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公开(公告)号：CN103765579A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280032667.9
申请日：2012-06-29
申请人： 村田电子有限公司
发明人： 海基·库斯玛
CPC分类号： B81B7/0074 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/036 , B81B2207/012 , B81B2207/095 , B81C1/00333 , G01C19/5783 , G01L19/0084 , G01L19/148 , G01P1/023 , G01P1/026 , G01P15/0802 , H01L21/568 , H01L23/528 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/14618 , H01L2223/6677 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/8312 , H01L2224/8319 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及制造系统级封装器件的方法以及系统级封装器件。在该方法中，将至少一个具有预定尺寸的第一类管芯、至少一个具有预定尺寸的第二类管芯以及系统级器件的至少一个其它部件包含到系统级封装器件中。选择所述第一类管芯和所述第二类管芯中的至少一者以用于重定尺寸。向所选择的管芯的至少一侧添加材料，使得所添加的材料和所选择的管芯形成重定尺寸的管芯结构。在所述重定尺寸的管芯结构上形成连接层。对所述重定尺寸的管芯结构进行定尺寸，以允许将未被选择的管芯以及所述至少一个其它部件安装成经由所述连接层与所述重定尺寸的管芯结构接触。
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公开(公告)号：CN102803125A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080027903.9
申请日：2010-06-24
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 巴特·范维尔岑 , 汉斯·范扎德尔霍夫 , 格雷亚·乔安娜·阿德里亚娜·玛利亚·费尔海登
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81C1/00333 , B81C2203/0136
摘要： 一种制造MEMS器件的方法包括：形成MEMS器件元件(12)。在所述MEMS器件元件周围形成侧壁(20)，并且在所述器件元件上以及在所述侧壁内形成牺牲层(14)。在所述牺牲层上提供封装覆盖层(16)，并且去除所述牺牲层。这种方法向在MEMS器件上设置的帽盖提供附加的侧壁。然后，这些附加的侧壁可以通过不同的工艺沉积到封装覆盖层的顶部部分上，并且可以由不同的材料形成。所述侧壁可以防止牺牲层的回流，并且改善了侧壁的密封性质。
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公开(公告)号：CN102398888A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110268843.6
申请日：2011-09-07
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/0032 , B81C1/00269 , B81C1/00333
摘要： 一种晶圆级封装的方法包括：提供具有埋氧层和顶部氧化层的基板，以及蚀刻基板，以在埋氧层上形成开口和在开口之间形成微型机电系统(MEMS)谐振器元件，MEMS谐振器元件被包围在埋氧层，顶部氧化层，以及侧壁氧化层中。该方法进一步包括：使用多晶硅填充开口，以形成邻近MEMS谐振器元件的多晶硅电极，移除邻近MEMS谐振器元件的顶部氧化层和侧壁氧化层，将多晶硅电极与互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆或载具晶圆之一接合，移除邻近MEMS谐振器元件的埋氧层，以及将基板与盖晶圆接合，以密封CMOS晶圆或载具晶圆之一和盖晶圆之间的MEMS谐振器元件。
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公开(公告)号：CN102372248A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110187747.9
申请日：2011-07-06
申请人： 罗伯特·博世有限公司
CPC分类号： G01R33/0052 , B81B2201/0235 , B81B2207/012 , B81C1/00333 , B81C2203/0154 , G01P15/0802 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及传感器模块和用于制造传感器模块的方法。本发明涉及一种用于制造用于测量加速度、压力或者磁场等等的传感器模块的方法。该方法包括以下步骤：将至少一个微机电元件设置在第一集成电路上；借助金属承载体的接触面、尤其是借助引线键合至少接触微机电元件；将至少集成电路并且尤其是引线键合包封；以及借助至少一个重新布线层、尤其是借助接触面来至少接触集成电路。
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公开(公告)号：CN102112390A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980129711.6
申请日：2009-06-25
