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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100530362C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610143518.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66 , G11B5/02 , G11B11/105
Abstract: 磁记录介质、磁存储器和从磁记录介质中再生信息的方法。本发明提供了一种磁存储器，其包括：磁记录介质，其具有包含晶体磁粒的记录层；加热单元，其选择性地加热所述磁记录介质；以及具有磁记录磁头的记录单元，其中：所述加热单元加热所述磁记录介质，同时所述磁头将信息记录到所述记录层上，并且，所述记录层包括柱状粒结构或者其中设置有纳米颗粒的结构，其中该柱状粒结构在柱状结构中具有晶粒并且在其周围具有非磁性材料。
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公开(公告)号：CN101546563A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200810181566.3
申请日：2008-11-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/66
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁记录装置。公开的磁记录介质包括：基片；设置在所述基片上的软磁性衬垫层；设置在所述软磁性衬垫层上的中间层；设置在所述中间层上并且具有垂直磁各向异性的第一记录层；设置在所述第一记录层上的交换耦合能量控制层，该交换耦合能量控制层由粒状材料制成，在该粒状材料中向包括钌的金属添加了氧化物；以及设置在所述交换耦合能量控制层上的第二记录层，该第二记录层具有垂直磁各向异性，并且经由所述交换耦合能量控制层与所述第一记录层强磁性耦合。
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公开(公告)号：CN100405467C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200410083132.1
申请日：2004-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B11/10589 , G11B5/66
Abstract: 磁记录介质、磁存储器和从磁记录介质中再生信息的方法。一种磁记录介质，其包括：第一磁层；以及形成在所述第一磁层上的第二磁层。所述第一磁层和所述第二磁层之间进行交换耦合，并且，它们的磁化方向相互反平行。所述第一磁层和所述第二磁层的净残留面积磁化强度由下面的公式表示：|Mr1×t1-Mr2×t2|，其中Mr1和Mr2分别表示所述第一磁层和所述第二磁层的剩余磁化强度，t1和t2表示它们各自的膜厚；并且第一温度下的净残留面积磁化强度大于比所述第一温度低的第二温度下的净残留面积磁化强度。
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公开(公告)号：CN101110221A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200610143518.6
申请日：2004-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66 , G11B5/02 , G11B11/105
Abstract: 磁记录介质、磁存储器和从磁记录介质中再生信息的方法。本发明提供了一种磁存储器，其包括：磁记录介质，其具有包含晶体磁粒的记录层；加热单元，其选择性地加热所述磁记录介质；以及具有磁记录磁头的记录单元，其中，所述加热单元加热所述磁记录介质，同时所述磁头将信息记录到所述记录层上。
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公开(公告)号：CN1637868A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410083132.1
申请日：2004-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B11/10589 , G11B5/66
Abstract: 磁记录介质、磁存储器和从磁记录介质中再生信息的方法。一种磁记录介质，其包括：第一磁层；以及形成在所述第一磁层上的第二磁层。所述第一磁层和所述第二磁层之间进行交换耦合，并且，它们的磁化方向相互反平行。所述第一磁层和所述第二磁层的净残留面积磁化强度由下面的公式表示：|Mr1×t1－Mr2×t2|，其中Mr1和Mr2分别表示所述第一磁层和所述第二磁层的剩余磁化强度，t1和t2表示它们各自的膜厚；并且第一温度下的净残留面积磁化强度大于比所述第一温度低的第二温度下的净残留面积磁化强度。
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