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公开(公告)号：CN119092716A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411204706.X
申请日：2024-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/66 , H01M10/052 , D01F6/94 , D01F1/10
Abstract: 本发明提供一种聚芳醚基集流体表面修饰方法及其在贫锂电池中的应用，属于锂金属电池技术领域，具体为：将聚芳醚类高分子聚合物、聚合物固态电解质和锂盐溶解至有机溶剂中，搅拌溶解得到前驱体溶液，聚芳醚类高分子聚合物含有亚芳基、腈基、氧醚基和亲锂基团；通过静电纺丝技术，将前驱体溶液纺丝在集流体表面，得到纤维尺寸均一的修饰膜，进而获得复合集流体。本发明通过静电纺丝技术将聚芳醚类高分子聚合物修饰在集流体表面，在提升锂沉积均匀性的同时，有效缓解锂沉积导致的体积膨胀，进而提升锂金属电池的循环稳定性、能量效率和使用寿命，尤其适用于贫锂电池。
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