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公开(公告)号：CN116351444A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310340943.8
申请日：2023-03-31
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: B01J27/122 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/40
Abstract: 本发明公开一种Cs2CuBr4纳米晶的制备方法与应用。所述制备方法为：将Cs2CuBr4纳米晶嵌入到介孔CeO2基体的介孔孔道中，形成Cs2CuBr4/CeO2S‑型异质结纳米晶。该Cs2CuBr4纳米晶可作为光催化剂应用在光催化还原CO2中。本发明提供的一种Cs2CuBr4/CeO2S‑型异质结光催化剂，具有很高的载流子分离效率和稳定性，而且保留了Cs2CuBr4纳米晶的强还原能力。其制备方法简单，可控性强，容易实现规模化生产。
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公开(公告)号：CN116285991A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310252155.3
申请日：2023-03-15
Applicant: 上海应用技术大学 , 上海鼎晖科技股份有限公司
IPC: C09K11/86
Abstract: 本发明公开了一种紫外激发的Eu3+掺杂氟基磷灰石结构红色荧光材料，所述Eu3+掺杂氟基磷灰石结构荧光材料的化学通式为Ca2(Y1‑xEux)8(BO4)2(SiO4)4F2(0＜x≤15at％)，发光中心为稀土离子Eu3+。还公开了其制备方法，首先按照化学计量比将原料进行混合、研磨均匀后得到初始料，随后装入刚玉坩埚，在马弗炉中升温进行预烧结，保温；将预烧结的样品取出，置于研钵中研磨均匀后，再放入马弗炉中进行高温固相烧结，最后得到Eu3+掺杂的氟基磷灰石结构红色荧光材料。氟离子掺杂对磷灰石结构荧光材料发光性能有所改善，且该荧光材料在紫外LED芯片393nm激发下发出红光，发射中心位于614nm，具有高显色指数和量子效率，有效适用于紫外激发暖白光LED照明和显示等领域，是一类有潜质的新型发光材料。
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公开(公告)号：CN115520898A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211205790.8
申请日：2022-09-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开本发明公开了一种片状微晶粉体的制备方法及应用。本发明的片状微晶粉体的化学通式为(Mg1‑xZnx)4(Ta1‑yNby)2O9，其中x＝0～1，y＝0～1。其制备方法为：按化学通式称取原料，并称取NaCl和KCl原料；各原料与无水乙醇研磨混匀并烘干，于马弗炉中950℃下烧结；将烧结样品研磨至粉碎后转移至玻璃杯，加入去离子水，采用加热搅拌溶解‑抽滤的方法除去其中的NaCl和KCl熔盐，最后干燥即得片状微晶粉体。该片状微晶粉体的晶粒取向性明显，径向长度为0.1～2.5μm，厚度为0.05～0.3μm，具有大的宽高比。可作为制造微波介质陶瓷、闪烁透明陶瓷、硼酸盐玻璃微晶闪烁体等的前驱粉体。
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公开(公告)号：CN113563882B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110913543.2
申请日：2021-08-10
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种闪烁发光材料及其制备方法。所述闪烁发光材料的化学通式为(Mg1‑xZnx)4(Ta1‑yNby)2O9，其中，x＝0～1，y＝0～1。制备方法为：按化学通式称取原料，将所有原料混合均匀；然后将混合物在空气气氛中依次预烧、煅烧，再自然冷却到室温，研磨即可。本发明中的闪烁发光材料采用高温固相法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。在X射线激发下，得到的样品光产额在18035～70150ph/MeV，最高可达CsI(Tl)的1.3倍、Mg4Ta2O9(MTO)和CdWO4的4.4倍。
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公开(公告)号：CN113372004B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110746405.X
申请日：2021-07-01
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种硼酸盐闪烁微晶玻璃及其制备方法和应用。本发明的硼酸盐闪烁微晶玻璃的化学组成表达式为Li2B4O7‑(Mg1‑xZnx)4(Ta1‑yNby)2O9，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，微晶相(Mg1‑xZnx)4(Ta1‑yNby)2O9的掺杂比例为1～20wt％。本发明中的闪烁发光材料采用高温固相法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。本发明的闪烁微晶玻璃在X射线激发下，光产额在948～3606ph/MeV。其中Li2B4O7‑15wt％(Mg0.5Zn0.5)4(Ta0.5Nb0.5)2O9的光产额最高，是BGO晶体的45.1％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115261990A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211057076.9
申请日：2022-08-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高饱和衍射效率的铌酸锂晶体，将原料混合充分研磨后，将籽晶固定在坩埚底部种井部位，然后将所有混合原料装入铂金坩埚并封好，置于晶体生长炉生长晶体并控制炉内温度1300‑1400℃，利用坩埚下降法法生长晶体，生长速度为0.2‑0.4mm/h，Mg离子和U离子的掺入大幅度提高了LiNbO3晶体的饱和衍射效率和光折变响应时间。还公开了该铌酸锂晶体的制备方法。本发明实现了高饱和衍射效率、快响应铌酸锂单晶的生长，并且工艺设备简单，可同时生长多根晶体，可极大提高铌酸锂晶体的生产效率，推动其在全息领域的应用。
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公开(公告)号：CN115259175A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210735875.0
申请日：2022-06-27
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种钾钠钙钇硼氧化合物、钾钠钙钇硼氧非线性光学晶体及其制备方法和用途。该化合物的化学式为K6NaCaY2(B5O10)3，采用固相反应法合成；所述钾钠钙钇硼氧非线性光学晶体不具有对称中心，属三方晶系，空间群R32，晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝120°，Z＝18，采用高温熔液法生长，该晶体倍频效应为KDP的0.5倍，机械硬度大，易于加工和保存，在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中可得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN114032092A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111533222.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+掺杂的近红外波段发光材料及其制备方法。本发明的Cr3+掺杂的近红外波段发光材料的化学通式为CsA3+1‑yB4+2O6:yCr3+，其中，A3+选自Al3+、Ga3+和In3+中的至少一种，B4+选自Si4+、Ge4+、Sn4+、Ti4+和Zr4+中的至少一种；0.01at％
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公开(公告)号：CN113930842A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111196561.X
申请日：2021-10-14
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种铈掺杂硼酸镥锂晶体的制备方法，涉及晶体生长领域。本发明的铈掺杂硼酸镥锂晶体的化学式为Li6CexLu1‑xB3O9，x的取值范围是0＜x≤0.1；其制备方法为：将高纯氧化物原料事先合成，在坩埚下降法生长炉内生长晶体，本发明的制备方法与提拉法相比，优点是：温度场稳定，组分不易挥发，成品率高，生长的晶体尺寸和外形可以控制，小的温度梯度使晶体不易开裂，有效解决了熔体成分挥发和晶体开裂的技术难题，实现大尺寸硼酸镥锂晶体的稳定生长。另外，本发明的制备方法设备简单，操作方便，能耗低，生长效率高、成本低，可实现工业化生产。
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