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公开(公告)号：CN100490149C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200510062519.3
申请日：2005-03-30
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/02192 , H01L21/022 , H01L21/31604 , H01L23/5228 , H01L28/24 , H01L37/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在中间层绝缘层上形成钒氧化物膜，并且在钒氧化物膜上依次形成硅氧化物膜和硅氮化物膜。使用抗蚀剂图形作为掩模，对硅氮化物膜进行构图。然后，通过使用剥离溶液或氧等离子体灰化来去除抗蚀剂图形。接下来，使用构图的硅氮化膜作为掩模，对硅氧化物膜和钒氧化物膜进行蚀刻，以形成钒氧化物的电阻膜。
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公开(公告)号：CN1677670A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062519.3
申请日：2005-03-30
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/02192 , H01L21/022 , H01L21/31604 , H01L23/5228 , H01L28/24 , H01L37/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在中间层绝缘层上形成钒氧化物膜，并且在钒氧化物膜上依次形成硅氧化物膜和硅氮化物膜。使用抗蚀剂图形作为掩模，对硅氮化物膜进行构图。然后，通过使用剥离溶液或氧等离子体灰化来去除抗蚀剂图形。接下来，使用构图的硅氮化膜作为掩模，对硅氧化物膜和钒氧化物膜进行蚀刻，以形成钒氧化物的电阻膜。
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公开(公告)号：CN1213859A
公开(公告)日：1999-04-14
申请号：CN98119859.7
申请日：1998-09-22
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14812
Abstract: 一种固态摄象器件在垂直电荷转移区的相邻电荷转移电极间、在水平电荷转移区的相邻电荷转移电极间以及在垂直和水平电荷转移区之间相连的区域内形成有均匀一致的势阱。垂直电荷转移区的电荷转移电极间、水平电荷转移区的电荷转移电极间以及在垂直和水平电荷转移区之间相连的区域内的杂质浓度根据电极间的距离以及加在这些电极上的驱动脉冲的幅度与电位相互独立地设置,使这些势阱相互等同。
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公开(公告)号：CN1655356B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200510007923.0
申请日：2005-02-05
CPC classification number: H01C7/1013 , H01L27/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分中，形成多层布线结构的最上布线层的布线。在布线的两个之间以覆盖两个布线的方式提供氧化钒的片状温度监视元件。因此，温度监视元件通过最上布线层的两个过孔和两个布线连接在多层布线结构的下面的布线层的两个布线之间。
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公开(公告)号：CN100521205C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510004377.5
申请日：2005-01-17
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1259726C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN98123537.9
申请日：1998-10-27
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L29/762 , H01L21/339
CPC classification number: G11C19/28 , G11C19/285
Abstract: 一种电荷转移器件，包括：检测信号电荷用的检测MOSFET；在信号电荷被检测后除去该信号电荷的重置MOSFET。所述重置MOSFET包括浮置扩散层(3)；杂质层(4)；重置栅极(9)。所述检测MOSFET包括与浮置扩散层(3)相连的检测栅极(5)。所述浮置扩散层(3)包括第一半导体区(3a)和第二半导体区(3b)。将第一半导体区(3a)的杂质浓度设定为当把重置信号加给重置栅极(9)时，使该第一半导体区(3a)在电压低于重置电压(Vrd)情况下不被消耗的浓度。
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公开(公告)号：CN1677668A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510055997.1
申请日：2005-03-24
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/16 , H01L23/522 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件中，提供了由氧化钒制成的片状温度监控器元件，其一端与一个通路相连，而另一端与另一个通路相连。由铝制成的片状导热层位于温度监控器元件之下。在平面图中，等于或大于整个温度监控器元件的一半的区域覆盖了导热层。
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公开(公告)号：CN1216865A
公开(公告)日：1999-05-19
申请号：CN98123537.9
申请日：1998-10-27
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L29/762 , H01L21/339
CPC classification number: G11C19/28 , G11C19/285
Abstract: 一种电荷转移器件,包括:检测信号电荷用的检测MOSFET;在信号电荷被检测后除去该信号电荷的重置MOSFET。所述重置MOSFET包括浮置扩散层(3);导质层(4);重置栅极(9)。所述检测MOSFET包括与浮置扩散层(3)相连的检测栅极(5)。所述浮置扩散层(3)包括第一半导体区(3a)和第二半导体区(3b)。将第一半导体区(3a)的杂质浓度设定为当把重置信号加给重置栅极(9)时,使该第一半导体区(3a)在电压低于重置电压(Vrd)情况下不被消耗的浓度。
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公开(公告)号：CN1204156A
公开(公告)日：1999-01-06
申请号：CN98102557.9
申请日：1998-06-29
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L29/762 , H01L27/148 , H01L21/339
CPC classification number: H01L29/76841 , H01L27/14812
Abstract: 一种电荷传送装置,是在P型半导体衬底顺序形成N－型半导体区域,形成第1电荷传送电极等,在N－型半导体区域的表面形成,第2绝缘膜,在第1电荷传送电极上及侧面形成第3绝缘膜,用入射角0度注入磷,用自匹配形成N型半导体区域,形成第2电荷传送电极等,形成层间绝缘膜,用金属内引线连接电极。该装置可抑制2层电极间的空隙下产生电位塌陷,低电压驱动及高速驱动时也能够用高效传送信号电荷。
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公开(公告)号：CN100394588C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510062739.6
申请日：2005-03-29
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/01 , G01K7/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体集成电路器件，其中在P型硅基片顶部表面和多级布线层处设置逻辑电路区。所述器件还设有温度传感器区，其中在多级布线层的上方设有由氧化钒构成的第一温度监视元件。在多级布线层的最底下层处设有由Ti构成的第二温度监视元件。第一和第二温度监视元件串联连接在地电位布线和电源电位布线之间，具有一个连接到所述二元件接点上输出端。第一温度监视元件的电阻率的温度系数是负的，而第二温度监视元件的是正的。
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