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公开(公告)号：CN102660201A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201110312556.0
申请日：2011-10-14
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J9/02 , C09J163/00 , C09J175/14 , C09J133/04
CPC classification number: G02B1/14 , C09J9/02 , C09J163/10 , C09J175/14 , G02B1/10 , G02B1/105 , Y10T428/31504 , Y10T428/31511
Abstract: 本发明公开了一种包括各向异性导电膜的光学元件，所述各向异性导电膜具有由包含环氧树脂作为固化部分的粘结层和包含(甲基)丙烯酸酯树脂作为固化部分的粘结层组成的多层结构，从而在通过低温压制最小化面板变形的同时减少工艺时间，并改善接触电阻中的连接可靠性和附着力。
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公开(公告)号：CN102559075A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110301310.3
申请日：2011-09-28
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J109/02 , C09J175/04 , C09J133/00 , C09J11/08 , C09J9/02
Abstract: 本发明提供了一种各向异性导电膜、用于所述各向异性导电膜的各向异性导电膜组合物和包括所述各向异性导电膜的装置。在所述各向异性导电膜中，粘结剂部分包括具有大于0且小于或等于100ppm的离子含量的丁腈橡胶树脂(NBR)和/或聚氨酯树脂，从而所述各向异性导电膜具有大于0且小于或等于100ppm的离子含量，因此在与电路连接时不引起腐蚀。
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公开(公告)号：CN102246096A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880132341.7
申请日：2008-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/075
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/18 , C08L83/04 , C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
Abstract: 本发明提供了一种用于形成蚀刻剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(A)有机硅烷聚合物以及(B)至少一种稳定剂。该硬掩模组合物在储存期间非常稳定，并且由于其优良的硬掩模特性，可以允许将良好的图案转移至材料层。
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公开(公告)号：CN101205291B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200710302240.7
申请日：2007-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08G61/10 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式1-3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物中的任意一种。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。本发明还提供了一种利用该组合物形成图案的方法。
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公开(公告)号：CN101796101A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200780100521.2
申请日：2007-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08G77/04
Abstract: 本发明提供了一种新颖且具有用于半导体器件的优异的填隙特性的有机硅烷聚合物，以及包括该聚合物的组合物。该组合物可通过一般的旋涂技术，在半导体基材中完全填充直径70nm或更少且长径比(即高度(或深度)/直径比)为1或更高的孔洞，且无任何缺陷，例如无空气孔隙。该聚合物具有宽的分子量范围，其可实现完全填隙。此外，在利用烘烤而固化之后，该组合物可通过利用氢氟酸溶液的处理，完全从孔洞中移除，而不留下任何残余物。再者，该组合物在储存期间非常地稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1991581B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610150443.4
申请日：2006-10-27
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供了一种抗蚀底膜硬掩模层组合物，其中在某些实施方式中，硬掩模层组合物含有(a)由式1的化合物与式2的化合物反应制得的第一聚合物，其中n为3-20的数，R为一价有机基团，m为0、1或2；(b)包括式3-6所示结构中的至少一种结构的第二聚合物；(c)酸性或碱性催化剂；以及(d)有机溶剂。本发明还提供了利用本发明实施方式的硬掩模层组合物制造半导体集成电路装置的方法。另外，本发明还提供了按照本发明方法实施方式制造的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号：CN101681096A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200780053206.9
申请日：2007-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/091 , Y10S438/952
Abstract: 本发明提供了一种具有抗反射性质的硬质掩模组合物。该硬质掩模组合物适合用于光刻且提供了优异的光学性质和机械性质。此外，该硬质掩模组合物容易通过旋涂施用技术来施加。特别地，该组合物对于干蚀刻具高度抗性。因此，该组合物可用于提供一种能够以高纵横比被图案化的多层薄膜。本发明进一步提供了一种使用该组合物形成图案的方法。
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公开(公告)号：CN101452155A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810185748.8
申请日：2008-12-08
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明提供了液晶取向剂、包括该液晶取向剂的液晶取向膜和LCD。所述液晶取向剂包括通过将如下化学式1的化合物和如下化学式2的化合物聚合得到的聚硅氧烷聚合物以及溶剂：化学式1是Si(R1)4，化学式2是(R3)3Si－(R2)n－Si(R3)3，其中R1至R3如说明书所定义。液晶取向剂具有大LCDTV所需的很多优点，例如长期可靠性、高电压保持率(VHR)、稳定的预倾角保持力，杰出的液晶取向性和化学抗性等，因此其可以为LCD提供较高显示质量。此外，由于缺陷印刷而需要再加工时，可以容易地通过溶剂除去该液晶取向剂。
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公开(公告)号：CN101370854A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002634.9
申请日：2007-01-15
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/20 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/3121
Abstract: 根据本发明的一些实施方式，本发明提供了有机硅烷聚合物，该有机硅烷聚合物是通过使含有(a)至少一种式(I)的化合物Si(OR1)(OR2)(OR3)R4，其中R1、R2和R3可以各自独立地为烷基，且R4可以为－(CH2)nR5，其中R5为芳基或取代的芳基，且n可以为0或正整数；和(b)至少一种式(II)的化合物Si(OR6)(OR7)(OR8)R9，其中R6、R7和R8可以各自独立地为烷基或芳基，且R9可以为烷基的有机硅烷化合物反应而制备得到的。还提供了含有本发明实施方式的有机硅烷化合物或其水解产物的硬掩模组合物。还提供了使用本发明实施方式的硬掩模组合物制备半导体装置的方法，和由该硬掩模组合物制成的半导体装置。
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