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公开(公告)号：CN103442174A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310361760.0
申请日：2013-08-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种实现大幅面在线检测的多CIS拼接智能相机及方法，包括图像采集模块、图像处理模块和外部接口模块，所述图像采集模块有N组CIS采集模块构成，N≥2，所述CIS采集模块由CIS传感器、AD、以及光源组成，所述图像处理模块包括FPGA、双核DSP以及Flash模块，所述FPGA上还连接有两块DDR3存储器。与现有大幅面图像采集处理技术相比较，本发明直接将图像的采集和处理集成到一个相机内部，利用FPGA并行性特点，实现了在采集图像的同时进行处理，大大提高了整个系统的实时性，达到了在线大幅面图像检测的实时性要求，且结构相对简单体积较小便于在复杂的工业现场安装和使用。
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公开(公告)号：CN102269907A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010191816.9
申请日：2010-06-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新的波长转换器，与传统的光-电-光型波长转换器和全光波长转换器不同，本发明是利用了薄膜材料的热光效应进行波长转换.波长转换器核心由一个薄膜滤波器构成，薄膜滤波器采用F-P腔结构，利用热光特性和F-P腔的滤波特性实施波长转换。其结构简单，制作方便，成本极低，并有很高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN101677268A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810046105.5
申请日：2008-09-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04L9/18
Abstract: 本发明设计了一种伪随机序列的生成方法，能够在很小的开销下输出较长的伪随机位。这个伪随机生成器是密码上可证安全的，其安全性基于有限域上多项式重构问题的困难性，可以满足可证安全的密码算法和协议的设计需要，如可直接用于设计比现有加密过程更高效的可证安全流密码算法和分组加密算法等。在一个实施例中，本发明是由一个Fq上的多项式定义的伪随机生成器，q是一个1024位的大素数。通过选择合适的参数，可以在一个模q乘法运算下输出近11个伪随机位，同时其安全级别可以达到280，能满足目前大多数密码应用的需要。此外，由于随机算法和现代通信技术都需要频繁使用随机序列，因此本发明也可应用到这些领域。
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公开(公告)号：CN101383812A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710049922.1
申请日：2007-09-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种针对IP欺骗DDoS(Distributed Denial of Service)攻击的防御方法。该方法基于活动IP记录，活动IP是与系统已经或正在于系统建立连接的源IP地址，而IP欺骗DDoS攻击通常使用随机产生的IP作为数据流源地址，这些IP是非活动IP，根据该原理来自活动IP的数据流可被视为合法流量，而来自非活动IP的网络流则为可疑流量。因此位于自治系统边界的DDoS防御网关可利用活动IP记录表对进入自治系统的数据包进行匹配处理，来自活动IP的网络流直接通过，没有活动记录的IP数据包将逐渐被自治系统边界路由器或邻近边界的路由器丢弃，并发送ICMP超时差错报文通报源节点。IP不活动的IP欺骗DDoS攻击数据包将不能到达受害节点。被丢弃的合法数据包将由其源节点上层协议或应用进行重传。
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公开(公告)号：CN119716784A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411943410.X
申请日：2024-12-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于样本累计抽样的抗密集假目标方法，包括：基于回波数据构建第一协方差矩阵，并进行特征分解之后，排列第一特征值及第一特征向量；基于最大相关系数，确定与预设的期望目标导向矢量vs0相关性最强的第一特征向量及其在排列结果中的位置ρ；比较最大相关系数与预设阈值η进行目标判决，并在存在目标时，从回波数据中选取大于抽样阈值#imgabs0#的数据，进一步通过累计抽样，得到抽样数据；根据抽样数据构建第二协方差矩阵并进行特征分解，得到第二特征值及第二特征向量；根据ρ计算至少部分第二特征向量与预设的期望目标导向矢量之间的相关系数之和，并在相关系数之和满足预设条件时，确定目标所在的距离门，实现了抑制密集假目标的主瓣欺骗式干扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119092716A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411204706.X
