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公开(公告)号：CN106025019B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201610425763.X
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延结构，衬底上由下至上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、复合调节层、第一型导电层、有源层、电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层；复合调节层为GaInN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GaInN中的一种。本发明解决衬底在外延生长过程由于生长不同功能的外延层时温度变化及内应力问题导致的外延片弯曲，以及由于外延片弯曲变大而引起的外延表面异常及电性能异常问题。
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公开(公告)号：CN106206865B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610557039.2
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高压发光二极管，衬底上设置非故意掺杂层，非故意掺杂层上设置第一外延结构的n型接触层，第一外延结构的n型接触层分别设置隧穿结和第一外延结构的有源层，第一外延结构的有源层上由下至上依次设置p型接触层、p型欧姆接触层和p型电极；隧穿结上由下至上依次设置第二外延结构的p型接触层、有源层、n型接触层、n型欧姆接触层和n型电极；第一外延结构与第二外延结构之间设置绝缘层；第一外延结构的p型欧姆接触层的高度与第二外延结构的n型欧姆接触层高度相同，位于同一水平面内。本发明还公开高压发光二极管的制作方法。本发明解决高压发光二极管电极桥接提高发光功率时，电极桥接存在高度差造成工艺难度大及成品率低的问题。
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公开(公告)号：CN104393138B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410551477.9
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有电极出光的发光二极管，在外延发光结构上形成第一电极及第二电极，其中，第一电极或第二电极作为焊台电极，在作为焊台电极的第一电极或第二电极内部设置若干规则的微细透明柱体，且透明柱体与外延发光结构形成连接。本发明可以减少电极挡光面积，提高发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN105304764B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510763780.X
申请日：2015-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种倒置结构太阳能电池制作方法，包括以下步骤：在外延衬底上自下而上依次生长多层子电池，该多层子电池由下至上带隙依次减小；在带隙最小的子电池表面掩膜、光刻、ICP蚀刻形成网格状凹槽结构；在刻蚀后的外延片上蒸镀金属形成栅格层，在导电衬底表面蒸镀金属，并采用键合技术将二者紧密连接；采用化学腐蚀法将外延衬底去除，露出带隙最大的子电池表面；在带隙最大的子电池表面形成金属纳米岛，采用掩膜、光刻、蚀刻出栅线位，并蒸镀金属形成电极；在带隙最大的子电池表面蒸镀介质膜，覆盖电极与金属纳米岛，形成减反射膜。本发明可以降低电池表面对光线的反射率，增加光线在电池内部的传播距离，增强光线吸收，提高转化效率。
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公开(公告)号：CN105355768B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510912084.0
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种具有高发光效率的发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，在朝向缓冲层的衬底表面设置形貌不同的PSS表面图形，在p电极下方设置位错阻挡层，所述位错阻挡层设置在p电极设置区域内的ITO透明导电层以下至部分n型导电层；在位错阻挡层下方设置位错线密集区，所述位错线密集区设置在p电极设置区域内的部分n型导电层以下至非故意掺杂层。本发明在位错阻挡层下设置位错集合区，减少发光区域的位错密度，改善了发光区域的外延晶体质量，减弱大工作电流下Efficiency‑Droop效应及提高了发光二极管的可靠性；采用位错阻挡层起到了增加P电极的电流扩展效果，有效提高发光二极管的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105374908B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201510649507.4
申请日：2015-10-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管芯片制作工艺，在衬底上依次生成非故意掺杂层、第一n型导电层、第一电流阻挡层、第一n型接触层、第二电流阻挡层、第二n型接触层、第三电流阻挡层、第二n型导电层、有源区、限制层、p型导电层和p型接触层；在p型接触层上掩模、光刻、ICP蚀刻至n型导电层；在裸露的第二n型导电层上掩模、光刻，采用ICP蚀刻穿第三电流阻挡层，裸露第二n型接触层的表面；在裸露的第二n型接触层表面再掩模、光刻，采用ICP蚀刻穿第二电流阻挡层，裸露第一n型接触层的表面；掩模、光刻p型接触层，在裸露的p型接触层上蒸镀ITO导电层；制作p电极和n电极。本发明可以提高电流扩展效果，提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105161590B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510627550.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/32
Abstract: 本发明公开一种氮化物系发光二极管，包括一衬底，在所述衬底上依次设置有非掺层u‑GaN、n型导电层n‑GaN、有源区和限制层P‑AlGaN，在所述限制层P‑AlGaN上设置有V型坑蚀刻层，在所述V型坑蚀刻层上设置有V型坑成核层，在所述V型坑成核层上设置有V型坑三维快速层，在所述V型坑三维快速层上设置有V型坑二维快速层，在所述V型坑二维快速层上依次设置有P型导电层、P型接触层和ITO导电层。本发明增加P型区域空穴注入有源区的数量，提高内量子效率；减少V型坑形成漏电通道，提高发光二极管的可靠性，能够提高蓝绿光芯片的内量子效率。
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公开(公告)号：CN104752452B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510122849.0
申请日：2015-03-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有立体发光结构的高压发光二极管制作方法，由该方法制作的高压发光二极管，由至少两层相互错开键合的子级发光二级管组成，其中一层设置n+1个子级发光二极管为底层，底层各子级发光二极管处于同一平面，另一层设置n个子级发光二极管为顶层，顶层各子级发光二极管处于同一平面，底层与顶层相邻的子级发光二极管设置于两个不同水平面上；各子级发光二级管具有独立发光结构，各子级发光二级管串联连接。本发明将各子级发光二极管串联连接，构成立体的至少双层发光结构，明显地增加单位面积发光的功率，且使得同样电压的高压芯片模块的面积缩小近一倍，有效地降低高压芯片模块的封装成本。
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公开(公告)号：CN106816509A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710224742.6
申请日：2017-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 本申请公开了一种复合衬底及其制备方法，基于该复合衬底，本申请公开了一种垂直结构发光二极管芯片的制备方法。在本申请提供的复合衬底中，由于夹在第一图形层和第二图形层之间的第一氮化镓层的厚度小于第一突起结构的高度，所以，第一图形层上的第一突起结构和第二图形层上的第二突起结构能够相互连接贯通，而且又由于第二图形层上的各个第二突起结构相互连接在一起，如此，第一图形层和第二图形层能够形成一整体相互连接的可被湿法腐蚀溶液所腐蚀的图形。当湿法腐蚀溶液一旦从复合衬底的侧面开始腐蚀图形层时，其能够较好地渗入蚀刻到每个突起结构，如此方便后续外延衬底的湿法腐蚀剥离。此外，该复合衬底还能够保证后续外延层的晶体质量。
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公开(公告)号：CN104332542B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410551495.7
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/20
Abstract: 本发明公开一种衬底可重复利用的外延结构制作方法，包括以下步骤：一、在外延衬底表面由下自上依次形成缓冲层、衬底保护层、外延剥离层、外延保护层及外延发光结构；二、对外延剥离层进行氧化，形成氧化剥离层；三、在外延发光结构的第二型电流扩展层上蒸镀金属反射层；将金属反射层与基板键合；四、采用强碱腐蚀氧化剥离层，使用带旋转功能的腐蚀装置腐蚀氧化剥离层，直至外延发光结构与外延衬底剥离，得到可重复利用的外延衬底。本发明可以解决剥离二极管而导致外延层破损问题，且可重复利用衬底，节约成本。
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