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公开(公告)号：CN118055694A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311420273.7
申请日：2023-10-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H10N97/00
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件的制造方法，包括：在MIM区域和布线区域中依次沉积第一导体膜、介电膜和第二导体膜；选择性地去除第二导体膜，由此从第二导体膜形成电容器元件的上电极；选择性地去除所暴露的介电膜，从而暴露布线区域中的第一导体膜，并形成具有凸缘部分的介电层，该凸缘部分从MIM区域中的上电极下方的区域向外突出；以及选择性地去除第一导体膜，由此从第一导体膜形成电容器元件的下电极，并且在布线区域中从其上表面被暴露的第一导体膜形成布线图案。
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