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公开(公告)号：CN101661944A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810118876.0
申请日：2008-08-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146 , H01L23/522 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L21/768 , H04N5/30
Abstract: 本发明公开了一种紫外图像传感器的像素单元及其制备方法。该传感器像素单元包括一衬底，在衬底上集成两个薄膜晶体管，一个薄膜晶体管为驱动晶体管，包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极、遮光层和钝化层；另一个薄膜晶体管为探测晶体管，该探测晶体管包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极和钝化层。驱动晶体管的栅电极与图像传感器的行扫描线相连，驱动晶体管的漏电极与图像传感器的列数据线相连；探测晶体管的漏电极与驱动晶体管的源电极相连，探测晶体管的源电极接地或接到下一行的行扫描线，探测晶体管的栅电极接地或偏置。本发明不同于传统的单晶半导体器件，具有更强的灵活性和更低的成本，其分辨率和灵敏度得到显著提高。
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公开(公告)号：CN101540295A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910082236.3
申请日：2009-04-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/312 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种TSV通孔的侧壁绝缘层的制备方法。属于微电子封装技术。该方法包括：在普通硅片、SOI片或表面加工有集成电路的标准硅片上刻蚀的TSV通孔内淀积一绝缘层；在绝缘层上淀积一有机薄膜；利用各向异性刻蚀，去除TSV通孔底部的有机薄膜；然后刻蚀掉TSV通孔底部的绝缘层；再次利用各向异性刻蚀，将剩余的有机薄膜全部去除，从而获得完整的TSV通孔的侧壁绝缘层。本发明利用了有机薄膜作为刻蚀保护层，极大的提高了TSV通孔侧壁绝缘层的质量和性能，很好的保证了通孔内金属与硅片之间的绝缘性能，从而提高了TSV互连的可靠性。
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公开(公告)号：CN1953315A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610113570.7
申请日：2006-09-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了加工基于无机驻极体的MEMS微发电机的方法。本发明加工方法，包括如下步骤：1)在无机衬底表面光刻、溅射金属电极，剥离得到下金属电极；2)在无机衬底表面沉积无机驻极体薄膜，经光刻腐蚀形成驻极体图形；3)在硅衬底上表面光刻，腐蚀出浅槽，并在硅表面注入硼；4)将所述硅衬底与所述无机衬底表面牢固结合在一起，其中，硅衬底带有浅槽的表面与无机衬底带有驻极体图形的表面相对；5)通过光刻并刻蚀上层硅衬底形成上极板，刻蚀位置与驻极体图形的位置相对应；6)在无机驻极体薄膜内注入电荷，得到所述MEMS微发电机。本发明方法具有与集成电路工艺兼容性好，可批量生产，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN1259231C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN02100469.2
申请日：2002-02-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统器件的真空封装方法，采用了蒸镀的方法，在一批多个封装外壳内壁的一部或全部同时建立吸气薄膜结构，能有效吸附真空封装过程中释放的残余气体和器件寿命期漏入或内部结构放出的气体，从而起到维持真空的作用。其有效面积大，吸气能力强，真空度保持效果好；附着力强，固定性好，几乎不占用空间，而且适用于形状各异、尺寸微小的封装腔体。其工艺流程与现有微机械加工技术衔接好、成本低、便于批量加工、成品率高、真空保持时效长、真空度高等特点，可用于射频、惯性、真空微电子等MEMS器件芯片的器件级封装和芯片级封装的真空封装。
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公开(公告)号：CN1127106C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN01102116.0
申请日：2001-01-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01H13/702
Abstract: 本发明公开了一种硅、金属、介质膜桥RF MEMS开关，其活动桥由支架和硅梁、介质膜、金属膜(同时也是上电极)组成，介质膜制备在活动桥上，而不是制备在信号电极上。采用本发明的技术方案，消除了介质层制备在传输线上引起的信号传输损耗，减小RF MEMS开关的插入损耗；以硅为桥膜，提高RF MEMS开关的开关性能、使用寿命和可靠性，也便于实现RF MEMS开关的制备工艺与IC工艺的兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1289659A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN00124752.2
