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公开(公告)号：CN1445184A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03121664.1
申请日：2003-03-14
Applicant: 日本超精石英株式会社
CPC classification number: C30B35/002 , C03B19/095 , C30B15/10
Abstract: 本发明提出了一种生产石英玻璃坩埚的工艺和装置，可产生稳定的环状电弧，适合于用来生产优质的具有大开口直径的坩埚。在生产石英玻璃坩埚的生产工艺和装置中，通过位于模具旋转轴线周围的电极的电弧放电对模具中的石英粉末加热熔化。本发明的特征是利用了一种电极结构，其中相邻的电极以有规律的间隔位于环状结构，在相邻的电极之间形成稳定的环状电弧，不会在跨过环的中间部分互相面对的电极之间产生连续的电弧，可对石英粉末加热和熔化。
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公开(公告)号：CN105264124B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201380077075.3
申请日：2013-05-31
Applicant: 胜高股份有限公司
IPC: C30B15/10
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57
Abstract: 一种氧化硅玻璃坩埚及其制造方法，即便在长时间的高温条件下使用，也能抑制变形。氧化硅玻璃坩埚具备：上端开口并且沿铅垂方向延伸的基本上圆柱形的直筒部、弯曲的底部、及连结所述直筒部和所述底部且曲率比所述底部大的角部，所述氧化硅玻璃坩埚在内侧具备透明层并且在其外侧具备气泡层，在所述透明层的内表面侧具备残留压缩应力的压缩应力层、和以平缓的应力变化率与所述压缩应力层邻接的残留拉伸应力的拉伸应力层。
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公开(公告)号：CN107075720A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580049436.2
申请日：2015-09-24
Applicant: 株式会社SUMCO
CPC classification number: G01N3/307 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , G01N2203/001 , G01N2203/0035 , G01N2203/0064
Abstract: 提供一种可以在与实际使用状况尽可能接近的状态下进行检查的石英玻璃坩埚的破坏检查方法和是否良好的判定方法。根据本发明的石英玻璃坩埚的破坏检查方法，自动中心冲头10的前端部碰撞石墨基座2上支撑的单晶硅提拉用的石英玻璃坩埚1的内表面，并且评价通过所述自动中心冲头10在内表面的一点上瞬间施加负荷时的内表面的裂痕的状态。
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公开(公告)号：CN104114976B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201280064551.3
申请日：2012-10-31
Applicant: 株式会社SUMCO
CPC classification number: G01B11/24 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B15/20 , C30B15/26 , C30B29/06 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供不污染坩埚的内表面而使坩埚的内表面的三维形状的测量成为可能的氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法。根据本发明，提供氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法，该方法具备：使氧化硅玻璃坩埚的内表面产生雾的工序；以及通过对所述内表面照射光，并检测其反射光，来测量所述内表面的三维形状的工序。
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公开(公告)号：CN106574394A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580041344.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 马场裕二
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C03B20/00 , C03B32/02 , C03C19/00 , C30B29/06 , Y02P40/57
Abstract: 本发明是一种石英玻璃坩埚的制造方法，用于制造石英玻璃坩埚，所述石英玻璃坩埚是用以自其内部所保持的硅融液提拉单晶硅，所述石英玻璃坩埚的制造方法，包含下述步骤：制作石英玻璃坩埚的步骤，所述石英玻璃坩埚具有由含有气泡的不透明石英玻璃所构成的外层和由实质上不含有气泡的透明石英玻璃所构成的内层；对所述制作出来的石英玻璃坩埚的内表面之中的在保持有硅融液时会与该硅融液接触的区域，进行粗面化的步骤；以及，根据对所述内表面经粗面化的石英玻璃坩埚进行热处理，来使所述经粗面化的区域的表面结晶化的步骤。由此，能够制造一种单晶硅提拉用石英玻璃坩埚，其能够在单晶硅提拉时有效地抑制坩埚内表面发生棕环的情况，并抑制单晶硅的结晶性混乱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103917831B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280055858.7
申请日：2012-09-13
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司
