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公开(公告)号：CN1697028A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200410057792.2
申请日：2004-08-19
申请人： 黑罗伊斯有限公司
发明人： 程远达 , 史蒂文·罗格·肯尼迪 , 迈克尔·吉恩·拉辛
IPC分类号： G11B5/66
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/656 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
摘要： 一种制造磁记录介质的方法。该方法包括如下步骤：在衬底上面溅射至少第一下面层，其中该第一下面层包括铬基合金，以及在该第一下面层上面溅射至少第一中间层，其中该第一中间包括钴基合金。该方法还包括下述步骤：在该第一中间层上面溅射至少第一上面层，其中该第一上面层包括钴基合金。该第一下面层，该第一中间层和/或该第一上面层中的至少一层掺杂有X，其中，X是氧化电位小于－0.6电子伏特的金属。该第一下面层，该第一中间层和/或该第一上面层中的至少一层是在有氧的情况下反应性地溅射成的。
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公开(公告)号：CN1620687A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02828087.3
申请日：2002-03-29
申请人： 富士通株式会社
发明人： 安东尼·阿扬
IPC分类号： G11B5/66
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325
摘要： 磁记录介质和磁存储装置。一种磁记录介质，其包括：基础结构；以及合成亚铁磁结构，设置在所述基础结构上，并且形成一记录层。该合成亚铁磁结构至少包括一底部磁层和一顶部磁层，该底部磁层和顶部磁层通过一非磁性间隔层反铁磁地耦合。该底部磁层由超顺磁层制成，而该顶部磁层由铁磁材料制成。在外部施加的磁场为零的剩磁状态下，所述底部磁层和所述顶部磁层的磁矩方向为反向平行。其实现是因为尽管矫顽力对于底部磁层为零，但是由于在剩磁状态下的交换耦合而导致底部磁层处于反饱和状态。
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公开(公告)号：CN1585973A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN02822657.7
申请日：2002-11-14
申请人： 日立麦克赛尔株式会社
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/656 , G11B5/667 , G11B5/7325 , Y10S428/90 , Y10T428/12861 , Y10T428/12875 , Y10T428/24942 , Y10T428/265
摘要： 本发明涉及磁记录介质及其制造方法以及磁存储装置。磁记录介质(100)在衬底(1)上具有软磁性层(3)、籽晶层(5)和具有人工晶格构造的记录层(6)。籽晶层(5)由Pd和从Si、B、C及Zr组成的组中选择的一种元素形成。这样可以减弱记录层(6)的面内方向的磁交换结合力。在记录层(6)上可形成微小的记录磁畴，并且磁化过渡区域清晰，噪声降低。即，即使高密度记录信息也能以低噪声再生。具有这样的磁记录介质的磁存储装置可达到150千兆比特/平方英寸的面记录密度。
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公开(公告)号：CN1577506A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063203.1
申请日：2004-06-30
申请人： 信越化学工业株式会社
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/667 , Y10T428/24372 , Y10T428/24388 , Y10T428/24421 , Y10T428/265
摘要： 一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底和包含记录层的磁记录介质，其中经表面处理的衬底可包含具有足够强的粘合力的厚膜，能够承受调平加工，如在硅衬底上成膜过程中的抛光。一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底，其包括Si衬底及位于Si衬底上的底镀层，其中底镀层是包含金属和Si氧化物的膜。此外，提供一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底，其包括Si衬底及位于Si衬底上的底镀层，其中底镀层的表面上每100μm2存在至少5个和至多50个高度至少为100nm的凸起。进一步，提供一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底，其包括Si衬底、位于Si衬底上的底镀层、以及位于底镀层上方的软磁性层，其中底镀层和软磁性层之间存在一个无磁性中间层。
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公开(公告)号：CN1505005A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN03155952.2
申请日：2003-08-27
申请人： 日立麦克赛尔株式会社
IPC分类号： G11B5/66
摘要： 本发明涉及磁记录媒体以及使用该磁记录媒体的磁记录装置。本发明提供一种具有优良的热稳定性，低媒体噪音的高密度记录用的磁记录媒体及磁存储装置。磁盘(100)，在底板(1)上具有软磁性层(3)、种晶层(4)、具有人工晶格结构的记录层(5)，并且例如软磁性层(3)由Co和B形成，种晶层(4)由Pd和B形成。通过该构成能够使作用于记录层(5)的晶粒间的面内方向的磁交换结合力降低。因此，能够在记录层(5)上形成细微的记录磁畴，同时使磁化过渡区域变得清晰，降低媒体噪音。即，即使高密度地记录信息也能够以低媒体噪音再现。因为人工晶格结构的记录层(5)具有较高的磁各向异性所以也具有良好的热稳定性。
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公开(公告)号：CN1152160C
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN96199649.8
申请日：1996-12-23
申请人： 西加特技术有限责任公司
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/72 , G11B5/7325
摘要： 通过在玻璃或玻璃-陶瓷材料基体(30)上沉积一籽晶层(31)，氧化该籽晶层，在氧化的籽晶层上沉积一垫层(32)，例如铬，使垫层表现出(200)晶向，这样来形成一种有双晶簇微观结构的磁性合金层(33)，从而得到降低了介质噪声的磁记录介质。在具有(200)晶向的垫层上外延生产的磁性合金呈现出双晶簇微观结构。在该磁性合金上沉积一防护层(34)和一润滑剂层(35)，防护层可以是碳。
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公开(公告)号：CN1467707A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03136526.4
申请日：2003-05-22
申请人： 日立麦克赛尔株式会社
摘要： 本发明涉及磁性记录介质及其制造方法和磁性记录装置，提供了一种介质噪音得以降低、能以高S/N再生信息的磁性记录介质的制造方法及磁性记录介质，而且还提供了一种热稳定性优良并能以高密度记录信息的磁性记录装置。按照本发明的磁性记录介质的制造方法，以垂直磁性方式使磁性记录介质成膜时，通过将籽晶层的B含量增大至比记录层中B含量大得多，能够使B从籽晶层向记录层扩散，促进B在记录层内的晶粒晶界部分偏析，进一步减少记录层内晶粒之间磁的相互作用。这样能够大幅度减少迁移噪音。
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