公开(公告)号：CN101046978A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610106008.1

申请日：2006-07-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 安东尼·阿扬 ,  杉本利夫 ,  稻村良作 ,  金子大树

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/738 ,  H01F1/01

CPC classification number: G11B5/855 ,  G11B5/66 ,  G11B5/667

Abstract: 本发明公开一种垂直磁记录介质，其能够防止发生广域磁道擦除现象并能够进行高密度记录。该垂直磁记录介质包括：衬底；软磁衬叠层结构，包括依次层叠在该衬底上的第一磁层、第一非磁性耦合层、第二磁层；中间层，位于该软磁衬叠层结构上，并由非磁性材料形成；以及记录层，位于该中间层上，该记录层具有垂直于该衬底表面的易磁化轴。该第一磁层和该第二磁层由多晶软磁材料形成，该第一磁层和该第二磁层的表面内均具有易磁化轴，并且该第一磁层的磁化与该第二磁层的磁化耦合且彼此反向平行。