CPC classification number: F24S10/40 , C03B19/09 , C03B19/095 , C03B29/02 , C03B2201/02 , C03B2201/04 , C03C3/06 , C03C4/08 , F24S20/20 , F24S80/52 , F24S2080/503 , Y02E10/41
Abstract: 常见的太阳辐射接收器配备了用于传输工作气体的腔室，所述工作气体为了吸收热量而被沿着用于太阳辐射的吸收器来传送。所述吸收器设有拱顶状的、由石英玻璃构成的入射窗，对于所述入射窗来说，朝向所述吸收器的内侧面在按照规范使用时具有至少950℃、优选至少1000℃的、标称的内部温度Ti，而背向所述吸收器的外侧面则暴露在环境下，并且经受析晶的危险。本发明涉及如此改动熟知的太阳辐射接收器，从而更确切地说在没有扩大在所述入射窗的、外侧面的区域中的、析晶的危险的情况下能够设定较高的吸收器温度，并且由此能够实现太阳热的加热的、较高的效率。
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公开(公告)号：CN102453956B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201110040454.8
申请日：2011-02-18
Applicant: 杭州先进石英材料有限公司
CPC classification number: C03B19/095 , C30B15/10
Abstract: 本发明公开了一种石英玻璃坩埚，所述石英玻璃坩埚的坩埚基体的内表面上涂敷有理论厚度为50~500μm的透明涂层，所述透明涂层是通过熔融掺杂有碱土金属元素的石英砂制备得到，所述碱土金属元素是指镁元素、钡元素、锶元素或钙元素，所述碱土金属元素来自于氧化钡、碱土金属的碱、碱土金属的盐或碱土金属的碱与碱土金属的盐任意比例的混合物，所述掺杂有碱土金属元素的石英砂中碱土金属元素的质量百分含量为400~2000ppm。本发明还公开了所述石英玻璃坩埚的制备方法。本发明提供的石英玻璃坩埚具有较高的耐久使用性，坩埚使用过程中内表面透明涂层不易发生脱落剥离等对拉晶过程造成不利影响的现象，拉制单晶硅的无位错比例高，拉晶效果好。
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公开(公告)号：CN102762781B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201080008271.1
申请日：2010-12-14
Applicant: 日本超精石英株式会社
CPC classification number: C03B19/095 , C03C15/00 , C03C17/23 , C03C23/0025 , C03C23/007 , C03C2218/345 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明提供一种能够抑制填充在坩埚内部的硅熔液的熔液面振动，并且，寿命长的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚及其制造方法。本发明的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚，其具有周壁部、弯曲部及底部，其中，在周壁部内面的特定区域上设置有多个微小凹部。
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公开(公告)号：CN103201226B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180053097.7
申请日：2011-09-26
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C03B20/00 , C03B19/095 , C03B19/14 , C03B23/20 , C03B2201/23 , C30B15/02 , C30B15/08 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明涉及一种石英玻璃坩埚的制造方法，其包含：工序a，准备由石英玻璃构成且具有坩埚形状的坩埚基材；工序b，利用直接法或火焰水解法制作合成石英玻璃材料；工序c，将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，工序d，将加工成前述坩埚形状的合成石英玻璃材料，熔合于前述坩埚基材的内面。由此，提供一种避免制造单晶硅之际因坩埚自身导致单晶硅位错且具有高耐热性的石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。
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公开(公告)号：CN102906037B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201180025936.4
申请日：2011-05-25
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司
CPC classification number: C03B19/095 , C30B11/002 , C30B15/10 , C30B35/002
Abstract: 在已知的用于生产石英玻璃坩埚的方法中提供了一种真空熔融模具，在其内侧面上成形出一个SiO2颗粒的坩埚形颗粒层，该颗粒层具有一个底部区域和一个侧壁区域。在该多孔颗粒层的至少一部分上构成了一个少气泡的石英玻璃构成的表皮层。通过施加负压，至少从与该表皮层相邻的颗粒层的一部分中去除了气态组分，并且该颗粒层被玻璃化，同时形成具有坩埚高度H的石英玻璃坩埚。为了由此出发提供一种简化生成过程并且降低杂质进入硅熔体中的危险的石英玻璃坩埚，根据本发明提出，在该颗粒层的一个上部区域中在玻璃化时在该表皮层之下并且与之相邻地制造一个气泡区，该上部区域与下部区域相接并且延伸直至全高H，该气泡区包含具有一个比气泡体积的多个填充有气体的气泡，该比气泡体积为该少气泡的石英玻璃中填充有气体的气泡的比体积的至少两倍，其实现方式为在该颗粒层的一个下部区域中施加一个负压，该下部区域从底部区域最大延伸直至坩埚高度H的0.8倍。
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