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公开(公告)号：CN1277319C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200410004064.5
申请日：1999-08-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 下田达也
CPC classification number: H01L27/3227 , G02B6/12004 , G02B6/42 , G02B6/4214 , G02B6/43 , H01L27/288 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L31/02162 , H01L31/075 , H01L31/1055 , H01L31/173 , H01L51/0004 , H01L51/42
Abstract: 带有光传输部件的装置(1)在基板(2)上分别设置：发光器件(3)、驱动该发光器件(3)的驱动电路、感光器件(光检测器件)(5)、把来自上述发光器件(3)的光传导到上述感光器件(5)中的传导光路(导波路)4、放大电路(6)、布线(电气布线)(7)、电路(8)。来自发光器件(3)的光(光信号)经过传导光路(4)由感光器件(5)感光，进行光电变换。来自感光器件(5)的电气信号由放大电路(6)进行放大，通过布线(7)输入电路(8)。电路(8)根据该电气信号而动作。
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公开(公告)号：CN1734749A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510087997.X
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/762 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 一种转移方法，包括：提供基板；在上述基板上形成被转移层；使转移体与上述被转移层结合；和将上述被转移层从上述基板移走，而将上述被转移层转移到上述转移体；再使用上述基板于另一转移。
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公开(公告)号：CN1238898C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN99800210.0
申请日：1999-02-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/00
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L23/48 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0694 , H01L27/1108 , H01L27/12 , H01L29/78603 , H01L29/78675 , H01L29/78678 , H01L31/101 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , Y10S438/977 , H01L2924/00
Abstract: 存储器IC10a包括衬底(转移侧衬底)21，和在该衬底21上层积的存储器单元阵列71、存储器单元阵列72及存储器单元阵列73。将各存储器单元阵列71、72和73分别按照薄膜结构的转移方法从图21中的下侧按该顺序层积。所述转移法包括在原衬底上通过分离层形成薄膜器件层(存储器单元阵列)后，对所述分离层照射照射光，在所述分离层的层内和/或界面上产生剥离，将所述原衬底上的薄膜器件层转移到衬底21侧。
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公开(公告)号：CN1715270A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510067080.3
申请日：2005-04-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C07D207/46 , G03F7/004
CPC classification number: C07D207/46 , B05D1/185 , B05D5/083 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03C1/73 , G03F7/039 , G03F7/165
Abstract: 本发明提供了一种形成薄膜图案的方法，其中通过采用将含有以下化合物的液滴喷在具有功能部分的固相表面上的工序，可以容易地形成微细的膜图案，上述化合物具有当被波长长的紫外光照射时发生分解的结构和具备疏水性或/和疏油性的结构。
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公开(公告)号：CN1219656C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN00817204.8
申请日：2000-10-27
CPC classification number: B41M5/42 , B41M5/265 , B41M5/38214 , B41M5/395 , G02B5/201 , G02F1/133512 , H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L27/3295 , H01L51/0004 , H01L51/0005 , H01L51/0013 , H01L51/5012 , H01L51/56 , H05B33/10 , Y10S428/917 , Y10S430/146
Abstract: 一种用于用激光热成像法将图像图形转印至图象接收元件的供片，它具有基材、在基材上依次形成的光热转换层和转印层，所述转印层含有因该光热转换层的作用而被加热熔融、以图形形状转印在图象接收元件上的图象成分，其特征在于，上述转印层的图象成分含有最佳量的斥印墨性或斥溶剂性的化合物。使用该供片，可通过缩短的制造工艺，容易且准确地制造滤色片的分隔筋、液晶显示装置的黑底、有机EL元件的分隔壁等隔离部件，而且，可赋予隔离部件以优异的斥印墨性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1574287A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410039795.3
申请日：2000-06-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L21/0337 , H01L21/31691 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/60
Abstract: 一种强电介质存储元件的制造方法包括：在形成了晶体管的衬底(10)的表面上，形成易于淀积强介质电容器部分的构件的材料的第1区域(24)，和比第1区域(24)难以淀积用于形成强介质电容器部分的材料的第2区域(26)的工序；以及对衬底(10)供给材料，在衬底(10)的第1区域(24)上形成第1电极(32)、强电介质膜(34)和第2电极(36)的工序。
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公开(公告)号：CN1169015C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN97190551.7
申请日：1997-05-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786 , B05C5/00 , G02F1/1333 , C01G19/00
CPC classification number: G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , Y10T428/1064 , Y10T428/31663
Abstract: 借助于涂敷液体后进行热处理，形成构成TFT的绝缘膜、硅膜及导电膜中的任一种薄膜。利用旋转涂敷器(102)，把从涂敷液保管部(105)供给的、包含薄膜成分的液体旋转涂敷到基板上。在热处理部(103)中，对涂敷了涂敷液的基板进行热处理，在基板上形成涂敷膜。进而，进行激光退火等，提高结晶性、致密性、或粘附性中的任一种膜质。借助于以油墨喷射方式涂敷这种涂敷液及保护液，可提高药液的使用效率，并且，可以形成图形化了的涂敷膜。本发明的薄膜器件借助于利用廉价、产量高、涂敷液使用效率高的制造装置来制造TFT，大幅度削减初期投资及液晶显示装置的成本。
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公开(公告)号：CN1529350A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200310119996.X
申请日：1997-05-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , Y10T428/1064 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供了一种薄膜场效应晶体管的制造方法，包括以下步骤：在一个衬底上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅绝缘膜；通过喷墨印刷方法在所述绝缘膜上形成半导电层；和在所述半导电层上形成源极和漏极接触。本发明的方法制造的薄膜器件借助于利用廉价、产量高、涂敷液使用效率高的制造装置来制造TFT，大幅度削减初期投资及液晶显示装置的成本。
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公开(公告)号：CN1160800C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN99800173.2
申请日：1999-02-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66757 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511
Abstract: 在基板(100)预先设置分离层(120)，在该基板上形成TFT等的薄膜器件(140)。在该薄膜器件(140)的形成过程中，对分离层(120)注入促进剥离用离子、例如氢离子。在薄膜器件(140)的形成后，最好在通过粘接层(160)将薄膜器件(140)接合到转移体(180)后，从基板一侧照射激光。由此，在分离层(120)中利用促进剥离用离子的作用，使剥离发生。使该薄膜器件(140)从基板(100)脱离。由此，可将所希望的薄膜器件转移到任一种基板上。
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公开(公告)号：CN1485789A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN03149529.X
申请日：2003-07-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G06K9/0002
Abstract: 本发明提供一种本人对照装置，其具有检测操作者指纹用的指纹检测传感器和检测操作者脉搏用的脉搏检测传感器。被脉搏检测传感器检测出的脉搏由指标提取部分进行处理后提取至少一个指标。与指纹比较的第一比较信息被存储在第一比较信息存储部分，与至少一个指标比较的第二比较信息被存储在第二比较信息存储部分。对照部分根据指纹和第一比较信息的比较结果，当判断出操作者与被注册者本人一致，并根据至少一个指标与第二比较信息的比较结果，判断操作者生存时，输出表示其操作者为真正本人的信号。
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