公开(公告)号：CN102214723B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201110145701.0

申请日：2011-06-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 马盛林 ,  朱韫晖 ,  孙新 ,  金玉丰 ,  陈兢 ,  缪旻

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及半导体传感器领域，公开了一种半导体辐射敏感装置及其制作方法，该装置包括至少一个辐射敏感单元，辐射敏感单元包括：第一基体、第一柱状电极和第二柱状电极；第一基体包含第一表面和第二表面；第一柱状电极包含第一金属柱和环绕第一金属柱的N型掺杂硅；第二柱状电极包含第二金属柱和环绕第二金属柱的P型掺杂硅；第一柱状电极和第二柱状电极嵌在第一基体内部，并贯穿第一基体的第一表面和第二表面；所述第二金属柱为两个以上，且排列成正多边形；所述第一柱状电极位于所述正多边形的几何中心。本发明可以实现薄的敏感装置死层厚度、较小的等效电容、较短的信号漂移过程；从而能提高能量分辨率、降低响应时间和降低能量探测下限。

公开(公告)号：CN102749167A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210210744.7

申请日：2012-06-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘振华 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: G01L19/14 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明提出一种含有硅通孔的压力传感器封装结构，用硅底座代替传统的硼磷硅玻璃基座，采用倒装焊技术、键合技术（如CuSn键合、AuSn共晶键合、Cu-Cu键合、Au-Au键合等）实现压力传感器的气密性真空封装；采用单环和双环式键合金属环封装，在保证测试灵敏度的情况下，对于不同压阻条分布的压力传感器封装起到了减小键合应力的作用；采用导电柱替代金属引线作为信号引出线，增加了互连可靠性。本发明相对于传统采用硅玻静电键合技术、金属引线键合技术、金属隔离膜技术和密闭腔充灌硅油技术的封装结构，取消了充灌硅油和金属隔离膜，有利于提升压力传感器灵敏度，也可用于动态压力检测，同时具有体积小、集成度高的优点。

公开(公告)号：CN102183333B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201010612818.0

申请日：2010-12-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱智源 ,  朱韫晖 ,  于民 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: G01L9/12 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种含有硅通孔的电容式压力传感器及其制造方法，属于微机械电子技术领域。本发明的电容式压力传感器包括含固定电极的基片，含可动电极的膜片，和与所述固定电极和可动电极电连接的测量电路；所述固定电极和所述可动电极之间存在间距，形成电容；所述可动电极位于所述膜片的梯形槽内，所述可动电极四周设有多个和所述可动电极相接的彼此间隔的经填充的通孔，所述通孔位于所述梯形槽的斜面中，将所述可动电极和部分所述斜面分隔。本发明还公开了含有硅通孔的电容式压力传感器的制造方法。本发明可用于现代工业生产、科学研究及日常生活中的多个应用领域。

公开(公告)号：CN102024782B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010513047.X

申请日：2010-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 马盛林 ,  朱韫晖 ,  孙新 ,  金玉丰 ,  缪旻

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种三维垂直互联结构及其制作方法。结构包括顺次堆叠或面对面堆叠在一起的至少两层芯片，各层所述芯片之间采用粘结材料粘结，各层所述芯片由下至上依次为衬底层和表面介质层，所述芯片的上表面具有横截面为环形的第一凹坑，所述第一凹坑内填充有金属形成第一导电环，所述第一导电环通过重新布局布线层与所述芯片内部的微电子器件连接，与所述第一导电环内径相同且圆心一致的第一通孔贯穿所述堆叠的芯片，所述第一通孔内具有第一微型导电柱。本发明的三维垂直互联结构提高了微电子器件制作中三维互联叠层间电互联和粘合强度，提高了成品率。

公开(公告)号：CN102569487A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210015241.4

申请日：2012-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 于民 ,  樊超 ,  杨昉东 ,  田大宇 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制作方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于高电阻硅片正面和背面的P型和N型矩形有源区，其中硅片正面的有源区在硅片背面上的垂直投影与硅片背面的有源区左右对称。本发明通过将P型和N型有源区设计成上下非垂直对称结构，有效增大了P型有源区到N型有源区的距离，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，即增大了探测器件I区的有效厚度，突破了高阻硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。

公开(公告)号：CN102569183A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210053684.2

