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公开(公告)号：CN115933052B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202211266246.4
申请日：2022-10-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请涉及一种光波导耦合器和光波导耦合器的制备方法。一种光波导耦合器用于与光纤耦合，光波导耦合器包括基片以及高折射率波导，高折射率波导形成于基片上，且沿第一方向延伸；高折射率波导具有沿第一方向相对设置的第一端部和第二端部。相较于第二端部，第一端部更靠近光纤。其中，高折射率波导的第一端部的厚度为第一预设值，高折射率波导的第一端部沿第二方向的尺寸为第二预设值，以使第一端部能够与光纤进行TE基模耦合。该光波导耦合器器件简单，易于制作、且具备了端面耦合器兼起偏的功能。
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公开(公告)号：CN113037238B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110502214.9
申请日：2021-05-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于WGM微腔的滤波器的封装结构和封装方法，属于光纤封装技术领域，包括封装壳体，还包括密封块、微腔载物台、耦合端口光纤、耦合端口保护套、电驱动接口、壳体上盖以及设置在封装壳体两侧的中间固定托架，所述微腔载物台固定在封装壳体的内侧，所述电驱动接口安装于封装壳体上，与微腔载物台电性连接，所述耦合端口光纤穿设于耦合端口保护套中并固化于两端的密封块中。本发明通过在封装壳体内侧两端分别设置密封块，并在封装壳体的内侧安装有微腔载物台，通过调节微腔载物台上的压电陶瓷实现调节耦合距离，最终实现在保证封装结构清洁的条件下能够调节带宽，并且本发明涉及的封装方法，降低了工艺难度和制造成本。
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公开(公告)号：CN109913813B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201910236425.5
申请日：2019-03-26
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于铁电薄膜制备及其应用领域。铌酸锂靶材在高能脉冲激光的作用下形成等离子态余晖，之后沉积到衬底上形成薄膜，该方法制备的薄膜厚度均匀、致密性好，但容易出现复杂多晶的问题，限制了其在纳米铁电畴、片上集成光学等领域的应用。本发明公布一种基于脉冲激光沉积法结合两步控制氧气压制备良好外延取向铌酸锂薄膜的技术方法。薄膜沉积过程中，首先控制较高氧气压抑制其非特征晶向生长，然后控制较低氧气压促进其特征晶向择优生长。该方法解决了薄膜出现复杂多晶的问题，操作简捷、易于制备纳米级高质量外延取向铌酸锂薄膜。所制备薄膜可应用于制备波导、微腔、电光调制器等功能器件。
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公开(公告)号：CN115744809A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111032740.X
申请日：2021-09-03
Applicant: 南开大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请提供一种铌酸锂超构表面的制备方法，通过在铌酸锂基材上沉积金属膜，作为聚焦离子束图形化和干法刻蚀中的掩膜，防止铌酸锂光栅结构顶端椭圆化；通过聚焦离子束图形化金属膜及铌酸锂基材，从而形成图形化的金属膜和图形化的铌酸锂基材，降低了工艺复杂性及工艺难度；通过干法刻蚀对图形化的铌酸锂基材去损，实现去除聚焦离子束图形化铌酸锂基材导致的铌酸锂光栅结构表层污染及非晶化；湿法去除图形化的金属膜，最终得到高光学质量的铌酸锂光栅。
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公开(公告)号：CN114361331B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111404360.4
申请日：2020-12-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种铌酸锂半导体结构的制备方法，包括以下步骤：S100，提供铌酸锂材料薄膜，所述铌酸锂材料薄膜的铁电畴极化方向沿第一方向；S200，在所述铌酸锂材料薄膜表面间隔设置多个第一电极层和多个第二电极层，多个所述第一电极层和多个所述第二电极层形成叉指电极；S300，给所述第一电极层和所述第二电极层施加脉冲电压，使得所述第一电极和所述第二电极之间的所述铌酸锂材料薄膜的铁电畴极化方向反转为沿第二方向，所述第二方向与所述第一方向相反。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114361330B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111403828.8
申请日：2020-12-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层；第二铌酸锂材料层，与所述第一铌酸锂材料层间隔设置，所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿相同方向排列；以及第三铌酸锂材料层，夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间，所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向相反。
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公开(公告)号：CN114755689A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210282813.9
申请日：2022-03-22
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请涉及一种红外测量方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：检测待测场景下的和频光在不同偏振基的投影的强度信息；所述和频光为红外信号光和泵浦光发生和频过程产生的和频光；根据所述和频光在不同偏振基的投影的强度信息，确定所述和频光的偏振信息；根据所述和频光的偏振信息和穆勒矩阵，确定所述红外信号光的偏振信息；其中，所述穆勒矩阵是基于所述和频器对应的二阶非线性极化率和所述泵浦光的偏振信息构建；根据所述红外信号光的偏振信息确定所述待测场景中被测目标的检测信息。采用本方法能够提高对被测目标发现与识别的精度。
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公开(公告)号：CN114361330A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111403828.8
申请日：2020-12-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层；第二铌酸锂材料层，与所述第一铌酸锂材料层间隔设置，所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿相同方向排列；以及第三铌酸锂材料层，夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间，所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向相反。
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公开(公告)号：CN113943978A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111195202.2
申请日：2021-10-13
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及铁电畴制备技术领域，具体而言，涉及一种铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件。铌酸锂晶体畴结构的制备方法包括以下步骤：用施加了电压的导电探针扫描铌酸锂晶体表面形成畴结构，其中导电探针在铌酸锂晶体表面形成的电场强度大于等于铌酸锂晶体发生极化反转的阈值电场强度，铌酸锂晶体为非极性的X切向或非极性的Y切向的晶体。本发明提供的制备方法对样品结构无要求，无需底电极，且能够制备出任意图案且完整的畴结构。本发明还提供了一种包括上述制备方法制得的铌酸锂晶体畴结构的光电器件。
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公开(公告)号：CN112091418A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010945697.5
申请日：2020-09-10
Applicant: 南开大学
IPC: B23K26/0622 , B23K26/082 , B23K26/122 , B23K26/14 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种宽禁带半导体表面深亚波长周期性条纹的制备方法。其是通过在宽禁带半导体材料表面预镀金属膜的方式辅助飞秒激光加工在辐照区域形成深亚波长周期条纹结构。利用金属/宽禁带半导体的复合结构，在飞秒激光辐照过程中，可以大大增强材料对入射光能量的吸收，提高飞秒激光与宽禁带材料的相互作用效率。该方法降低材料烧蚀阈值效果明显，形成的深亚波长条纹周期精细。本发明还具有工艺简单、适用性广、灵活性强等优点。通过对飞秒激光能流、脉冲数、加工区域图案设计可以实现宽禁带半导体上不同形状及不同空间周期的深亚波长条纹。
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