申请日：2000-09-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种用于低温真空封焊的微机电系统(Micro－Electronic－Mechanic System以下简称MEMS)的真空封装外壳的设计以及相应的封装工艺。它结合了微电子技术与真空电子技术的技术特长,对传统混合集成电路所用的金属管壳进行了局部的改进,开发出低成本的MEMS真空封装管壳,并且相应地革新了低温钎焊工艺和吸气剂激活工艺流程,从而实现了简便实用的MEMS真空封装,可广泛应用于微陀螺等MEMS的封装。
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公开(公告)号：CN111241867B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201811429713.4
申请日：2018-11-28
Applicant: 茂丞(郑州)超声科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种具悬浮结构的晶圆级超声波芯片模块，包含基板、复合层、以及底材，基板具有贯通槽，贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面，复合层位于基板上，复合层包括超声波体及保护层，超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面，保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面，复合层具有沟槽，沟槽连通保护层的上表面、保护层的下表面及贯通槽，且沟槽围绕超声波体周围的一部分且超声波体对应于贯通槽，底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽，以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的一上表面之间形成空间，空间连通沟槽。
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公开(公告)号：CN114964356A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210384332.9
申请日：2022-04-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明提出一种氮化铝膜参数提取方法，涉及材料参数提取技术领域，能够精确提取氮化铝膜的材料系数。根据本发明实施例中的氮化铝膜参数提取方法，包括：基于待测氮化铝膜制作参数提取组件；测量参数提取组件的阻抗谱，并根据阻抗谱计算得到参数提取组件中待测氮化铝膜的介电常数；测量参数提取组件的属性参量，并根据属性参量计算得出待测氮化铝膜的压电系数与弹性系数；将待测氮化铝膜的介电常数、压电系数与弹性系数进行整合，得到待测氮化铝膜的材料参数。在本发明实施例中的方法中，由于对氮化铝膜各类材料系数进行分开提取，从而能够减少积累误差，提高提取精度。
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公开(公告)号：CN112864100B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202110045947.4
申请日：2021-01-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种三维异质集成的柔性封装结构及制造方法。柔性封装结构包括：第一柔性材料层上设置至少两个芯片，第一金属互联层设置在第一柔性材料层中并连接对应的芯片，第二柔性材料层设置在第一柔性材料层上并包裹芯片，导电柱设置在第二柔性材料层中并贯穿设置，导电柱连接对应的第一金属互联层，第三柔性材料层设置在第二柔性材料层上，第二金属互联层设置在第三柔性材料层中并连接对应的芯片或导电柱，第一金属互联层和第二金属互联层呈弯折状。通过设置导电柱与金属互联层，使得不同芯片可以在柔性材料中电连接，无需对芯片进行减薄，且将金属互联层设置为弯折状，在弯折拉伸的情况下不会出现断裂等失效问题。
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公开(公告)号：CN112864100A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110045947.4
申请日：2021-01-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种三维异质集成的柔性封装结构及制造方法。柔性封装结构包括：第一柔性材料层上设置至少两个芯片，第一金属互联层设置在第一柔性材料层中并连接对应的芯片，第二柔性材料层设置在第一柔性材料层上并包裹芯片，导电柱设置在第二柔性材料层中并贯穿设置，导电柱连接对应的第一金属互联层，第三柔性材料层设置在第二柔性材料层上，第二金属互联层设置在第三柔性材料层中并连接对应的芯片或导电柱，第一金属互联层和第二金属互联层呈弯折状。通过设置导电柱与金属互联层，使得不同芯片可以在柔性材料中电连接，无需对芯片进行减薄，且将金属互联层设置为弯折状，在弯折拉伸的情况下不会出现断裂等失效问题。
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