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公开(公告)号：CN1808723A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510116483.2
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。
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公开(公告)号：CN1797605A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510118815.0
申请日：2005-10-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/285 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , H01L28/10
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件，该半导体器件在制造过程以外时也可以写入数据，并且可以防止因改写的伪造。此外，本发明的目的是以廉价提供由简单结构的有机存储器来构成的半导体器件。通过构成将晶体管并联连接或串联连接到具有有机化合物层的有机元件的存储单元，并串联连接或并联连接该存储单元，而构成NAND型或NOR型存储器。所述有机元件可以通过施加电流或电压、照射光等来不可逆性地改变其电气特性。
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公开(公告)号：CN1252816C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN00101038.7
申请日：2000-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/42384 , G02F1/13454 , H01L27/1237 , H01L27/1255 , H01L27/1277 , H01L29/78645
Abstract: 提供了一种具有高度可靠性的半导体器件，其中配置了针对电路功能而具有适当结构的TFT。驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)设计得比半导体器件中的像素TFT的栅绝缘膜(117)薄，半导体器件在同一衬底上具有驱动电路和像素单元。另外，驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)和存储电容介质(118)是同时制作的，这样，介质(118)可以非常薄，可以获得大电容量。
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公开(公告)号：CN1251333C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN01121475.9
申请日：2001-06-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1288 , G01J1/44 , G09G3/3275 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2310/0251 , G09G2320/0233 , G09G2320/0285 , G09G2320/029 , G09G2320/043 , G09G2320/0626 , G09G2330/021 , G09G2360/144 , G09G2360/18 , H01L25/167 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/3269 , H01L51/5281 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有极好的能见度又能减少功率消耗的发光模块。所述发光模块包括发光器件，其包括至少像素部分101和检测器部分104，它们被形成在同一个绝缘基体上，此外还包括用于利用检测器部分104检测所使用的环境的亮度并按照所述亮度调节发光器件的亮度，使得保持对于环境亮度的亮度比为恒值的装置。
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公开(公告)号：CN1229770C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN02142021.1
申请日：1995-02-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/2092 , G09G3/3618 , G09G3/3666 , G09G3/3677 , G09G3/3685 , G09G2310/0227 , G09G2310/06 , G09G2320/0247 , G09G2320/103 , G09G2330/021 , G09G2360/18 , G09G2370/08
Abstract: 通过降低在某些显示图象中象素的图象重写频率来降低功耗，在这些显示图像中屏幕有一部分在帧与帧之间不发生变化。另外，为了解决随着时间图象信息(例如，象素电压)变差的现象，定时进行刷新操作。跳过多个行进行隔行扫描。经过若干帧进行刷新操作，在这几帧中一部分行在一帧中进行刷新。这样避免了当在一帧中整个屏幕被刷新时会出现的闪烁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1697199A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510067218.X
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/00 , G09F9/30 , G02F1/136 , H04N5/225 , H04Q7/20 , H04M1/02 , H04N5/74
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。
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公开(公告)号：CN1697198A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510065795.5
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。
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公开(公告)号：CN1670802A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510056006.1
申请日：2005-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3258 , G09G3/2022 , G09G3/3266 , G09G3/3291 , G09G2300/0465 , G09G2300/0809 , G09G2300/0842 , G09G2310/0256 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , G09G2330/02 , G09G2330/021 , H01L27/12 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L2251/568
Abstract: 本发明提供了一种低功耗的显示装置和电子设备。本发明的显示装置包括包含多个像素的像素区域、源驱动器、第一栅驱动器以及第二栅驱动器。多个像素中的每一个均包括发光元件、用于控制输入像素的视频信号的第一晶体管、用于控制发光元件的发光/不发光的第二晶体管。
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公开(公告)号：CN1662106A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510055941.6
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。
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公开(公告)号：CN1661651A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510056333.7
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/52 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/529
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于制作电光器件的方法，包括：在一个绝缘表面上形成具有多栅极结构的开关薄膜晶体管；在所述开关薄膜晶体管上形成一个钝化膜；在所述钝化膜上形成一个阳极，所述阳极电连接到所述开关薄膜晶体管；通过喷墨法在所述阳极上形成一个EL层；以及在所述EL层上形成一个阴极。
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