激光谐振耦合无线能量传输装置及方法

    公开(公告)号:CN102307062B

    公开(公告)日:2014-06-04

    申请号:CN201110264296.4

    申请日:2011-09-07

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H04B10/11

    摘要: 本发明公开了属于无线能量传输技术领域的激光谐振耦合无线能量传输装置及方法。它由发射组件和接收组件构成,或者由第1-N发射装置和接收装置构成;激光束在发射端和接收端之间谐振,在空间上将激光束约束在发射端与接收端之间,同时振荡激光束从发射端提取能量然后在接收端释放能量,从而实现能量的无线高效传输。本发明的有益效果为:在空间上将光波场约束在发射端和接收端之间从而提高了能量的传输效率。本发明在近距离自由空间和远距离外层空间能够实现能量的无线高效传输和智能传输。

    具有含碳绝缘层的肖特基势垒晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN102569418B

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:CN201210026661.2

    申请日:2012-02-07

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H01L29/812 H01L21/338

    摘要: 本发明提出了一种具有含碳绝缘层的肖特基势垒晶体管及其制备方法,该肖特基势垒晶体管包括衬底及其上形成的栅堆叠,金属源极和金属漏极,在衬底与金属源极之间以及衬底与金属漏极之间的含碳绝缘层。本发明的肖特基势垒晶体管具有含碳绝缘层,该含碳绝缘层对费米能级钉扎现象具有减缓效果,能够有效降低肖特基接触势垒的高度。本发明的制备方法简单快捷,工艺稳定性高,制作成本低,制备的含碳绝缘层的厚度基本一致,能够有效阻挡金属自由态进入半导体,从而降低肖特基势垒高度。

    并行化仿真多线程管理方法

    公开(公告)号:CN101976203B

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201010291919.2

    申请日:2010-09-26

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G06F9/46

    摘要: 本发明提出一种并行化仿真多线程管理方法,包括以下步骤:将所有通讯方式实例为通讯对象分别用一个线程承载;对所述所有通讯对象的接收和发送方法进行多线程管理;将所有设备类实例为设备对象;对所述设备对象命令的解析,动作的执行,条件的判断进行多线程管理;将所有子系统类实例为子系统对象;和对所述子系统对象包括的所述设备对象之间的逻辑关系进行多线程管理。通过该方法能够解决半导体制造装备控制软件测试的效率和准确定位系统所存在问题,同事,该装置能够决集成电路工艺设备的工艺稳定性,工艺可靠性,减少设备维修时间,最大程度的提高设备的利用率。

    基于密集脉冲的激光探测方法

    公开(公告)号:CN102692622A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201210170169.2

    申请日:2012-05-28

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01S7/483 G01S17/08

    摘要: 本发明涉及激光探测领域,公开了一种基于密集脉冲的激光探测方法,包括步骤:激光器向被测目标发射分组探测激光脉冲,探测激光脉冲的组数大于或等于1,每组探测激光脉冲中包含密集的多个脉冲;第一光电转换器接收探测激光脉冲经被测目标反射后的回波激光脉冲及周围环境光噪声,并将回波激光脉冲和光噪声转换为相应的电信号,回波激光脉冲中包含被测目标的信息;信号处理器对探测单元转换的电信号进行处理,依据密集脉冲之间的时间间隔凸显回波激光脉冲对应的电信号,抑制光噪声对应的电信号及电路本身产生的电噪声,并根据回波激光脉冲对应的电信号得到被测目标的信息。本发明的方法可以抑制噪声、凸显信号,提高信噪比及降低最小可探测光功率。

    半导体结构及其形成方法
    97.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102683388A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210175754.1

    申请日:2012-05-30

    申请人: 清华大学

    发明人: 王巍 王敬 郭磊

    IPC分类号: H01L29/08 H01L21/336

    摘要: 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,该半导体结构包括:半导体衬底;形成在所述半导体衬底中的凹槽,所述凹槽中填充有稀土氧化物;部分或全部位于所述稀土氧化物上沟道区;和位于所述沟道区两侧的源区和漏区。通过在半导体器件的源区和漏区下方形成稀土氧化物层,从而向CMOS器件的源漏区和沟道区引入类型和大小可调的应力,显著提升半导体器件的迁移率,并且,利用稀土氧化物的晶体特性,以晶体生长的方式形成应力源,极大地简化了工艺流程。

    半导体结构及其形成方法
    98.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102683385A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210175345.1

    申请日:2012-05-30

    申请人: 清华大学

    发明人: 王巍 王敬 郭磊

    摘要: 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,该半导体结构包括:半导体衬底;形成在所述半导体衬底上的稀土氧化物层;和形成在所述稀土氧化物层上的沟道区以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区。通过在源漏区和沟道区下方形成稀土氧化物,以对CMOS器件的源漏区和沟道区引入类型和大小可调的应力,从而显著提升半导体器件的迁移率,并且,利用稀土氧化物的晶体特性,以晶体生长的方式形成应力源,极大地简化了工艺流程。

    具有金属源漏的半导体结构及其形成方法

    公开(公告)号:CN102361036A

    公开(公告)日:2012-02-22

    申请号:CN201110326460.X

    申请日:2011-10-24

    申请人: 清华大学

    发明人: 王巍 王敬 郭磊

    摘要: 本发明提出一种具有金属源漏的半导体结构,包括:衬底;形成在所述衬底之中的第一槽结构和第二槽结构;填充在所述第一槽结构和第二槽结构之中的绝缘材料层;形成在所述衬底之上且位于所述第一槽结构和第二槽结构之间的栅堆叠,和形成在所述栅堆叠两侧的一层或多层侧墙;分别形成在所述绝缘材料层之上的金属源极和金属漏极;以及位于所述金属源极和所述沟道区之间的第一超薄绝缘层,和位于所述金属漏极和所述沟道区之间的第二超薄绝缘层。本发明通过形成在金属源漏区域和衬底之间的绝缘材料层,抑制了金属源漏区域向衬底漏电较大的问题,同时向沟道区引入不同的应力,使沟道区域产生有效应变,改善载流子迁移率,提高器件的性能。

    一种再燃型循环流化床锅炉

    公开(公告)号:CN102095195A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201110004333.8

    申请日:2011-01-11

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: F23C10/10 F23C10/26

    摘要: 一种再燃型循环流化床锅炉,属于煤燃烧技术及设备技术领域。本发明在回料管到炉膛的管路上布置了一个再燃床,该再燃床设置在回料装置和炉膛之间的管路上,它是由周边耐火材料围成的一个燃烧区。在运行时向再燃床内鼓入空气,使飞灰在此燃烧,燃烧之后的飞灰进入炉膛密相区,将热量也随之带回炉膛。在此过程中,通过通气量的大小可控制再燃床的温度。本发明使用较为简单的结构,增加了飞灰的有效停留时间,降低了飞灰的含碳量,提高了燃烧的充分性,并且通过调节该装置处的通气量,还可间接调控炉膛的过量空气系数。