请日：2010-12-17
IPC: H01L21/316 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66734 , H01L21/26586 , H01L29/42376 , H01L29/7397
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据该方法，槽结构的栅极绝缘膜不会受到形成发射极层等时的砷离子的损伤，并且能够低成本地制造提高了栅极绝缘膜的绝缘耐压的半导体装置。在高温炉等中使埋入槽(3)内而形成的由多晶硅构成的栅极电极(5)热氧化，以在栅极电极(5)上形成厚的多晶硅热氧化膜(6)。此后，离子注入杂质离子以形成成为发射极层等的N型半导体层(8)。在该情况下，将多晶硅热氧化膜(6)形成为膜厚度大于为了通过离子注入形成成为发射极层等的N型半导体层(8)而杂质离子在硅氧化膜中的平均射程。由此，防止杂质离子损伤夹在栅极电极(5)和N型半导体层(8)之间的栅极绝缘膜(4)。
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公开(公告)号：CN101876915B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010168823.7
申请日：2010-04-27
CPC classification number: G06F8/65
Abstract: 本发明提供一种能降低集成电路芯片的制造成本的程序的更新系统、带程序更新功能的电子设备。在该程序的更新系统中，第1集成电路芯片(10)具有USB接口电路(11)、压缩解码器(12)、CPU(13)和掩模型ROM(14)；第1集成电路芯片(10)是将带USB主机功能的微型计算机和压缩解码器(12)单片化的芯片；第2集成电路芯片(20)具有CPU(21)、FROM(22)，且是用于控制汽车音响系统的系统·微型计算机；利用第2集成电路芯片(20)中内置的FROM(22)，进行存储在掩模型ROM(14)中的控制程序的更新。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102111099B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010623086.5
申请日：2010-12-27
Abstract: 电动机驱动电路，本发明旨在以高精度高效率地驱动步进电动机。其中，感应电压检测部(40)在从第一线圈(22)或第二线圈(24)来看驱动部为高阻抗状态时，检测第一线圈(22)的两端电压或第二线圈(24)的两端电压，并检测在第一线圈(22)或第二线圈(24)中产生的感应电压。感应电压检测部(40)包括：差动放大电路(42)，其对第一线圈(22)的两端的电位或第二线圈(24)的两端的电位进行差动放大；和模拟数字变换电路(44)，其将从差动放大电路(42)输出的模拟值变换成数字值，输出到控制部。控制部以从外部设定的输入信号为基础来生成驱动信号，根据由感应电压检测部(40)检测出的感应电压来调整该驱动信号，并设定到驱动部。
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公开(公告)号：CN101860778B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201010154635.9
申请日：2010-04-02
CPC classification number: H04B15/005 , H04B2215/063
Abstract: 本发明提供一种电容式麦克风的放大电路，能够提高针对电源电压的噪声的抗噪声性。根据本发明的电容式麦克风的放大电路，虽然电源电压(Vdd)的噪声成分会通过相邻的外部电源布线(1)与外部布线(2)之间存在的寄生电容(Cpxl)而施加到放大部(10)的运算放大器(11)的反相输入端子(-)上，但是由于通过与内部电源布线(13)之间的电容耦合向另一方的非反相输入端子(+)施加成为问题的电源电压(Vdd)的噪声成分，因此能够在运算放大器(11)中去除该噪声成分。
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公开(公告)号：CN101882938B
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201010176012.1
申请日：2010-05-05
CPC classification number: H04B1/1027 , H04B17/318 , H04B2001/1045 , H04B2001/1054 , H04H40/27
Abstract: 本发明提供一种能够缩短相邻干扰信号的有无判定所需的时间的接收装置。该接收装置具有：频率变动检测部，其检测接收信号的频率与期望信号的频率(f0)之间的频率差(Df)；第一干扰电平检测部，其输出分别通过了具有以(f0)为中心的互不相同的带宽的通带的第一、二BPF的接收信号的振幅电平之差作为L1；第二干扰电平检测部，其输出通过了分别具有以(f0-fa)、(f0+fa)为中心的通带的第三、四BPF的接收信号的振幅电平作为(L2a)、(L3a)，并且输出(L2a、L3a)之和作为(L4)；判定部，当(|Df|)在规定基准值以上时，根据(L4)判定是否为具有相邻干扰信号的有干扰状态，并在判定出是有干扰状态时，根据(Df)、(L4)的至少一方选择输出(L1)、(L2a)、(L3a)中的任一个。
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公开(公告)号：CN101938252B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201010232810.1
申请日：2008-03-26
IPC: H02P29/00
CPC classification number: H02P23/0004
Abstract: 一种马达驱动集成电路，抑制端子数量的增加，并在马达驱动集成电路中设置多个功能。在具有输入速度控制信号的输入端子和响应于上述速度控制信号而控制马达的转速的速度控制电路的马达驱动集成电路中，具有：检测电路，其检测上述速度控制信号是否指示上述马达停止转动；以及切断电路，其在上述检测电路检测出上述速度控制信号指示上述马达停止转动的情况下，切断对构成上述马达驱动集成电路的电路提供电源。
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公开(公告)号：CN101674696B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200910172147.8
申请日：2009-09-10
IPC: H05B37/02
CPC classification number: H05B33/0851
Abstract: 发光元件驱动电路(10)具备：明亮度判断部(70)，其判断明亮度并输出判断结果，并且输出明亮度变化信息；亮度设定部(60)，其输出亮度设定信息并且输出亮度变化信息；发光元件驱动部(40)，其以与亮度设定信息相应的电流值来驱动发光元件；检测比较部(50)，其进行发光元件的端子电压与规定电压的比较；升压判断部(30)，其根据明亮度变化信息和亮度变化信息中的至少一个，判断是否对发光元件的端子电压进行升压；以及升压电路部(20)，其当判断为进行升压时，进行发光元件的端子电压的升压，当判断为不进行升压时，不进行发光元件的端子电压的升压。
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