公开(公告)号：CN118632526A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410170553.5

申请日：2024-02-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平岩英治 ,  长井大诚 ,  清水秀 ,  奈仓健

IPC: H10B20/25 ,  H01L23/525 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括形成在有源区中的熔丝晶体管。在第一方向上，有源区由第一元件隔离膜和第二元件隔离膜限定。熔丝晶体管包括栅极电介质膜、栅极电极和半导体区域，半导体区域在与第一方向垂直的第二方向上形成在栅极电极的两侧。在第一方向上，栅极电介质膜具有中心部分、第一外围部分和第二外围部分。中心部分与第一元件隔离膜和第二元件隔离膜间隔开，第一外围部分到达第一元件隔离膜，并且第二外围部分到达第二元件隔离膜。栅极电介质膜的中心部分具有第一厚度，并且第一外围部分和第二外围部分中的每一者具有大于第一厚度的第二厚度。

公开(公告)号：CN118055694A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311420273.7

申请日：2023-10-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 杉山祐树 ,  平岩英治 ,  满生彰

IPC: H10N97/00

Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件的制造方法，包括：在MIM区域和布线区域中依次沉积第一导体膜、介电膜和第二导体膜；选择性地去除第二导体膜，由此从第二导体膜形成电容器元件的上电极；选择性地去除所暴露的介电膜，从而暴露布线区域中的第一导体膜，并形成具有凸缘部分的介电层，该凸缘部分从MIM区域中的上电极下方的区域向外突出；以及选择性地去除第一导体膜，由此从第一导体膜形成电容器元件的下电极，并且在布线区域中从其上表面被暴露的第一导体膜形成布线图案。