公开(公告)号：CN104411504A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380032179.2

申请日：2013-06-19

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 高冈启吾 ,  大日孝泰 ,  吉川一男 ,  古保里隆

IPC: B41N1/24 ,  H01L31/0224 ,  H05K3/12

CPC classification number: B41N1/24 ,  B41C1/14 ,  B41N1/247 ,  H01L31/022425 ,  H05K3/1225 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及在通过丝网印刷形成指状电极以及母线电极时所使用的丝网印刷用网眼部件。该网眼部件是在压延金属箔通过蚀刻进行开孔加工而得到的。在指状电极对应部，形成为横长型的各个孔排列设置在与该孔的横长方向正交的方向上，该横长方向长度大于印刷图案预定部的宽度，其端部延伸到印刷图案预定部的外侧而形成。指状电极对应部中的开口面积率大于母线电极对应部中的开口面积率。

公开(公告)号：CN103415488B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201280011369.1

申请日：2012-03-01

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 后藤裕史 ,  岩崎祐纪

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体及溅射靶，其兼具较高的导电性和相对密度，能形成具有较高的载流子迁移率的氧化物半导体膜，特别是即使利用直流溅射法制造也能长时间稳定地进行放电。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和从由A1、Hf、Ni、Si、Ga、In及Ta构成的组中选择的至少一种金属(M金属)的氧化物混合并烧结而得到的氧化物烧结体，将利用高斯分布来模拟面内方向及深度方向的电阻率时，所述电阻率的分散系数σ为0.02以下。

公开(公告)号：CN104245623A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380019399.1

申请日：2013-04-10

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 武富雄一 ,  田尾幸树 ,  金丸守贺

IPC: C04B35/447 ,  C04B35/645 ,  C23C14/34 ,  H01M10/0562

CPC classification number: H01J37/3429 ,  C01D15/00 ,  C04B35/447 ,  C04B35/62605 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C23C14/3414 ,  H01J2237/332 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562

Abstract: 本发明提供一种不会发生靶的裂纹和异常放电，能够稳定地并以高的成膜速度成膜为作为二次电池等的固体电解质有用的含Li磷酸化合物薄膜，兼备高相对密度和微细的晶粒直径，并且抑制了气孔等缺陷(空隙)的含Li磷酸化合物烧结体。本发明的含Li磷酸化合物烧结体具有以下要旨：在烧结体内部的截面1mm2的区域中不存在50μm以上的缺陷，平均晶粒直径在15μm以下，相对密度在85％以上。

公开(公告)号：CN104204283A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380015355.1

申请日：2013-03-19

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  株式会社丰岛制作所

Inventor： 武富雄一 ,  田尾幸树 ,  金丸守贺 ,  坂井健二 ,  长谷山秀悦 ,  菊山英志

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01M4/525

CPC classification number: H01J37/3426 ,  B28B3/025 ,  C04B35/01 ,  C04B35/016 ,  C04B35/26 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01J2237/332 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M6/40

Abstract: 本发明提供一种含Li过渡金属氧化物烧结体，其作为杂质元素的Al、Si、Zr、Ca以及Y被抑制为Al≤90ppm、Si≤100ppm、Zr≤100ppm、Ca≤80ppm、Y≤20ppm的范围内，并且满足相对密度为95％以上以及电阻率小于2×107Ωcm。根据本发明，能够不产生异常放电地、稳定地以高成膜速度成膜为作为二次电池等的正极薄膜来说有用的含Li过渡金属氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN103764345A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280040082.1

申请日：2012-08-17

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 吉川一男 ,  家口浩 ,  藤泽和久 ,  阿南匡范 ,  浦塚昭典 ,  松岛义武

IPC: B24B27/06 ,  B28D5/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B28D5/045 ,  B23D61/185 ,  B28D5/007 ,  H01L21/304 ,  Y02P70/179 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/31

Abstract: 本发明提供一种使用锯丝切断工件时，加工变质层深度浅，能够得到平滑的表面的切断体的树脂被覆锯丝。本发明涉及树脂被覆锯丝，是一种以锯床切断工件时所使用的树脂被覆锯丝，其含有：钢线；和被覆所述钢线的表面，不含磨粒，并且120℃下的硬度为0.07GPa以上的树脂皮膜，所述树脂皮膜，以抑制在切断工件所喷吹的磨粒侵入树脂皮膜的方式控制硬度。

