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公开(公告)号：CN100530362C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610143518.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66 , G11B5/02 , G11B11/105
Abstract: 磁记录介质、磁存储器和从磁记录介质中再生信息的方法。本发明提供了一种磁存储器，其包括：磁记录介质，其具有包含晶体磁粒的记录层；加热单元，其选择性地加热所述磁记录介质；以及具有磁记录磁头的记录单元，其中：所述加热单元加热所述磁记录介质，同时所述磁头将信息记录到所述记录层上，并且，所述记录层包括柱状粒结构或者其中设置有纳米颗粒的结构，其中该柱状粒结构在柱状结构中具有晶粒并且在其周围具有非磁性材料。
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公开(公告)号：CN101046978A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610106008.1
申请日：2006-07-19
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明公开一种垂直磁记录介质，其能够防止发生广域磁道擦除现象并能够进行高密度记录。该垂直磁记录介质包括：衬底；软磁衬叠层结构，包括依次层叠在该衬底上的第一磁层、第一非磁性耦合层、第二磁层；中间层，位于该软磁衬叠层结构上，并由非磁性材料形成；以及记录层，位于该中间层上，该记录层具有垂直于该衬底表面的易磁化轴。该第一磁层和该第二磁层由多晶软磁材料形成，该第一磁层和该第二磁层的表面内均具有易磁化轴，并且该第一磁层的磁化与该第二磁层的磁化耦合且彼此反向平行。
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公开(公告)号：CN100527228C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610107996.1
申请日：2006-08-02
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明公开一种垂直磁记录介质，其能够防止发生广域磁道擦除现象并能够进行高密度记录。该垂直磁记录介质包括：衬底；软磁衬层，位于该衬底上；分离层，位于该软磁衬层上，并由非磁性材料形成；磁通控制层，位于该分离层上；以及记录层，位于该磁通控制层上，并具有垂直于该衬底表面的易磁化轴。该磁通控制层由多晶铁磁材料形成，该多晶铁磁材料具有垂直于该衬底表面的易磁化轴。
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公开(公告)号：CN1620687A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02828087.3
申请日：2002-03-29
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 安东尼·阿扬
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 磁记录介质和磁存储装置。一种磁记录介质，其包括：基础结构；以及合成亚铁磁结构，设置在所述基础结构上，并且形成一记录层。该合成亚铁磁结构至少包括一底部磁层和一顶部磁层，该底部磁层和顶部磁层通过一非磁性间隔层反铁磁地耦合。该底部磁层由超顺磁层制成，而该顶部磁层由铁磁材料制成。在外部施加的磁场为零的剩磁状态下，所述底部磁层和所述顶部磁层的磁矩方向为反向平行。其实现是因为尽管矫顽力对于底部磁层为零，但是由于在剩磁状态下的交换耦合而导致底部磁层处于反饱和状态。
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公开(公告)号：CN101295514A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810091599.9
申请日：2008-04-21
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 安东尼·阿扬
Abstract: 根据实施例的一个方面，一种磁记录介质，包括软磁底层；籽晶层，其包括合金并位于所述软磁底层上；Ru包含层，其包括晶状Ru并直接位于所述籽晶层上；以及记录层，其位于所述Ru包含层上。所述合金包括以相邻原子的最小间距彼此接合的金属原子。该合金中原子间的最小间距与该晶状Ru中原子间的最小间距的差值是2％或更小。本发明的磁记录介质在保持高矫顽力并包含更少数量的Ru的同时具有经改善的可写性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100405467C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200410083132.1
申请日：2004-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B11/10589 , G11B5/66
Abstract: 磁记录介质、磁存储器和从磁记录介质中再生信息的方法。一种磁记录介质，其包括：第一磁层；以及形成在所述第一磁层上的第二磁层。所述第一磁层和所述第二磁层之间进行交换耦合，并且，它们的磁化方向相互反平行。所述第一磁层和所述第二磁层的净残留面积磁化强度由下面的公式表示：|Mr1×t1-Mr2×t2|，其中Mr1和Mr2分别表示所述第一磁层和所述第二磁层的剩余磁化强度，t1和t2表示它们各自的膜厚；并且第一温度下的净残留面积磁化强度大于比所述第一温度低的第二温度下的净残留面积磁化强度。
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公开(公告)号：CN101110221A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200610143518.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66 , G11B5/02 , G11B11/105
Abstract: 磁记录介质、磁存储器和从磁记录介质中再生信息的方法。本发明提供了一种磁存储器，其包括：磁记录介质，其具有包含晶体磁粒的记录层；加热单元，其选择性地加热所述磁记录介质；以及具有磁记录磁头的记录单元，其中，所述加热单元加热所述磁记录介质，同时所述磁头将信息记录到所述记录层上。
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公开(公告)号：CN1637868A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410083132.1
申请日：2004-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B11/10589 , G11B5/66
Abstract: 磁记录介质、磁存储器和从磁记录介质中再生信息的方法。一种磁记录介质，其包括：第一磁层；以及形成在所述第一磁层上的第二磁层。所述第一磁层和所述第二磁层之间进行交换耦合，并且，它们的磁化方向相互反平行。所述第一磁层和所述第二磁层的净残留面积磁化强度由下面的公式表示：|Mr1×t1－Mr2×t2|，其中Mr1和Mr2分别表示所述第一磁层和所述第二磁层的剩余磁化强度，t1和t2表示它们各自的膜厚；并且第一温度下的净残留面积磁化强度大于比所述第一温度低的第二温度下的净残留面积磁化强度。
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公开(公告)号：CN101246699A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810005731.X
申请日：2008-02-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/73
CPC classification number: G11B5/667
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录设备。在垂直磁记录介质中，以如这样的方式设置间隔层的厚度，以在两个非晶态的铁磁层之间获得反向平行的磁耦合。当间隔层的厚度改变时，交换场表现振荡行为，并且在不同的厚度处获得交换场的最高值，以及在两个非晶态的铁磁层之间表现反向平行交换。通常的记录介质采用多个厚度中与交换场的最大值对应的最小厚度(1st APS)。另一方面，本发明采用第二小厚度(2nd APS)，以获得较大的间隔层厚度的容许量、改善了可写性并提高了记录性能。
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公开(公告)号：CN101169939A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710153186.4
申请日：2007-09-28
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 安东尼·阿扬
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/7325 , G11B2005/0029
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质及其制造方法以及磁记录系统。其中在垂直介质中，将形成为多晶铁磁层的、包含铁、钴和/或镍的晶化铁磁层用作反平行软衬层(APS－SUL)结构的一部分，以减少中间层的厚度。软衬层结构由非磁性间隔层组成，该非磁性间隔层的厚度被调整为在两个铁磁层之间形成有效的反平行耦合。在由非晶铁磁层形成的下层与由非晶铁磁层和多晶铁磁层形成的上层之间的反平行方向上形成磁耦合。剩磁中软衬层的有效磁化强度为零。多晶铁磁层的厚度优选为1nm至20nm。中间层(例如钌层)直接形成在磁性多晶软衬层上，厚约10nm至20nm。记录磁层和保护层形成在中间层上。本发明能够在降低噪声的同时获得更高的可写性。
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