公开(公告)号：CN118629864A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410176450.X

申请日：2024-02-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 丸山隆弘 ,  绫野智贵 ,  安孙子雄哉

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：场板电极经由第一绝缘膜而形成在沟槽的内部；场板电极的另一部分被选择性地去除，使得场板电极的一部分被作为引线部分保留；在第一绝缘膜凹陷之后，保护膜被形成在第一绝缘膜上；栅极绝缘膜形成在沟槽的内部，并且第二绝缘膜形成，以覆盖场板电极；导电膜形成在栅极绝缘膜、第二绝缘膜和保护膜上；通过去除位于沟槽外部的导电膜，栅极电极形成在场板电极上，此时，在保护膜和第二绝缘膜中的一者上形成的、与引线部分接触的导电膜被去除。

公开(公告)号：CN117650160A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202310887281.6

申请日：2023-07-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 绫野智贵 ,  丸山隆弘 ,  安孙子雄哉

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底中形成了沟槽。在该沟槽中并且在该半导体衬底的上表面上形成绝缘膜。对该绝缘膜执行离子注入。对该绝缘膜执行蚀刻处理，由此减小该绝缘膜的厚度。经由该绝缘膜在该沟槽中形成导电膜。在平面视图中，该沟槽沿Y方向延伸。以从相对于该半导体衬底的该上表面的法线的延伸方向倾斜预定角度的方向，执行上述离子注入。