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公开(公告)号：CN109638467A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910067442.0
申请日：2019-01-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
CPC classification number: H01Q15/0086
Abstract: 本发明公开了一种宽带低色散的高折射率超材料，包括若干阵列分布的高折射率单元，每个所述高折射率单元包括由上至下设置的上金属层、介质层和下金属层，所述上金属层和下金属层分别贴合在所述介质层的两面上，所述上金属层和下金属层的结构相同，所述上金属层包括环形金属贴片和双工字型金属贴片，所述双工字型金属贴片设置在所述环形金属贴片内部。通过改变相邻两个高折射率单元之间间隔的大小、双工字型金属贴片的结构参数以及环形金属贴片的结构参数，可以调节等效折射率的值、带宽以及平坦度，使本发明的应用领域更宽，实用性更强。
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公开(公告)号：CN105070681B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201510522304.9
申请日：2015-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/306 , H01L21/265 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离，有效提高了离子注入的注入效果，进而提高了有源区之间的隔离效果；在同等条件下，离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法，具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点，并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端，对半导体制造工艺有很好的使用价值。
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公开(公告)号：CN107391083A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710457348.7
申请日：2017-06-16
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林宇辉信息科技有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种空间异常信息的复数变换隐藏及复原方法，其特征是，包括如下步骤：1）计算空间数据对象的局部密度和距离相异度；2）求解空间数据对象的异常程度系数；3）根据Top-N选取异常数据对象；4）构造复数数据及复数因子并进行复数变换隐藏；5）发送复数变换集及复数因子数据集；6）选取异常信息二维值；7）逆变换。这种方法是异常信息隐私保护的一种创新方法，这种方法能简化异常信息处理过程、降低数据处理量，并且确保数据发送方发送的数据信息和参数量最少，保证局部异常数据在信息共享和传输过程中的安全性和信息的完整性，以及被隐藏的局部异常数据能够准确复原。
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公开(公告)号：CN107220594A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710316806.5
申请日：2017-05-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相似度保留堆叠自编码器的人脸姿态重建与识别方法，其特征是，包括如下步骤：1）多角度人脸图像的姿态角度步进减小；2）目标姿态特征提取；3）构建相似度保留自编码器的总损失函数；4）堆叠相似度保留自编码器；5）训练并微调网络；6）重建与识别：将重建好的正脸图像和网络的最高隐含层特征分别使用线性判别分析法，即LDA法进行降维来提取具有判别性的人脸特征，并用最近邻分类器完成人脸识别。这种方法能够消除人脸图像的姿态角度偏转影响、能够提取到人脸对于多姿态变化更具鲁棒性的特征，且提取到的姿态特征能和原始正脸图像的特征相匹配，从而提高识别率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106847925A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710087033.8
申请日：2017-02-17
IPC: H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/36
Abstract: 本发明提供一种具有表面反型固定界面电荷的功率器件，该功率器件包括场氧层和有源层，场氧层位于有源层之上；场氧层内还设有变掺杂的固定界面电荷区；固定电荷区的电荷极性与有源层离子所属的极性相反；固定界面电荷区位于场氧层的下部，并与场氧层的下表面即场氧层和有源层的交界面相接触。反型固定界面电荷之间相互作用，在场氧层中形成连续尖峰电场，该尖峰电场改善了有源层的电场分布，从而有效提高器件的击穿电压。同时，由于漂移区离子部分电力线终止于反型固定界面电荷，有源层优化掺杂浓度提高，导通电阻下降。
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公开(公告)号：CN105428236A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201511025094.9
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：材料结构从下到上包括半绝缘SiC衬底、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层；有源区台面隔离；临时栅脚制作；栅脚边墙制作；二次外延区域刻蚀；n+GaN二次外延；源漏极欧姆接触制作；表面平坦化；临时栅脚保形移除；T形栅制作。本发明采用栅极自对准工艺，可实现很小的栅源、栅漏间距，极大提高器件频率性能。还可以通过利用样品上已有图形对后续工艺进行尺度控制，仅通过一次电子束光刻即可得到多个纳米尺度的图形，极大节约了工艺成本。此外，此工艺精确度远远高于普通套刻工艺。
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公开(公告)号：CN103077891B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310021186.4
申请日：2013-01-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所 , 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本发明相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。
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公开(公告)号：CN102883314B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210351906.9
申请日：2012-09-20
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: Y02D70/14
Abstract: 本发明为无线个域网信标广播的低速率拒绝休眠攻击的防御方法，无线个域网中协调器以“超帧”结构周期性地发送信标帧来规范和同步网内节点间的通信，网内节点根据信标帧的信息安排本节点“超帧”结构。本法以每个“超帧”中活跃时段长度与整个“超帧”时段长度的比值为占空比，按网络运行过程中正常信标中可能出现的最大占空比设置阈值，网内节点计算当前所接收到的信标帧中活跃时段长度与整个“超帧”时段长度的比值，当该比值小于阈值时判断其为攻击信标，作丢弃处理。根据最大业务量、时延等确定在网络在运行中正常信标帧的最大占空比，由此确定阈值。本法通过简单的计算和比较，有效避免拒绝休眠攻击，基本不增加额外能量开销。
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公开(公告)号：CN104504118A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410845467.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林宇辉信息科技有限责任公司
CPC classification number: G06F9/448
Abstract: 本发明公开了一种工作流建模数据的存储和读取方法，所述方法包括基于XPDL的基本图形转换成XML文档和XML文档转换成基于XPDL的基本图形；所述基于XPDL的基本图形转换成XML文档，包括如下步骤：（1）通过加载动态连接库把需要的建模图形元素加载到建模工具中。（2）拖拽图形元素到建模编辑区域，建模工具自动创建与之对应的组件。（3）将创建好的组件序列化，生成基于XPDL的基本图形相对应的XML文档。所述XML文档转换成基于XPDL的基本图形，包括如下步骤：（1）通过反序列化操作，把XML文档转化为组件。（2）通过调用组件绘制图形元素的方法，把组件转化为基本图形。本发明是一种高效率的工作流建模数据存储和读取方法。
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