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公开(公告)号：CN106363824B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610569364.0
申请日：2016-07-19
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的薄化方法。对在SiC基板的第一面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域的晶片进行薄化，具有：环状槽形成步骤，在第二面的对应于器件区域与外周剩余区域的边界部处残存出相当于晶片完工厚度的厚度而形成环状槽；分离起点形成步骤，从第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在相当于晶片完工厚度的位置并使聚光点与SiC基板相对地移动而对第二面照射激光束，在相当于晶片完工厚度的位置处形成改质层和裂痕而作为分离起点；和晶片薄化步骤，在实施了分离起点形成步骤之后，施加外力而从分离起点将具有第二面的晶片从具有形成有多个器件的第一面的晶片分离，而将具有第一面的晶片薄化。
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公开(公告)号：CN106363823B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201610569345.8
申请日：2016-07-19
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
Abstract: 提供晶片的薄化方法，不用对背面进行磨削便能将由SiC基板构成的在正面上具有多个器件的晶片薄化至规定的厚度。晶片的薄化方法对在SiC基板的第一面上形成有多个器件的晶片进行薄化，该晶片的薄化方法具有如下的步骤：分离起点形成步骤，从第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在SiC基板的第一面附近，并且使聚光点与SiC基板相对地移动而对该第二面照射激光束，形成与该第一面平行的改质层和裂痕而作为分离起点；以及晶片薄化步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，施加外力而从该分离起点将具有第二面的晶片从具有形成有多个器件的该第一面的晶片分离，从而对具有该第一面的晶片进行薄化。
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公开(公告)号：CN106041294B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201610191903.1
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的生成方法，能够从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法具有：端面测量步骤，对存在于锭的端面上的凹凸的起伏进行测量；分离面形成步骤，在实施了端面测量步骤之后，将对于锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使激光束的聚光点与锭相对地移动而形成包含改质层和裂痕的分离面。在分离面形成步骤中，根据形成激光束的聚光点的物镜的数值孔径NA、锭的折射率N以及存在于锭的端面上的凹凸的起伏而控制集光器的高度位置以便将激光束的聚光点定位在锭的同一平面上并形成分离面。
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公开(公告)号：CN106239751B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201610391111.9
申请日：2016-06-03
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
CPC classification number: B23K26/0006 , B23K26/53 , B23K2103/56 , B24B7/228 , B28D5/0011 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B33/06
Abstract: 提供晶片的生成方法，经济性地生成晶片。晶片的生成方法从c面露出于上表面且具有与c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，具有如下的步骤：支承步骤，隔着楔角度为α的楔状部件利用支承工作台对六方晶单晶锭进行支承而使上表面相对于水平面倾斜偏离角α；改质层形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距上表面的第1深度，在与形成有偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使聚光点和六方晶单晶锭相对地移动而对上表面照射激光束，在六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；和转位步骤，使聚光点在第2方向上相对地移动而转位进给规定的量。
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公开(公告)号：CN109801834A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811351293.2
申请日：2018-11-14
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的生成方法和晶片生成装置，能够将晶片的履历残留在晶片上。该晶片的生成方法从六方晶单晶锭生成晶片，其中，包含如下的工序：平坦化工序，对六方晶单晶锭的上表面进行平坦化；制造履历形成工序，从已平坦化的六方晶单晶锭的上表面将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于要生成的晶片的不形成器件的区域的内部而对六方晶单晶锭照射激光光线，形成制造履历；以及剥离层形成工序，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离已平坦化的六方晶单晶锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，形成剥离层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105665949B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201510856866.7
申请日：2015-11-30
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的生成方法，能够从锭高效地生成晶片。一种晶片的生成方法，从六方晶单晶锭生成晶片，具有分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距锭的正面相当于要生成的晶片厚度的深度，并且使聚光点与六方晶单晶锭相对地移动而对正面照射该激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点。在该分离起点形成步骤中，将激光束的聚光点定位于所形成的改质层并对该改质层多次照射激光束而使改质层与裂痕乖离。
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公开(公告)号：CN108447783A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810089116.5
申请日：2018-01-30
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , B23K26/53 , B28D5/00
CPC classification number: B23K26/53 , B23K2101/40 , H01L21/02002 , H01L21/0201 , H01L29/1608 , H01L21/304 , B28D5/0011
Abstract: 提供SiC晶片的生成方法，其能够高效地将晶片从单晶SiC晶锭剥离。一种SiC晶片的生成方法，其包括下述工序：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离晶锭(2)的第一面(4)(端面)相当于要生成的晶片的厚度的深度，对晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成剥离层(22)，该剥离层(22)由SiC分离成Si和C的改质部(18)和从改质部(18)起在c面各向同性地形成的裂纹(20)构成；晶片生成工序，将SiC晶锭(2)的生成SiC晶片的那侧浸渍于液体(26)中，与发出具有与晶锭(2)的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波的振动板(30)对置，以剥离层(22)为界面将晶锭(2)的一部分剥离而生成SiC晶片(39)。
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公开(公告)号：CN108145307A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711143027.6
申请日：2017-11-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
CPC classification number: B26F3/002 , B26D7/086 , C30B29/36 , C30B33/02 , C30B33/06 , H01L29/045 , H01L29/1608 , B23K26/00 , B28D5/0058
Abstract: 提供实现生产率提高的SiC晶片的生成方法。该SiC晶片的生成方法包括下述工序：改质部形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离SiC晶锭(50)的第一面(52)相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对SiC晶锭(50)照射脉冲激光光线(LB)，在c面上形成SiC分离成Si和C的改质部(60)；剥离层形成工序，连续地形成改质部(60)，从改质部(60)起在c面各向同性地形成裂纹(62)，形成用于从SiC晶锭(50)将SiC晶片剥离的剥离层(64)；和晶片生成工序，以剥离层(64)为界面将SiC晶锭(50)的一部分剥离而生成SiC晶片(66)。
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公开(公告)号：CN107283078A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710220144.1
申请日：2017-04-06
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
Abstract: 提供晶片生成方法和加工进给方向检测方法，实现了生产性的提高。晶片的生成方法包含加工进给方向检测工序，该加工进给方向检测工序对c轴的倾斜方向与第2定向平面是否呈直角进行确认，检测与c轴的倾斜方向呈直角的加工进给方向。加工进给方向检测工序包含如下工的序：采样工序，在与第2定向平面平行的方向和以第2定向平面为基准绕顺时针和逆时针各倾斜规定的角度的多个方向上分别实施样本照射，形成多个样本强度降低部，该样本照射对锭照射激光光线；以及确定工序，对样本强度降低部各自的每单位长度中存在的节的个数进行计测，将节的个数为0个的样本强度降低部所延伸的方向确定为加工进给方向。
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公开(公告)号：CN106363824A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610569364.0
申请日：2016-07-19
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的薄化方法。对在SiC基板的第一面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域的晶片进行薄化，具有：环状槽形成步骤，在第二面的对应于器件区域与外周剩余区域的边界部处残存出相当于晶片完工厚度的厚度而形成环状槽；分离起点形成步骤，从第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在相当于晶片完工厚度的位置并使聚光点与SiC基板相对地移动而对第二面照射激光束，在相当于晶片完工厚度的位置处形成改质层和裂痕而作为分离起点；和晶片薄化步骤，在实施了分离起点形成步骤之后，施加外力而从分离起点将具有第二面的晶片从具有形成有多个器件的第一面的晶片分离，而将具有第一面的晶片薄化。
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