公开(公告)号：CN113462532B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202110590385.1

申请日：2021-05-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  许清梅

IPC: C12M1/12

Abstract: 本发明涉及生物样本处理领域，具体公开了一种细胞分离和富集一体化装置，包括：样本过滤杯；过滤杯密封盖板，盖设在进液口处，样本过滤嘴，与所述样本过滤杯可拆卸连接，所述样本过滤嘴的顶端与底端均开设有开口，且所述样本过滤嘴的顶端开口与所述出液口连通；微孔滤膜，位于所述出液口与所述样本过滤嘴的底端开口之间；过滤嘴密封器件，与所述样本过滤嘴的底端连接，用于封堵所述样本过滤嘴的底端开口。本发明的一体化装置集成有细胞俘获、释放和回收功能，能够一体化实现复杂液基样本中稀有细胞分离与富集，在保证细胞活性和保留生化异质性的同时，提高了稀有细胞悬液的回收纯度。

公开(公告)号：CN114162779A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111227408.9

申请日：2021-10-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  刘姚萍 ,  李婷宇

IPC: B81C1/00 ,  B01D53/22 ,  B01D67/00 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  C12M1/12

Abstract: 本发明涉及一种微纳复合滤膜的制备方法。本发明的制备方法基于聚对二甲苯‑微机电系统(MEMS)翻模工艺，首先在硅衬底上加工出微米柱与纳米柱复合结构作为模具，之后通过用聚对二甲苯填充微米柱与纳米柱的间隙来形成微纳复合滤膜结构。本发明方法可以精确控制纳米孔层的厚度，纳米通孔的孔径、孔间距和孔分布，以及支撑层厚度和微米通孔的孔径等。本发明还涉及通过所述制备方法获得的微纳复合滤膜及其应用。

公开(公告)号：CN113629005A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110732564.4

申请日：2021-06-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  韩笑

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，具体公开了一种扇出型封装填埋方法，包括以下步骤：步骤S12：将待封装芯片埋入扇出基板的凹槽内，在所述芯片的上表面、所述芯片的侧面与所述凹槽的侧壁之间的间隙沉积派瑞林介质层；步骤S13：在所述派瑞林介质层上形成金属层；步骤S14：以金属层为掩膜，利用双大马士革镶嵌工艺；依次重复步骤S13‑S14n次，在所述派瑞林介质层内形成n层布线，其中，n≥1，每一层布线均与所述芯片上不同位置处的焊盘或与所述扇出基板不同位置连接。本发明的派瑞林介质层填充缝隙效果好，内部基本不会产生气泡和空腔，并且表面平整度高，工艺稳定性高，工艺兼容性好，也可以降低布线层应力。

公开(公告)号：CN113628956A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110678808.5

申请日：2021-06-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 郑德印 ,  王玮

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种复合孔径薄膜，包括堆叠的第一掺杂硅层和第二掺杂硅层，所述第一掺杂硅层上分布有纳米尺度的通孔，所述第二掺杂硅层上分布有微米尺度的通孔，所述第一掺杂硅层的掺杂浓度大于所述第二掺杂硅层的掺杂浓度。本发明还涉及所述复合孔径薄膜的制备方法。本发明的复合孔径薄膜在厚度方向具有跨微纳尺度变孔径特征，在生物传感、光学、传热等领域内具有提升的性能。本发明的制备方法解决了常规微纳加工工艺难以实现跨尺度变孔径多孔薄膜的制备技术现状，通过表面掺杂工艺改变衬底表面的掺杂浓度，并通过电化学腐蚀工艺制备出在厚度方向具有跨微米至纳米尺度变孔径特征的多孔硅薄膜。

公开(公告)号：CN113488431A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110565908.7

申请日：2021-05-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵浩然 ,  王玮 ,  郑德印 ,  杨宇驰 ,  杜建宇 ,  温博

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种包括高深宽比通孔的玻璃基板的制备方法，包括：提供单层衬底结构；在所述单层衬底结构顶部刻蚀出柱阵列；填充所述柱阵列之间的间隙并覆盖所述柱阵列，从而形成氧化硅填充层；减薄所述氧化硅填充层，以使所述柱阵列暴露；刻蚀去除所述柱阵列，从而形成盲孔；去除剩余的所述单层衬底结构，从而形成具有通孔的玻璃基板。本发明的方法可避免通孔附近的热应力凸起、裂纹、应力不均匀等。

