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公开(公告)号：CN111834486A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910243160.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/115 , H01L31/028 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种波导型GePb红外光电探测器及其制造方法。所述波导型GePb红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底表面的波导层和器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、吸收层和上接触层，所述吸收层的材料为Ge1-xPbx，其中，0
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公开(公告)号：CN111323941A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811542683.8
申请日：2018-12-17
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明提供一种硅基电光调制器及其制作方法，该硅基电光调制器包括电光调制器结构及与电光调制器结构相连的光循环结构，光循环结构包括n个模式转换反向器，模式转换反向器包括TEi-TEj非对称定向耦合器、反向器及TEj-TEi+1非对称定向耦合器，用于实现TEi-TEi+1模式光之间的转换及光的反向，通过引入n个模式转换反向器，可以实现光的n+1次循环利用。在光经过n+1次循环后，通过TEn-TEk非对称定向耦合器输出。本发明通过基于非对称定向耦合器的光循环结构实现光的循环利用，可以有效减小调制器长度，提高调制器效率，降低调制器能耗，并且本发明的硅基电光调制器光学带宽大，对波导尺寸、温度不敏感，工艺容差大，稳定性高。
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公开(公告)号：CN110957360A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811133445.1
申请日：2018-09-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/267 , H01L21/335
Abstract: 本申请提供一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管及其制造方法，该硅基锗锡高电子迁移率晶体管包括：硅基衬底；位于所述硅基衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层为锗锡(GeSn)材料；以及位于所述沟道层上的间隔层，势垒层和盖层，所述间隔层，势垒层和盖层为III-V族半导体材料，其中，所述间隔层与沟道层的界面形成二维电子气，所述势垒层与栅电极连接，所述盖层与源电极和漏电极连接。根据本实施例,能够提高晶体管的高速性能，并且，GeSn容易与Si基集成电路制造技术集成。
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公开(公告)号：CN110954998A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811134139.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明提供一种激光器与硅光芯片集成结构及其制备方法，激光器与硅光芯片集成结构包括：激光器芯片，所述激光器芯片包括第一波导；硅光芯片，所述硅光芯片包括第二波导，所述第二波导及所述第一波导将所述激光器芯片发出的光以倏逝波耦合的方式耦合至所述硅光芯片内。本发明制备的激光器与硅光芯片集成结构中激光器中的第一波导与硅光芯片中的第二波导通过倏逝波耦合的方式将激光器发出的光耦合至所述硅光芯片内，相比于现有技术中的端面耦合，本发明的耦合方式对倒装焊过程中的对准精度要求更低，即使在对准有误差的实际工艺条件下，仍然具有较高的耦合效率。
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公开(公告)号：CN110896115A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811062635.9
申请日：2018-09-12
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/113 , H01L31/0312 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电晶体管、红外探测器和光电晶体管的制作方法。该光电晶体管包括栅极堆栈；设置于栅极堆栈一侧的有源层；设置于有源层远离栅极堆栈一侧的抗反层；其中，有源层包括沟道区，以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区；其中，有源层的材料为锗锡合金。本发明提供的技术方案通过形成上述光电晶体管结构，并设置有源层的材料为锗锡合金，可使光电晶体管具有较高的灵敏度，且光电晶体管结构简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112242343B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201910646559.4
申请日：2019-07-17
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法，制备方法包括：1)在硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽；2)于局域SOI区域槽及硅衬底表面沉积介质层，并抛光形成平坦表面；3)沉积非晶硅层于硅衬底表面，并通过热退火固相外延工艺使非晶硅层重新结晶形成覆盖于硅衬底及介质层表面的单晶硅层，以形成单晶硅局域SOI衬底，于硅衬底及其上方的单晶硅层制备电学器件，于介质层上的单晶硅层上制备光学器件。采用本发明的方法可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
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公开(公告)号：CN118086864A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211430028.X
申请日：2022-11-15
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮氧化硅波导层的制作方法，包括以下步骤：于反应腔室中通入反应气体，反应气体包括SiH4、N2O与NH3，其中，SiH4的气体流量范围为110～120sccm，N2O的气体流量范围为700～900sccm，NH3的气体流量范围为20～30sccm；采用等离子体增强化学气相沉积法生成氮氧化硅薄膜层；对氮氧化硅薄膜层进行高温退火，高温退火的温度不低于1000℃。本发明的氮氧化硅波导层的制作方法中，通过调节气体比例，调节氮氧化硅薄膜层中的氮原子含量，降低氮氧化硅薄膜层的应力，在高温退火后氮氧化硅薄膜层不会发生膜裂，能够降低光损耗，可广泛应用于硅光子领域。
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公开(公告)号：CN117631334A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210993738.7
申请日：2022-08-18
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种集总型电光调制器及其制备方法，集总型电光调制器包括：第一光波导结构，包括第一光波导，其包括第一输入/输出端以及第一反射端；第二光波导结构，包括第二光波导，其包括第二输入/输出端以及第二反射端，第二光波导结构中设置有电光调制器，用于产生电光效应并根据电光效应对第二光波导结构的光波产生相应的调制效果；电学结构，包括连接于电光调制器的第一输入端和第二输入端，用于向电光调制器施加电信号，第一输入端连接有电感结构，用于降低电光调制器两端因电信号频率造成的电压变化。本发明具有器件尺寸小集成度高的优点，同时串联电感的设计提高了器件的高频性能，在高速光互连光通讯领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN116247109A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111485465.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105
Abstract: 本发明提供一种波导型光电探测器及双边输入波导型光电探测器结构，波导型光电探测器包括：衬底，衬底上形成有探测器区域，探测器区域包括N型掺杂区以及位于N型掺杂区局部区域的N型重掺杂形成N型重掺杂区；第一锗光吸收层，位于N型掺杂区上；P型重掺杂的锗材料层，位于第一锗光吸收层上；第二锗光吸收层，位于P型重掺杂的锗材料层上；N型重掺杂的锗材料层，位于第二锗光吸收层上。本发明通过双端输入的光电探测器和背对背的PN结结构，可以明显减小空间电荷效应的影响，实现高饱和输出功率的光电探测器。
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公开(公告)号：CN116153850A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111392254.9
申请日：2021-11-19
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种非对称大深宽比沟槽的填充方法，包括：1)于基底形成非对称深沟槽；2)第一次沉积第一隔离介质层，随着第一隔离介质层的生长，非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第一封口；3)腐蚀第一隔离介质层，直至将第一封口打开，形成具有一宽度的开口；4)第二次沉积第二隔离介质层，第二隔离介质层在非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第二封口，第二封口的高度低于第一封口的高度；5)重复进行步骤3)和步骤4)，以将最终的封口高度降低至目标高度。本发明仅需采用传统的隔离介质层沉积和腐蚀工艺技术便可有效控制孔隙的顶部封口位置，解决了用更先进设备也无法解决的非对称大深宽比硅沟槽填充问题，同时大大降低了填充成本。
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