公开(公告)号：CN118783921A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410299483.3

申请日：2024-03-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柴田贤一 ,  日下祐一

IPC: H03H11/32 ,  H04B1/40

Abstract: 本公开的各实施例涉及平衡‑不平衡转换器电路和半导体设备。平衡‑不平衡转换器电路设置在发送器与公共天线端子之间，该发送器和接收器耦合到该公共天线端子。该平衡‑不平衡转换器包括在一端或两端处耦合到该发送器的电感器L1、该接收器的输入节点、以及设置在地或第一偏置电源之间的电感器L2。该电感器L2包括与该电感器L1具有互感的电感器。该电感器L2是可变电感器。

公开(公告)号：CN111343456B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN201911158718.2

申请日：2019-11-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 细川磨生 ,  加谷俊之 ,  柴山哲也 ,  望月诚二 ,  宇根智浩 ,  秋江一志

IPC: H04N19/107 ,  H04N19/176 ,  H04N19/56 ,  H04N19/61 ,  H04N19/625 ,  H04N19/86

Abstract: 一种视频编码设备包括：局部解码生成单元，用于基于分割图像的编码结果来生成参考图像；压缩单元，用于压缩参考图像以生成压缩数据；参考图像存储确定单元，用于确定是否将压缩数据存储在存储器中；以及帧间预测单元，基于存储在存储器中的参考图像来执行运动矢量搜索以进行帧间编码。参考图像存储确定单元针对运动图像数据的每个确定的区域来设置用于存储参考图像的可允许数据量，并且基于可允许数据量来确定是否将通过压缩参考图像而获得的压缩数据存储在存储器中。帧间预测单元将与存储器中存储的压缩数据相对应的参考图像设置为运动矢量搜索的搜索范围。

公开(公告)号：CN110098258B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201910087496.3

申请日：2019-01-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 冈本康宏 ,  町田信夫 ,  新井耕一 ,  久田贤一 ,  山下泰典 ,  江口聪司 ,  宫本广信 ,  酒井敦 ,  永久克己

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在作为SiC衬底的半导体衬底上形成漂移层。漂移层包括第一至第三n型半导体层和p型杂质区域。在此，第二n型半导体层的杂质浓度高于第一n型半导体层的杂质浓度和第三n型半导体层的杂质浓度。而且，在平面图中，位于彼此相邻的p型杂质区域之间的第二半导体层与在沟槽中形成的栅极电极的至少一部分重叠。

公开(公告)号：CN118676449A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410233419.5

申请日：2024-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 穗刈正树 ,  前田博史 ,  田所博 ,  野口健司 ,  小池洋惠

IPC: H01M10/42 ,  H01M10/48

Abstract: 本公开的一个或多个实施例涉及电池设备、控制方法和控制程序。根据本实施例的电池设备包括：锂离子电池单元；应变计，被附接到电池单元的表面；温度传感器，检测电池单元的温度；以及测量设备，测量设备基于由温度传感器检测的温度和应变计的应变量，来计算电池单元的荷电状态SOC，应变计的应变量根据由电池单元的充电和放电引起的体积变化而改变。

公开(公告)号：CN118676092A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410197944.6

申请日：2024-02-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 星贵也 ,  英贺文昭

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/488 ,  H01L29/41

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件，该半导体器件的多个导线包括：第一导线，第一导线连接到端部电极和多个端子中的第一端子中的每一者；以及第二导线，第二导线连接到非端部电极和多个端子中的第二端子中的每一者。第一导线的环路高度大于第二导线的环路高度。

公开(公告)号：CN118632526A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410170553.5

申请日：2024-02-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平岩英治 ,  长井大诚 ,  清水秀 ,  奈仓健

IPC: H10B20/25 ,  H01L23/525 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括形成在有源区中的熔丝晶体管。在第一方向上，有源区由第一元件隔离膜和第二元件隔离膜限定。熔丝晶体管包括栅极电介质膜、栅极电极和半导体区域，半导体区域在与第一方向垂直的第二方向上形成在栅极电极的两侧。在第一方向上，栅极电介质膜具有中心部分、第一外围部分和第二外围部分。中心部分与第一元件隔离膜和第二元件隔离膜间隔开，第一外围部分到达第一元件隔离膜，并且第二外围部分到达第二元件隔离膜。栅极电介质膜的中心部分具有第一厚度，并且第一外围部分和第二外围部分中的每一者具有大于第一厚度的第二厚度。

公开(公告)号：CN118629864A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410176450.X

申请日：2024-02-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 丸山隆弘 ,  绫野智贵 ,  安孙子雄哉

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：场板电极经由第一绝缘膜而形成在沟槽的内部；场板电极的另一部分被选择性地去除，使得场板电极的一部分被作为引线部分保留；在第一绝缘膜凹陷之后，保护膜被形成在第一绝缘膜上；栅极绝缘膜形成在沟槽的内部，并且第二绝缘膜形成，以覆盖场板电极；导电膜形成在栅极绝缘膜、第二绝缘膜和保护膜上；通过去除位于沟槽外部的导电膜，栅极电极形成在场板电极上，此时，在保护膜和第二绝缘膜中的一者上形成的、与引线部分接触的导电膜被去除。

公开(公告)号：CN118589413A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410189466.4

申请日：2024-02-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 西谷朋也

IPC: H02H3/20

Abstract: 本公开的各实施例涉及过电压保护电路、连接器和半导体设备。根据一个实施例，一种过电压保护电路包括：电流输出电路，包括布置在电源与CC端子之间的第一晶体管和布置在第一晶体管与CC端子之间的第二晶体管，该电流输出电路向要被驱动的第一晶体管输出电流，使得电流从电源流出；以及栅极输入电路，控制第二晶体管的栅极的电压和背栅极的电压，栅极输入电路响应于施加到CC端子的电压而控制第二晶体管的栅极的电压和背栅极的电压，并且电流输出电路在第二晶体管的控制下保护第一晶体管免受施加到CC端子的电压的影响。

公开(公告)号：CN111540784B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202010080720.9

申请日：2020-02-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 德田悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。公开了一种实现小型化和高击穿电压二者的半导体器件。半导体器件具有形成在沿Y方向延伸的沟槽TR中的栅极电极G1和包括形成在漂移区域ND中的柱区域PC1到PC3的多个柱区域PC。柱区域PC1、PC2和PC3以交错方式设置，以夹住沟槽TR。连接柱区域PC1和PC2的中心的线与连接柱区域PC1和PC3的中心的线形成的角度θ1大于或等于60度且小于或等于90度。

公开(公告)号：CN111640789B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202010130422.6

申请日：2020-02-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山口直

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H10B41/30 ,  H10B43/30 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。在具有由鳍型MISFET配置的MONOS存储器的半导体器件中，防止了布线之间的寄生电容伴随半导体器件小型化的增加，并且提高了半导体器件的可靠性。在存储器单元阵列中，其中布置了在鳍上形成的多个MONOS型存储器单元，在鳍的短方向上布置的多个鳍上形成的源极区域通过跨过鳍的一个外延层彼此电连接。