公开(公告)号：CN105842841B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201610289281.6

申请日：2016-05-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  李海达

IPC: G02B26/00

Abstract: 本发明涉及一种基于Parylene的柔性电润湿显示装置及制备方法。该柔性电润湿显示装置，包括若干顶电极、若干底电极和位于顶电极与底电极之间的柔性介质层；在顶电极上设有用于分隔各显示单元的侧壁，在各显示单元的腔室内填充有两种互不相溶的液体，其中有且只有一种液体导电；在柔性介质层与底电极之间设有彩色滤光片；在各显示单元外部设有柔性密封层。所述柔性介质层和所述柔性密封层优选采用Parylene材料。本发明所提供的电润湿显示技术具有密封性好、功耗低的优点，是未来移动便携设备显示的一套成熟可行的解决方案。

公开(公告)号：CN106477517B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510551503.2

申请日：2015-09-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨芳 ,  张大成 ,  何军 ,  张立 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: B81C99/00

Abstract: 本发明公开了一种表征硅片表面粗糙度的方法，通过测特定条件下的电流值来表征硅片表面的粗糙度。此方法具备方法简单、不需要大型高精密仪器的优点，有利于MEMS加工环境中的现场测量。

公开(公告)号：CN104729919B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201510108879.6

申请日：2015-03-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  张立 ,  王玮 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷

IPC: G01N3/08

Abstract: 本发明公开了一种提取体硅工艺制造的微梁拉伸断裂强度的方法及系统，利用新设计的片上试验机结构和微电子工艺检测分析用探针台相结合的系统，提取微梁的拉伸断裂强度参数。此方法可用来进行刻蚀(腐蚀)工艺监测，也可用来预测器件的机械可靠性。具备自定位、自测力能力；具备施加大负载的能力(mN以上的力)，满足各种测量要求；方法简单，不需要大型高精密仪器。

公开(公告)号：CN106206161A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610495889.4

申请日：2016-06-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 张立 ,  张大成 ,  杨芳 ,  王玮 ,  李睿 ,  关淘淘 ,  范泽新

IPC: H01H50/00

CPC classification number: H01H50/005

Abstract: 本发明提供一种基于洛伦兹力的新型离面MEMS开关，包括：一衬底；一对称吸合板，通过依次相连的一矩阵驱动梁和一单悬臂梁，与一固定于所述衬底上的固定锚点连接，该矩阵驱动梁处于一磁场施加区域；一金属对称吸合板，固定于所述衬底上，位于所述对称吸合板的下方；所述衬底为玻璃片；所述对称吸合板上设有一金属电极；所述金属电极通过压焊金属丝引出，该压焊金属丝的数量根据驱动电流大小而定；所述固定锚点上设有一金属电极；所述矩阵驱动梁由多个驱动梁组成；所述固定锚点与所述衬底键合连接；采用SOG体硅工艺制作所述新型离面MEMS开关；所述单悬臂梁、矩阵驱动梁和对称吸合板为低阻硅。

公开(公告)号：CN105760624A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610151305.1

申请日：2016-03-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  皮宇丹 ,  王宁宇 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5018 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/80

Abstract: 本发明涉及一种支持大规模三维集成电路的热仿真和热设计方法。首先对输入的三维集成电路区块参数文件进行解析，得到三维集成电路区块位置、区块形状和尺寸、区块材料对应的热导率、区块包含的功率大小；然后调用有限元仿真工具建立三维集成电路热模型，并进行网格划分和求解器设置；然后进行仿真计算，计算结束后导出三维集成电路热分析结果。进而，利用热仿真结果对三维集成电路进行热评估，计算平面内温度方差，平面内最高温度、最低温度、平均温度图，以及平面间温度梯度；然后利用分析得出的结论指导三维电路布图、布局和布线。本发明能够在现有计算机硬件计算能力条件下，进行高效的三维集成电路的热仿真和热设计。