倾斜式圆锥旋转盘斜坡面液体撞击‑飞溅性能测试方法

    公开(公告)号:CN106769687A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710000584.6

    申请日:2017-01-03

    CPC classification number: G01N13/00

    Abstract: 倾斜式圆锥旋转盘斜坡面液体撞击‑飞溅性能测试方法,属于固体表面润湿技术领域。本发明圆锥旋转盘的旋转轴与重力方向的夹角在可0°至90°之间调节,液滴以一定速度撞击在绕中心轴旋转的旋转盘圆锥斜坡面上,液滴所受重力与圆锥旋转盘斜坡面成一定的夹角,在粘附力、离心力和重力的共同作用下液滴飞离圆锥旋转盘。以旋转盘上撞击点作为原点记录飞溅液滴坠落点的空间三维坐标。计算飞溅液滴的坠落点与液滴降落线的距离s,测试圆锥旋转盘的倾斜角度对距离s的影响,表征固体表面润湿性能对固液撞击‑飞溅过程的影响。本测试方法通过设置圆锥旋转盘的倾斜角度,得到液滴的最佳撞击角度,提高快淬非晶合金薄带生产中的产品质量稳定性。

    一种具有高发电特性的无铅压电能量收集材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106699177A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201611147524.9

    申请日:2016-12-13

    Abstract: 一种具有高发电特性的无铅压电能量收集材料及其制备方法,属于电子陶瓷材料领域。该陶瓷材料的化学组成为(1‑x)Ba(Zr0.185Cu0.015Ti0.8)O2.985‑x(Ba0.7Ca0.3)TiO3,x的数值为0.50~0.70。以BaCO3、CaCO3、BaZrO3、TiO2及CuO为原料,采用湿磨、烘干、煅烧,二次球磨、造粒、压制成型、烧结步骤。优选通过室温三相共存和硬性掺杂机制的协同作用,实现能量收集性能的大幅度提升,有望应用于压电能量收集器件,可以有效地回收再利用废弃的能量,且节能、环保、安全,具有显著的经济和社会价值。

    一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法

    公开(公告)号:CN103774230B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201410036791.3

    申请日:2014-01-25

    Abstract: 一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法,属于无机化合物半导体材料制备与生长领域。Ga2O3粉末与炭粉混合,研磨2min以上得到前驱物粉体;在经清洗和氢氟酸处理后烘干的衬底上镀厚度5nm-30nm的金属催化剂薄膜;将前驱物粉体和衬底放入等离子增强化学气相沉积系统中进行制备:采用N2和H2反应气压10-100Pa;衬底温度800℃-1100℃;射频电源功率40-90W,调节电源功率至得到稳定的亮黄紫色辉光的等离子气体。本发明摒弃对环境和设备存在污染和腐蚀的NH3,采用简单的实验设备和价格低廉且易获得的原料制备出表面光滑的单晶六方纤锌矿结构氮化镓纳米线,具有典型的纳米线光致发光特性和优异的场发射性能。

    水热条件下相分离法获得Na0.5Bi0.5TiO3及Na-Ti-O纳米线的方法

    公开(公告)号:CN104986795A

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201510425326.3

    申请日:2015-07-19

    Abstract: 水热条件下相分离法获得Na0.5Bi0.5TiO3及Na-Ti-O纳米线的方法属于新型功能材料的制备技术领域。本发明通过反应原料浓度控制,同时生成了Na0.5Bi0.5TiO3及Na-Ti-O一维纳米结构;并首次利用物相分离技术,成功将二者分离,有利于目标产物及中间产物的单一化及结构、性能研究,推动了水热技术的实质性发展。本发明将硝酸铋在研钵里充分研磨成细的粉末;按摩尔比为Bi:Ti=1:2的化学计量关系,称取二氧化钛粉体;加入到配好的氢氧化钠溶液后200-220℃温度下,反应60-70h;反应结束后,以10℃/h的速率降至室温,使反应物由于密度不同发生相分离;离心、洗涤干燥,得到纯净的Na-Ti-O纳米线和Na0.5Bi4.5TiO3纳米粉。

    一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法

    公开(公告)号:CN104979189A

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201510366328.X

    申请日:2015-06-29

    CPC classification number: H01L21/3065

    Abstract: 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法属于微电子器件、薄膜、材料加工领域。其特征在于:刻蚀装置包括真空腔体、升温装置与等离子发生系统。通过温度场与等离子能量梯度调控实现基底刻蚀作用;真空度低于10Pa后,通入氮气在N2,气氛中升温到900‐1100℃,通入氢气,打开射频电源,将射频功率调到40‐150W,电离N2和H2,对基底进行刻蚀,此时气压为30‐100Pa,持续0.5‐2个小时;刻蚀结束后,关闭射频与停止通入氢气,冷却到室温。本发明无需使用任何模板,直接在衬底上刻蚀出具有规则取向的图案,并且图案的形貌和方向可以通过衬底的晶面取向调控。本发明在微电子器件制造、微纳米材料制备等方面具有重要意义。

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