申请日：2012-03-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱韫晖 ,  方孺牛 ,  马盛林 ,  孙新 ,  陈兢 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明是一种多层石墨烯垂直互连结构制作方法，包括步骤：S101.在基片上制作垂直孔；S102.在所述基片的表面上制作催化层，所述催化层覆盖所述垂直孔的内表面；S103.在所述催化层上制作石墨烯层；S104.重复制作催化层和石墨烯层，直到获得所需的导电效果；S105.对垂直孔进行填充，直到获得对垂直孔所需的填充效果。通过本发明可以提高垂直互连结构的电信号传输性能。

公开(公告)号：CN102280440A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110247718.7

申请日：2011-08-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 马盛林 ,  王贯江 ,  朱韫晖 ,  孙新 ,  陈兢 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1515 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及微电子封装领域，具体的公开了一种叠层封装结构及制造方法，所述叠层封装结构包括多个层叠的封装衬底及每层封装衬底上装载的至少一个半导体芯片；所述半导体芯片与其所在层的封装衬底之间为电连接；所述每层封装衬底上设有至少一个通孔，所述通孔中有导电金属柱，所述相邻层的封装衬底上位置相对应的导电金属柱之间通过电互连元件连接；所述相邻的两层封装衬底之间具有与其间的半导体芯片相匹配的凹坑。本发明所提供的叠层封装结构，可以有效缩小封装体积，实现更高的封装密度，更小的互连节距。

公开(公告)号：CN102270603A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110230266.1

申请日：2011-08-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 马盛林 ,  王贯江 ,  孙新 ,  朱蕴晖 ,  陈兢 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种硅通孔互连结构的制作方法，属于微电子封装领域。本方法为：1)在硅晶圆正面粘接一玻璃晶圆；2)将所述硅晶圆背面减薄至目标厚度，并制备所述硅晶圆的硅通孔；3)在所述硅晶圆背面依次沉积绝缘层、种子层；4)在所述硅晶圆背面制作电镀掩膜，电镀导电材料填充硅通孔，形成凸点；然后在凸点上制作焊盘，并暴露出凸点周围的绝缘层；5)将所述硅晶圆背面粘接到一晶圆上，剥离所述玻璃晶圆；在所述硅晶圆正面，刻蚀掉硅通孔底部所沉积的绝缘层，制作一重新布线层电连接硅通孔中所沉积的种子层与所述微电子电路，并制作所述重新布线层的焊盘。本发明便于种子层沉积效果、电镀填充效果监测，降低了工艺的技术难度，提高成品率。

公开(公告)号：CN102157459A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110063943.5

申请日：2011-03-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 崔卿虎 ,  朱韫晖 ,  马盛林 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种TSV芯片键合结构，属于微电子技术领域。所述键合结构包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片包括第一微凸点和第一微凸点周围的第一环绕结构，所述第一环绕结构的高度大于所述第一微凸点的高度；所述第二芯片包括第二微凸点，所述第二微凸点嵌入所述第一环绕结构且所述第一环绕结构限制所述第二微凸点的横向位移。所述第二芯片还可包括第二环绕结构，所述第一环绕结构嵌入所述第二环绕结构且所述第二环绕结构限制所述第一环绕结构的横向位移。本发明可用于半导体器件的制造等领域。

公开(公告)号：CN101799934A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN201010139003.5

申请日：2010-04-02

Applicant: 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地

Inventor： 时广轶 ,  金玉丰 ,  李文荣 ,  崔卿虎

IPC: G06T15/70 ,  G01P9/00 ,  G01P15/18

Abstract: 本发明涉及一种基于微机电惯性传感网络的实时人体运动捕捉系统，主要包括：基于MEMS-uIMU的人体运动测量微惯导传感系统、基于处理器平台的集成了自动检测—分析—控制功能的人体运动参数信号处理系统、基于计算机平台的实时人体运动重构系统和实时三维动画界面软件系统。该人体运动测量微惯导传感系统捕捉实时的人体运动姿态数据，经过降噪处理后，以有线或无线传输方式传送到人体运动参数信号处理子系统，通过相应的滤波算法得到人体姿态数据，再传输到实时人体运动重构系统，实现实时人体运动的重构，并通过实时三维动画界面软件系统、借助界面显示平台把捕捉到的人体运动状态以三维动画的形式实时表达出来，保存数据。