公开(公告)号：CN101266964B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200810083754.2

申请日：2008-03-12

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L23/528

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包含高频互连以及虚拟导体图案(第二虚拟导体图案)。虚拟导体图案被设置在与设置有高频互连的互连层不同的互连层内。设置虚拟导体图案，以使得其在平面图中远离与高频互连重叠的区域。在设置有高频互连的互连层内，半导体器件进一步包含虚拟导体图案(第一虚拟导体图案)。

公开(公告)号：CN101599498B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200910146027.0

申请日：2009-06-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L27/13 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/0617 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在衬底(10)上形成多层布线层(400)、第一电感器(310)和第二电感器(320)。通过交替地依次堆叠绝缘层和布线层t次或更多次而形成多层布线层，其中t≥3。将第一电感器(310)设置在多层布线层(400)中的第n布线层中。第二电感器(320)被设置在多层布线层(400)中的第m布线层中并位于第一电感器(310)上方，其中t≥m≥n+2。在位于第n布线层与第m布线层之间的任何一个布线层中不设置位于第一电感器(310)上方的任何电感器。第一电感器(310)和第二电感器(320)组成在两个方向中的任何一个方向上传输电信号的信号传输器件(300)。

公开(公告)号：CN101083274B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200710108837.8

申请日：2007-05-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L27/146 ,  G06K9/00 ,  G02B5/20

CPC classification number: H04N5/33 ,  G06K9/0004 ,  H04N9/045

Abstract: 一种固态成像装置(10)，其包括固态成像器件(40)和彩色滤光器(16)，该彩色滤光器(16)由第一彩色滤光器即第一滤光器(16a)和第二彩色滤光器即第二滤光器(16b)构成。固态成像器件(40)将入射到其表面即第一面(S1)的光光电转换，以由此捕获要成像的物体的图像。设置在固态成像器件(40)的表面(S1)上的是第一彩色滤光器(16a)和第二彩色滤光器(16b)。第一彩色滤光器(16a)是允许第一波长带的光选择性通过其传输的滤光器；第二彩色滤光器(16b)是允许相对于第一波长带在较长波长侧的第二波长带的光选择性通过其传输的滤光器。

公开(公告)号：CN101452931A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810189692.3

申请日：2005-01-17

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 大洼宏明 ,  菊田邦子 ,  中柴康隆 ,  川原尚由 ,  村濑宽 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/34 ,  G01K7/015 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置，于是温度监视部件被连接在两条布线之间。

公开(公告)号：CN1677671A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510062739.6

申请日：2005-03-29

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 大洼宏明 ,  中柴康隆 ,  川原尚由 ,  村濑宽 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L23/58 ,  G01K7/22 ,  G01K7/18

CPC classification number: H01L23/34 ,  G01K7/01 ,  G01K7/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体集成电路器件，其中在P型硅基片顶部表面和多级布线层处设置逻辑电路区。所述器件还设有温度传感器区，其中在多级布线层的上方设有由氧化钒构成的第一温度监视元件。在多级布线层的最底下层处设有由Ti构成的第二温度监视元件。第一和第二温度监视元件串联连接在地电位布线和电源电位布线之间，具有一个连接到所述二元件接点上输出端。第一温度监视元件的电阻率的温度系数是负的，而第二温度监视元件的是正的。

公开(公告)号：CN1255015A

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：CN99122481.7

申请日：1999-09-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 村上一朗 ,  中柴康隆

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/14656 ,  H01L27/14654 ,  H04N5/35527

Abstract: 一种固态图像传感器件,具有:以矩阵形式排列的多个传感装置;连接到传感装置并累积在传感装置产生的电荷的电荷累积装置;调节电荷累积装置可累积的电荷量的可累积电荷调节装置;和控制可累积电荷调节装置的控制装置。控制装置控制可累积的电荷量,以便在一个成像周期内按时序和控制装置的给定可累积的电荷量内连续或不连续地改变。

公开(公告)号：CN1230789A

公开(公告)日：1999-10-06

申请号：CN99105889.5

申请日：1999-03-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609

Abstract: 一种固态图象传感器,包括:半导体层,具有第2电导率,光电转换部分,把光转换成电荷,控制晶体管,控制所述的光电转换部分的工作,源跟随晶体管,输出由所述的电荷产生的电压,其特征是,所述的光电转换部分包括:具有第1电导率的第1区,延伸到所述的控制晶体管的栅极,与源跟随晶体管的栅极电连接,具有第1电导率第2区,形成在所述的第1区的附近。所述的固态图象传感器减少光电转换部分的寄生电容,因此增加了光电转换部分的效率和灵敏度。

公开(公告)号：CN118053842A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311456833.4

申请日：2023-11-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚孝行 ,  中柴康隆 ,  笠冈龙雄

IPC: H01L23/522

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底；多层布线层，被形成在半导体衬底上；第一布线，被形成在多层布线层上并且被配置为被施加有第一电位；上电感器，被形成在多层布线层上并且被配置为被施加有不同于第一电位的第二电位；无机绝缘膜，被形成在多层布线层、第一布线和上电感器上；以及有机绝缘膜，被形成在无机绝缘膜上并且被设置为覆盖平面图中位于第一布线与上电感器之间的无机绝缘膜。这里，在第一布线与上电感器之间，暴露无机绝缘膜的上表面的一部分的开口部被形成在有机绝缘膜中。

公开(公告)号：CN117995901A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311262256.5

申请日：2023-09-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小清水亮 ,  中柴康隆 ,  河合彻

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。形成一种LDMOS，该LDMOS具有形成在半导体衬底的上表面上的n型源极区域和漏极区域、经由栅极介电膜形成在半导体衬底上的栅极电极、以及经由膜厚度大于栅极介电膜的介电膜形成在栅极电极与漏极区域之间的半导体衬底上的场板电极。这里，场板电极具有与形成在场板电极正下方的半导体衬底中的n型半导体区域相比更大的功函数。

公开(公告)号：CN117334724A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310759562.3

申请日：2023-06-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  波多俊幸 ,  柳川洋 ,  关口智久

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/00 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/78

Abstract: 一种半导体器件包括芯片安装部分和经由导电粘合材料设置在芯片安装部分上的半导体芯片。这里，半导体芯片的平面形状是四边形。此外，在平面视图中，多个薄部分被分别形成在半导体芯片的多个拐角部分处。此外，被分别形成在半导体芯片的多个拐角部分处的多个薄部分彼此间隔开。此外，多个薄部分中的每个薄部分的厚度小于除多个薄部分之外半导体芯片的厚度。