公开(公告)号：CN1916229A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610111222.6

申请日：2006-08-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 大桥幸司 ,  岩下节也 ,  木岛健 ,  滨田泰彰

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1646 ,  C23C14/088 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种绝缘性靶材，该绝缘性靶材质地均匀且绝缘性高，并具有良好的特性，用于制造导电性复合氧化膜。上述绝缘性靶材是用于获得以通式ABO3表示的导电性复合氧化膜的绝缘性靶材，包括A元素的氧化物、B元素的氧化物以及Si化合物及Ge化合物中的至少一种。

公开(公告)号：CN1846876A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610066782.4

申请日：2006-04-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健

IPC: B05C5/02 ,  B05C13/02 ,  B05B15/10 ,  B05D3/06

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05B13/0228

Abstract: 本发明提供了一种能利用液相法成膜、并有效利用涂敷液的涂敷装置。涂敷装置(100)包括用于支持被处理对象(基板)的承载部(10)、用于支持并可以使承载部(10)旋转的支持装置、以及用于向承载部(10)喷射涂敷液的多个喷嘴(30、32、34)。

公开(公告)号：CN1807346A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510134113.1

申请日：2005-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  岩下节也 ,  滨田泰彰

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/632 ,  C04B35/624 ,  C09K11/02 ,  H01B3/12 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L21/02205 ,  C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/499 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C09D11/30 ,  C09D11/36 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明提供一种含有用于形成铁电体的前驱体的前驱体组合物，上述铁电体用通式AB1－XCXO3表示，A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W和Hf中的至少一种构成，C元素由Nb和Ta中的至少一种构成，上述前驱体至少含有上述B元素和C元素，而且局部含有酯键，上述前驱体溶解或分散于有机溶剂中，上述有机溶剂至少含有第1醇、以及沸点和粘度比该第1醇高的第2醇。由此，采用液相法提供具有良好的组成控制性且使铅等金属成分的再利用成为可能的铁电体形成用前驱体组合物、该前驱体组合物的制造方法、和使用了前驱体组合物的铁电膜的制造方法。

公开(公告)号：CN1677560A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510055315.7

申请日：2005-03-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰

IPC: G11C11/22 ,  G11C7/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L27/101

Abstract: 在铁电存储器元件中，有一些对于非破坏读出方法的研究，但“1”和“0”的差异小和工序上的可靠性的问题一直没有得到解决。本发明提供了一种适合于简单矩阵结构存储器元件的非破坏读出方法。根据本发明的非破坏读出型铁电存储器的非破坏读出方法包括：在铁电存储器元件串联设置的一对记录用单元和参考用单元写入1位信息的步骤；非破坏读出通过读出侧具备的谐振电路用某种谐振频率谐振对于写入在一对记录用单元和参考用单元的1位信息施加脉冲时的应答后输出的输出信号的步骤。

公开(公告)号：CN1607650A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410084106.0

申请日：2004-10-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01G7/06 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/101 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供一种具有优良结晶品质的强电介质膜的制造方法，及根据此制造方法获得的强电介质膜。本发明的强电介质膜的制造方法包括：形成强电介质初始核层(54)的步骤，其利用第一强电介质原料的溶液，通过水热电极沉积法沉积在电极；使第二强电介质原料的粒子带电的步骤；形成强电介质材料膜(50)的步骤，其通过移动电极沉积法使带电的第二强电介质原料的粒子沉积在所述强电介质初始核层(54)上；对所述强电介质材料膜(50)进行热处理的步骤。

公开(公告)号：CN1542922A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410031531.3

申请日：2004-03-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 大桥幸司 ,  木岛健 ,  柄沢润一 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供一种具有良好特性的强电介质膜的制造方法和利用该制造方法来获得的强电介质膜。本发明的强电介质膜的制造方法是将含有复合氧化物的原材料体进行结晶化的工序包括在内的强电介质膜的制造方法；包括：(a)在所定压力和温度的第一状态中，进行热处理；(b)在所述(a)工序之后，维持在低于或等于第一状态的压力和温度的第二状态的工序；并重复进行所述(a)和(b)的方法进行结晶化。

公开(公告)号：CN1532917A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410030183.8

申请日：2004-03-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  大桥幸司 ,  名取荣治

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10 ,  H01L41/08

CPC classification number: H01L27/11502 ,  C01G33/006 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 一种强电介质电容器的制造方法，首先，在基体上形成下部电极。然后，在下部电极上，形成由含有Pb、Zr、Ti及Nb的PZTN复合氧化物构成的强电介质膜，在强电介质膜上形成上部电极。然后，以覆盖下部电极、强电介质膜及上部电极的方式，形成保护膜，至少在形成保护膜后，进行使PZTN复合氧化物结晶化的热处理。

公开(公告)号：CN1464862A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN02802319.6

申请日：2002-06-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  木岛健 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC: C01B33/00 ,  H01L27/10 ,  H01B3/12 ,  H01B19/00

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 一种陶瓷的制造方法，包括：形成一个具有氧八面体结构的复合氧化物材料与对该复合氧化物材料具有触媒作用的常介电体材料混合存在的膜；之后对该膜进行热处理，所述常介电体材料，由构成元素中含有Si的层状触媒物质，以及构成元素中含有Si及Ge的层状触媒物质构成。所述热处理包括烧结及退火，优选至少该退火在含有氧及臭氧中的一种气体的加压环境下进行。陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，该复合氧化物中含有Si及Ge。