公开(公告)号：CN109075048A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780027304.9

申请日：2017-05-12

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 中村优智 ,  佐伯尚哉 ,  小野义友

IPC: H01L21/301 ,  C09J201/00 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片，其至少具备基材，其复原率为70％以上、100％以下；或在23℃下沿基材的MD方向测定的100％应力相对于在23℃下沿基材的CD方向测定的100％应力的比为0.8以上、1.2以下；或在23℃下沿基材的MD方向及CD方向测定的拉伸弹性模量分别为10MPa以上、350MPa以下，且在23℃下沿基材的MD方向及CD方向测定的100％应力分别为3MPa以上、20MPa以下，且在23℃下沿基材的MD方向及CD方向测定的断裂伸长率分别为100％以上。该半导体加工用片可大幅延伸，可将半导体芯片彼此充分地分离。

公开(公告)号：CN107615453A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680029390.2

申请日：2016-04-08

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  堀米克彦 ,  米山裕之 ,  荒井善男

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括：前处理工序，从半导体晶片的表面侧形成槽、或者在半导体晶片上形成改性区域；芯片单片化工序，从背面侧对所述半导体晶片进行磨削，沿着所述槽或改性区域使其单片化为多个芯片；粘贴工序，将在支撑体上设有热固化性保护膜形成膜的带有支撑体的保护膜形成膜的热固化性保护膜形成膜侧粘贴于单片化后的所述半导体晶片的背面；热固化工序，对粘贴于所述半导体晶片的所述热固化性保护膜形成膜进行热固化而形成保护膜；以及拾取工序，在所述热固化工序后，对在所述芯片上叠层有所述保护膜的带有保护膜的芯片进行拾取。

公开(公告)号：CN106661395A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580037767.4

申请日：2015-09-17

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山岸正宪 ,  佐伯尚哉

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/04 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J201/00 ,  C09J7/20 ,  C09J133/04

Abstract: 本发明涉及带有树脂层的工件固定片，其在基材膜上具备粘合剂层、且在所述粘合剂层上具备固化性树脂层而成，其中，所述粘合剂层含有(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物，所述(甲基)丙烯酸烷基酯聚合物是含有烷基碳原子数为10～18的(甲基)丙烯酸烷基酯的单体聚合而成的，所述固化性树脂层含有聚合物成分(a)及固化性成分(b)，相对于所述固化性树脂层的总量，所述固化性树脂层的所述聚合物成分(a)及固化性成分(b)的总含量为95质量％以上。

公开(公告)号：CN106062927A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201480076732.7

申请日：2014-09-03

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  稻男洋一 ,  山本大辅 ,  米山裕之

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/53 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。

公开(公告)号：CN105431289A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201480041618.0

申请日：2014-07-16

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 米山裕之 ,  佐伯尚哉

IPC: B32B7/02 ,  B32B27/00 ,  B32B27/32 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301

CPC classification number: B32B27/32 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B2457/14 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J201/00 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377

Abstract: 本发明提供保护膜形成用复合片(1)，其具备在基材(21)的一面侧叠层粘合剂层(22)而成的粘合片(2)、和叠层于粘合片(2)的粘合剂层(22)侧的保护膜形成膜(3)，粘合片(2)不具有沿厚度方向贯穿该粘合片(2)的通孔，使用积分球测定的粘合片(2)在波长532nm下的透光率为25～85％。根据该保护膜形成用复合片(1)，即使使用不具有通孔的粘合片，也能够在对保护膜形成膜(保护膜)进行激光打印时抑制在粘合片与保护膜形成膜(保护膜)之间产生气体积存。

公开(公告)号：CN105408988A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480042661.9

申请日：2014-01-30

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  山本大辅 ,  米山裕之 ,  高野健

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  C08J5/18

Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用片(2)，其具备保护膜形成膜(1)、和叠层于该保护膜形成膜的一面或两面的剥离片(21)，所述保护膜形成膜(1)的特征在于，其在波长1600nm的透光率为25％以上、在波长550nm的透光率为20％以下。根据该保护膜形成用片(2)，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。

公开(公告)号：CN104837942A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380064452.X

申请日：2013-12-16

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  山本大辅 ,  高野健

IPC: C09J7/00 ,  H01L21/301

CPC classification number: C09J7/10 ,  C09J2201/134 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326

Abstract: 本发明提供一种在固化后容易将临时固定在支撑体上的保护膜形成用膜从支撑体上剥离、且与芯片的粘接强度优异的保护膜形成用膜。本发明的保护膜形成用膜是具有第一表面和第二表面的固化性的保护膜形成用膜，其中，固化后的第一表面对硅晶片的粘接力高于固化后的第二表面对硅晶片的粘接力。

公开(公告)号：CN104685609A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380051745.4

申请日：2013-10-04

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 高山佳 ,  篠田智则 ,  佐伯尚哉 ,  高野健

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/40 ,  C09J133/02 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/005 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336

Abstract: 本发明提供一种带有保护膜形成层的切片，其具备经过预切割的固化性的保护膜形成层，即使在其制造时通过冲刀进行脱模加工，保护膜形成层也不变形。本发明的带有保护膜形成层的切片(10)的特征在于，将固化性的保护膜形成层(4)可剥离地临时粘接于外周部具有粘合部的支撑体(3)的内周部上，且该保护膜形成层在固化前于23℃下的储能模量为0.6～2.5GPa。

公开(公告)号：CN101517720A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780034235.0

申请日：2007-08-07

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山崎修 ,  市川功 ,  佐伯尚哉

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/31 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/0675 ,  H01L2924/069 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是对层叠有芯片和未固化的接合剂层的布线基板进行加热，使所述未固化的接合剂层固化来制造半导体器件的方法，其特征在于，包括如下的静压加压工序：在所述固化前，通过比常压高0.05MPa以上的静压对所述层叠有芯片和未固化的接合剂层的布线基板进行加压。上述半导体器件的制造方法可以在不受基板设计的影响的情况下简便地消除空洞，且这时也不会发生接合剂的上溢。