申请人： 罗伯特.博世有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00333 , B81C2203/0136
摘要： 本发明涉及一种用于封装一种MEMS-晶片（1），特别是一种传感器和/或动作器晶片的方法，它具有至少一个机械功能元件（10）。根据本发明规定，运动的机械功能元件（10）借助消耗层（14）固定了并且将一个盖顶层（19）施加到，特别是外延生长到消耗层（14）上，和/或至少一个施加到消耗层（14）上的中间层（7）上。此外，本发明还涉及一种封装的MEMS-晶片（1）。
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公开(公告)号：CN101905855A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010198935.7
申请日：2010-06-04
申请人： 江苏丽恒电子有限公司
发明人： 河·H·黄
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00333 , B81C2203/0118
摘要： 本发明提供了一种晶片级微器件的封装方法。该方法包括：在第一硅晶片的顶面上制备微器件；在第一硅晶片的顶面上沉积第一遮蔽碳膜层，覆盖微器件；通过第一遮蔽碳膜层来支撑第一硅晶片的顶面，由此从第一硅晶片的底面来完成晶片背面制备工艺；通过与碳进行选择性气体反应将第一遮蔽碳膜层移除；将封装晶片封装在第一硅晶片的顶面。本发明通过化学方法沉积和移除第一遮蔽碳膜层，从而在进行晶片背面制备工艺时对晶片顶面的微器件进行保护，避免了机械损伤和背面制备工艺带来的化学污染。对晶片顶面的保护无需在进行晶片背面制备工艺之前就使用封装晶片进行封装，使得在随后的晶片背面制备工艺过程中转移的晶片很轻薄，转移操作便捷。
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公开(公告)号：CN100555736C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200380107788.6
申请日：2003-12-18
申请人： 摩托罗拉公司(在特拉华州注册的公司)
发明人： 曼内斯·伊利亚琴 , 托马斯·科罗索维亚克 , 罗伯特·雷姆普科夫斯基 , 连珂
IPC分类号： H01P1/10
CPC分类号： B81C1/00333 , H01H2001/0073
摘要： 一种用于微机械的中尺度微机电系统(MEMS)封装。同时并由与中尺度微机械封装相同的材料将中尺度微机械形成印刷电路板(10)上。微机械和微机械封装两者都具有第一金属层(12，16)、在第一金属层上形成的绝缘部件(22，26)和位于绝缘层上的第二金属层(32，36)。封装由环绕微机械的周边侧壁和低流动性的压盖粘结层(40)组成。按照相同的工艺顺序来形成微机械和封装两者的第一金属层，按照相同的工艺顺序来形成微机械和封装两者的绝缘层，并且按照相同的工艺顺序来形成微机械和封装两者的第二金属层。低流动性的压盖粘结固定了封装上的可选择盖(46)，以提供环境密封。
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公开(公告)号：CN100415634C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN03808059.1
申请日：2003-04-10
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人： J·W·维坎普
CPC分类号： B81C1/00333 , H01L23/10 , H01L23/3107 , H01L23/4985 , H01L23/5389 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H03H3/007 , H03H9/1057 , H05K1/0274 , H05K1/0284 , H05K1/183 , H05K3/20 , H05K2201/09063 , H05K2201/09118 , H05K2203/302 , H01L2924/00
摘要： 电子器件(100)包括电气元件(30)，例如由覆盖层(38)保护不受环境影响的、腔体(37)内的MEMS电容器或BAW滤波器。覆盖层(38)是机械地嵌入到位于腔体(37)旁边的隔离材料(7)中的构图层，并且还可以包括接触垫(41)。器件(100)可以由包括构图层和牺牲层的精确折叠的箔适宜地制成。施加箔至腔体(37)后，提供隔离材料(7)并去除牺牲层。其后留下构图层或其部分，且形成覆盖层(38)。
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公开(公告)号：CN203667994U
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201320509477.3
申请日：2013-08-16
申请人： 意法半导体股份有限公司
CPC分类号： B81B7/0077 , B81B7/0058 , B81B2201/0264 , B81C1/00333 , B81C2203/0118 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H04R1/086 , H04R19/04 , H04R2201/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本实用新型提供一种封装器件，其中芯片的至少一个敏感部分被包围在由封装体形成的室中。该封装体具有可渗透空气区域和排液结构以便实现在外部环境和室之间的空气通道并且阻挡液体通道，该可渗透空气区域具有多个孔。
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