申请日：2024-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/66 , H01M10/052 , D01F6/94 , D01F1/10
Abstract: 本发明提供一种聚芳醚基集流体表面修饰方法及其在贫锂电池中的应用，属于锂金属电池技术领域，具体为：将聚芳醚类高分子聚合物、聚合物固态电解质和锂盐溶解至有机溶剂中，搅拌溶解得到前驱体溶液，聚芳醚类高分子聚合物含有亚芳基、腈基、氧醚基和亲锂基团；通过静电纺丝技术，将前驱体溶液纺丝在集流体表面，得到纤维尺寸均一的修饰膜，进而获得复合集流体。本发明通过静电纺丝技术将聚芳醚类高分子聚合物修饰在集流体表面，在提升锂沉积均匀性的同时，有效缓解锂沉积导致的体积膨胀，进而提升锂金属电池的循环稳定性、能量效率和使用寿命，尤其适用于贫锂电池。
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公开(公告)号：CN116319204B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202310333751.4
申请日：2023-03-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04L25/49 , H04B10/524 , H04B10/516
Abstract: 该发明公开了一种多脉冲位置调制的比特符号映射方法，属于信号处理领域。本发明利用N阶M维矩阵各个维度的索引作为MPPM(N,M)码元符号的脉冲位置编号。将整数一一映射到N阶M维矩阵的一个超三角区域，建立起整数与N阶M维矩阵元素的对应关系。从而利用N阶M维矩阵元素与其各维度索引编号之间的对应关系，建立起比特符号与MPPM(N,M)码元符号之间的对应关系。建立起N阶M维矩阵的超三角区域每一个维度上各层映射的整数个数的数学表达式#imgabs0#并利用这个数学表达式生成一个查找表TLUT。TLUT的空间复杂度远小于常规的MPPM(N,M)编码表。
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公开(公告)号：CN117129026A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311094194.1
申请日：2023-08-28
Applicant: 国网陕西省电力有限公司电力科学研究院 , 电子科技大学
IPC: G01D18/00 , G06F30/20 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F119/02
Abstract: 本发明属于传感器可靠性评估技术领域，特别涉及一种传感器寿命评估预测方法、系统、设备及介质；所述传感器寿命评估预测方法包括以下步骤：基于待寿命评估预测的传感器，获取预设时间段的环境应力；基于获取的所述环境应力，计算获得威布尔分布中的位置参数；基于计算获得的所述位置参数，利用预先构建的多物理场耦合单参数寿命预测模型进行寿命评估预测，获得作为传感器寿命指标的平均无故障工作时间。本发明基于多物理场耦合的寿命预测模型进行传感器寿命评估预测，可获得较为准确可靠的寿命预测评估结果。
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公开(公告)号：CN115829729B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310111791.4
申请日：2023-02-14
Applicant: 四川华西集采电子商务有限公司 , 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于三链架构的供应链金融信用评价系统及方法，系统包括：密钥管理中心，密钥管理中心用于用户数据加解密的密钥生成、哈希运算、签名验证以及用户数据加解密的功能，生成的用户数据加解密的密钥存储在密钥管理中心，密钥管理中心配置数据加密方式用于安全管理；云平台，用于存储原始的供应链金融数据；区块链平台，区块链平台基于三链模型实现，三链模型包括：ID链、行为链和信用链；身份控制器，控制器实现为一组与区块链平台节点不同的节点组，节点组内多个节点同时操作，用于创建和管理区块链上的数字ID，数字ID存储在ID链上。通过构建ID链、行为链、信用链三链模型实现中小企业经营行为的记录和信用评价。
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公开(公告)号：CN114784109B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210422057.5
申请日：2022-04-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种平面栅SiC MOSFET及其制作方法。本发明在SiC MOSFET的y方向上采用P注入区域与N注入区域相间隔的注入模式有利于在保证良好接触的同时减小元胞尺寸，降低芯片成本。高浓度的N+注入区域保证了良好的欧姆接触，低浓度的N‑注入区域在源极区域引入了一个镇流电阻，有助于减小高压状态下的电流密度。同时，低浓度的N‑注入区域与两侧的高浓度P+注入区域形成了JFET结构，该JFET结构在正向导通时，由于电压较低，耗尽区宽度较窄，不会对电流流通产生影响。而在发生短路时，由于电源电压直接作用在SiC MOSFET的源漏两端，导致P+注入区域电势非常高，耗尽区宽度较宽，JFET区被夹断，饱和电流密度大幅度下降，从而提高器件的短路鲁棒性。
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