公开(公告)号：CN1585973A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02822657.7

申请日：2002-11-14

申请人： 日立麦克赛尔株式会社

发明人： 小沼刚 ,  矢野亮 ,  松沼悟 ,  高山孝信

IPC分类号： G11B5/738 ,  G11B5/673 ,  G11B5/667 ,  G11B5/65 ,  G11B5/84

CPC分类号： G11B5/732 ,  G11B5/656 ,  G11B5/667 ,  G11B5/7325 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/12861 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/265

摘要： 本发明涉及磁记录介质及其制造方法以及磁存储装置。磁记录介质(100)在衬底(1)上具有软磁性层(3)、籽晶层(5)和具有人工晶格构造的记录层(6)。籽晶层(5)由Pd和从Si、B、C及Zr组成的组中选择的一种元素形成。这样可以减弱记录层(6)的面内方向的磁交换结合力。在记录层(6)上可形成微小的记录磁畴，并且磁化过渡区域清晰，噪声降低。即，即使高密度记录信息也能以低噪声再生。具有这样的磁记录介质的磁存储装置可达到150千兆比特/平方英寸的面记录密度。

公开(公告)号：CN1447966A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01814455.1

申请日：2001-12-27

申请人： 日立麦克赛尔株式会社

发明人： 松沼悟 ,  矢野亮 ,  小沼刚 ,  高山孝信 ,  日永田晴美 ,  若林康一郎

IPC分类号： G11B5/667 ,  G11B5/673 ,  G11B5/738 ,  G11B5/65 ,  G11B5/84 ,  G11B5/851

CPC分类号： G11B5/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/66 ,  G11B5/74 ,  G11B5/851 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/265

摘要： 一种磁记录介质，包括基体上的软磁层、第一种子层、第二种子层和具有人造点阵结构的记录层。第一种子层含有铁的氧化物。第二种子层含有Pd和Pt中的一种以及Si和N。通过第一种子层和第二种子层减弱了记录层平面内方向上的磁交换耦合力。因此，在记录层中可以形成微细的记录磁畴，磁化转变区也明显。甚至以高密度记录信息，也能在低噪声下读出该信息。具有这种磁记录介质的磁存储设备可以达到区域记录密度为150千兆位/平方英寸。