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公开(公告)号：CN100447542C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200610083449.4
申请日：2006-05-31
Applicant: 北京大学
IPC: G01L1/04
Abstract: 本发明提供一种MEMS力学微探针及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域。该探针包括：探针体和衬底，探针体和衬底通过固定锚点固定连接，探针体包括：T型探针头、着力质量块、弹性梁及标尺结构，T型探针头与着力质量块通过弹性梁连接，形成探针可动结构，探针可动结构再通过一组弹性梁结构与固定锚点相连接，悬浮于衬底之上，标尺结构分为定尺、动尺I和动尺II三个部分，动尺I与T型探针头部相连，动尺II与着力质量块相连，定尺固定在衬底上。本发明利用弹性梁受力形变与所受外力成正比的原理，读出被测样品所受力的大小，具有读数简单、工艺易于实现的特点。
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公开(公告)号：CN100447467C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200510086322.3
申请日：2005-08-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种由微鳞片结构组成的微型阀，属于微流体控制输运领域。该微型阀包括微流道及连接于流道侧壁上的微型鳞片阵列结构，微鳞片彼此平行排布，并与流道侧壁成一定的倾角，顺着鳞片排布方向的流动为正向流动，反之为逆向流动。由于正向流动时鳞片对流体产生的阻力小，而逆向时鳞片对流体产生较大的阻力，因此正向与逆向产生流量差，结构实现了单向阀的功能。本发明利用MEMS微加工工艺或化学合成技术制备，可广泛应用于微流体芯片系统内的流体控制。
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公开(公告)号：CN1891617A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510012079.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种在感应耦合等离子体(ICP)刻蚀中保护刻蚀结构的方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法在感应耦合等离子体ICP干法刻蚀硅结构时，不将硅片刻蚀穿通，在硅结构上PECVD淀积氧化硅，各项同性刻蚀硅结构上表面的氧化硅，再ICP刻蚀剩余未穿通部分的硅，释放硅结构，使硅结构的侧壁形成保护层。本发明保证了刻蚀结构的完整性，使MEMS或NEMS器件具有实际提高工艺结果质量的作用。
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公开(公告)号：CN1866407A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610083448.X
申请日：2006-05-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种MEMS力学微探针及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域。该探针包括探针体、衬底和若干个固定锚点，探针体包括：T型探针头、弹性梁、两个梳齿电容及标尺结构，T型探针头通过与固定锚点连接的弹性梁悬浮于衬底之上，梳齿电容分别设置在T型探针头的肩部，梳齿电容的正/负极板与固定锚点相连，另一负/正极板与T型探针头相连，标尺结构包括：动尺和定尺两部分，动尺与T型探针头连接，定尺与固定锚点相连，探针体和衬底通过上述固定锚点固定连接。本发明利用弹性折梁受力形变与所受外力成正比，以及梳齿间静电力与梳齿间电压的平方成正比的原理，读出被测样品所受力的大小，具有读数简单、工艺易于实现的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1267582C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200410009379.9
申请日：2004-07-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种氢氧化钾溶液腐蚀(100)硅上 晶向凸角的补偿方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法提供一掩膜补偿图形，该图形由三个正方形组成，与需补偿凸角相对的掩膜图形直角相应，掩膜图形直角的两个边分别延伸，形成正方形(1)的边长a，正方形(1)和掩膜图形直角之间的夹角为另一个正方形(2)的内角，正方形(2)的边长为正方形(1)的边长的1/2，正方形(1)和掩膜图形直角之间的另一夹角为正方形(3)的内角，正方形(3)的边长也为正方形(1)的边长的1/2。由于掩膜补偿图形简单，没有斜线，且图形尺寸计算简便准确，可降低光刻版的制作难度，得到非常完整的凸角。
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公开(公告)号：CN1805146A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510127626.X
申请日：2005-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 本发明提供了一种快闪存储器单元，是一种基于垂直沟道场效应晶体管结构的器件，其特征在于，硅台上方的n+掺杂区是源端，硅台两边的n+掺杂区都是漏端，硅台的两侧各有两个多晶硅栅，外侧的多晶硅栅为控制栅，里侧的多晶硅栅为浮栅，浮栅与沟道区、源区之间为隧穿氧化层，控制栅与沟道区、浮栅之间为阻挡氧化层。所述的硅台两边的n+漏端分开连接，形成共源端的两个存储单元。本发明还提供了上述器件的制备方法，其特征在于，同时采用等离子体耦合高选择比异性刻蚀技术与反应离子刻蚀同性刻蚀技术，自对准形成分裂栅浮栅结构，控制栅对应的沟道长度和浮栅对应的沟道长度都是通过刻蚀技术实现。
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公开(公告)号：CN1794466A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510086933.8
申请日：2005-11-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种比较理想的新型的全耗尽垂直沟道双栅场效应晶体管，具有如下特点：是一种全耗尽的垂直沟道双栅结构；沟道长度和沟道硅膜厚度都能不依赖于光刻技术，这两个关键尺寸都可以被精确而均匀控制；而且可以在单位面积上实现两个并联的全耗尽垂直沟道双栅结构，从而增大器件的开态驱动电流。该结构在高集成度、低压低功耗的存储器和逻辑电路方面，具有很高的应用价值。本发明还提出了这种新型结构的制备方法，结合了三种工艺技术：替代栅技术、锗作牺牲层和锗的选择腐蚀、选择外延技术，在一个单元面积上形成两个全耗尽双栅垂直沟道器件，而且全耗尽双栅器件的两个关键尺寸，都可以得到精确控制，完全不依赖于光刻技术。
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公开(公告)号：CN1240995C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN03109492.9
申请日：2003-04-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微悬臂梁传感器及其制作方法，它包括一芯片，所述芯片上设置有至少一组传感单元，所述传感单元由组成惠斯通电桥的四个完全相同的力敏电阻和两个悬臂梁组成，其中两个所述力敏电阻位于所述芯片的衬底上，另外两个电阻分别位于所述两悬臂梁上，其中一个所述悬臂梁作为测量悬臂梁，另一个所述悬臂梁作为参考悬臂梁，其特征在于：在所述芯片上设置有一微槽，所述悬臂梁设置在所述微槽内，所述力敏电阻的材料采用单晶硅或多晶硅，在所述单晶硅或多晶硅正面掺杂有硼离子，在所述力敏电阻上、下表面设置有氮化硅或氧化硅保护层，共同组成所述悬臂梁，所述测量悬臂梁表面设置有敏感层。本发明在环境监测，临床的诊断和治疗、新药开发、食品安全、工业加工控制、军事等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1684546A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200410033638.1
申请日：2004-04-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种微硅麦克风及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域，该微硅麦克风包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜，多晶硅薄膜为可动极板，单晶硅薄膜上设有若干个释放孔，在多晶硅薄膜上形成加强筋结构，该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应，且镶嵌在释放孔中。本发明的制备方法是利用ICP技术进行深槽刻蚀的制造工艺，该工艺既可以得到释放孔，又可实现带有加强筋结构的多晶硅薄膜，工艺流程简单，工艺兼容好，所制备的麦克风成本低、结构应力小、稳定性好且可靠性高。
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