公开(公告)号：CN103348036A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201180066834.7

申请日：2011-12-20

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 松本克史 ,  中井淳一 ,  高木敏晃

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/00 ,  C22C21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C22C1/02 ,  C22C9/00 ,  C22C21/00 ,  C23C14/3414

Abstract: 在将距Al基合金或Cu基合金溅射靶的最表面1mm以内的深度的溅射面法线方向的结晶方位 ±15°、 ±15°、 ±15°、 ±15°及 ±15°的合计面积率设为P值时，满足下述（1）及/或（2）的要件，由此可提高预溅射时以及接着进行的向基板等的溅射时的成膜速度，且能够抑制飞溅等溅射不良。其中，（1）相对于所述P值的 ±15°的面积率PA：40%以下，（2）相对于所述P值的 ±15°和 ±15°的合计面积率PB：20%以上。

公开(公告)号：CN103311147A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310068740.4

申请日：2013-03-05

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 迫田尚和 ,  高松弘行 ,  乾昌广 ,  尾岛太

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N22/00

Abstract: 本发明所涉及的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法是利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性的装置及方法。在进行该半导体膜的结晶性评价时，具有指定厚度的介电体板被设置在所述半导体膜中激发光及电磁波所照射的面侧。因此，这样的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法在利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性时，即使在半导体膜下形成有导电性膜的情况下，也因为设置了所述介电体板而能够评价半导体膜的结晶性。

公开(公告)号：CN103098194A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043985.0

申请日：2011-09-01

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 迫田尚和 ,  高松弘行 ,  乾昌广 ,  尾岛太

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01T1/16 ,  G01N21/63 ,  G01N21/8422 ,  G01N22/00 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明涉及薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及结晶性评价方法，其中，通过对薄膜半导体(2a)的样品(2)的测定部位照射激发光及电磁波，并检测来自样品(2)的反射电磁波的强度来对样品(2)的结晶性进行评价。而且，样品(2)的薄膜半导体(2a)形成在导电性膜(2b)上，并且还在样品(2)和放射电磁波的波导管(13)之间设置有对于激发光具有透光性的介电体(3)。因此，具有该构成的薄膜半导体的结晶性评价装置(1)及方法，即使在如上述那样在半导体薄膜(2a)下形成有导电性膜(2b)的情况下，也能够进行该半导体薄膜的结晶性评价。

公开(公告)号：CN102933397A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180027945.7

申请日：2011-06-16

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 高冈启吾 ,  古保里隆

IPC: B41N1/24

CPC classification number: B41N1/24

Abstract: 本发明提供一种丝网印刷用网状构件，其即使在利用高粘度的膏体，减小印刷图案的宽度时，也能够实现印刷高度高，且印刷宽度的偏差的小的印刷，并且具有需要而均匀的强度。本发明的丝网印刷用网状构件，是用于以感光性乳剂形成印刷图案的丝网印刷用网状构件，所述丝网印刷用网状构件由轧制金属箔形成，所述轧制金属箔，具有相当于印刷对象物的印刷区域的部分，和相当于印刷对象物的非印刷区域的部分。在相当于所述印刷区域的部分，具有朝向印刷对象物扩大的这一形状的多个孔配置成一列，并且，设有分离相邻的所述孔的线部彼此没有交叉的区域。

公开(公告)号：CN102498233A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080041069.9

申请日：2010-09-15

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 松崎均 ,  高木胜寿 ,  慈幸范洋 ,  得平雅也

IPC: C23C14/34 ,  G11B7/26

CPC classification number: G11B7/266 ,  C23C14/3414 ,  G11B2007/24302 ,  G11B2007/2432

Abstract: 提供一种对于含有金属氧化物和金属的光信息记录媒体用记录层等的形成有用的金属氧化物-金属复合溅射靶。本发明的溅射靶是含有金属氧化物A和金属B的金属氧化物-金属复合溅射靶，所述金属氧化物A的当量圆直径的最大值控制在200μm以下。